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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
6A100G Taiwan Semiconductor Corporation 6A100G 0.2520
RFQ
ECAD 9501 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 R-6, 축, 6A100 기준 R-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 1000 v 1 V @ 6 a 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 6A 60pf @ 4V, 1MHz
SS23HR5G Taiwan Semiconductor Corporation SS23HR5G -
RFQ
ECAD 6562 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB SS23 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 500 mV @ 2 a 400 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 2A -
BZD27C33PH Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C33PH 0.2933
RFQ
ECAD 5356 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.06% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZD27C33PHTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 24 v 33 v 15 옴
SR006 Taiwan Semiconductor Corporation SR006 0.0712
RFQ
ECAD 3574 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SR006 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mV @ 500 mA 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 80pf @ 4V, 1MHz
SS1H10LWH Taiwan Semiconductor Corporation SS1H10LWH 0.1122
RFQ
ECAD 7788 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123W SS1H10 Schottky SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-SS1H10LWHTR 귀 99 8541.10.0080 20,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 800 mv @ 1 a 500 NA @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
LS4148 L0G Taiwan Semiconductor Corporation LS4148 L0G 0.0235
RFQ
ECAD 9722 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-80 변형 LS4148 기준 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 75 v 1 V @ 450 ma 5 µa @ 75 v -65 ° C ~ 175 ° C 450ma 4pf @ 0V, 1MHz
BZT55C18 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C18 L0G 0.0350
RFQ
ECAD 8907 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZT55 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 100 na @ 13 v 18 v 50 옴
S4DH Taiwan Semiconductor Corporation S4DH 0.1886
RFQ
ECAD 9468 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-S4DHTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 200 v 1.15 V @ 4 a 1.5 µs 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 4a 60pf @ 4V, 1MHz
1SMA5948H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5948H 0.0995
RFQ
ECAD 5160 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA5948 1.5 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 500 NA @ 69.2 v 91 v 200 옴
1N4934G R0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4934G R0G -
RFQ
ECAD 4448 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4934 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
SF28G Taiwan Semiconductor Corporation SF28G 0.4900
RFQ
ECAD 8 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 SF28 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 2 a 35 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 20pf @ 4V, 1MHz
1SMA120ZHR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA120ZHR3G -
RFQ
ECAD 8078 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA120 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1 µa @ 91.2 v 120 v 550 옴
ES3JHM6G Taiwan Semiconductor Corporation es3jhm6g -
RFQ
ECAD 5036 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC ES3J 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 3 a 35 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1MHz
UF4004H Taiwan Semiconductor Corporation UF4004H 0.1044
RFQ
ECAD 5323 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 UF4004 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17pf @ 4V, 1MHz
UGA15120 C0G Taiwan Semiconductor Corporation UGA15120 C0G -
RFQ
ECAD 8317 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-2 UGA15120 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 2.9 V @ 15 a 65 ns 5 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 15a -
BZD17C62P RVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C62P RVG -
RFQ
ECAD 9621 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 47 v 62 v 80 옴
S10MC R6 Taiwan Semiconductor Corporation S10MC R6 -
RFQ
ECAD 4575 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-S10MCR6TR 귀 99 8541.10.0080 3,000 1000 v 1.1 v @ 10 a 1 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A 60pf @ 4V, 1MHz
MBRF15200CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBRF15200CT-Y 0.4737
RFQ
ECAD 7514 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MBRF15200 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-MBRF15200CT-Y 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 15a 950 MV @ 15 a 100 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
HS1KL MQG Taiwan Semiconductor Corporation HS1KL MQG -
RFQ
ECAD 9236 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab HS1K 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
SK520C R7G Taiwan Semiconductor Corporation SK520C R7G -
RFQ
ECAD 3065 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC SK520 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 5 a 300 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
TSM230N06PQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM230N06PQ56 RLG 0.6600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn TSM230 MOSFET (금속 (() 8-PDFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 44A (TC) 4.5V, 10V 23mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 28 nc @ 10 v ± 20V 1680 pf @ 20 v - 83W (TC)
HS1BL R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS1BL R3G -
RFQ
ECAD 2785 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab HS1B 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 950 MV @ 1 a 50 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
BZD27C16PHRUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C16PHRUG -
RFQ
ECAD 3467 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 12 v 16.2 v 15 옴
TSM15N50CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM15N50CI C0G -
RFQ
ECAD 6447 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 TSM15 MOSFET (금속 (() ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 500 v 14A (TC) 10V 440mohm @ 7a, 10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 30V 2263 pf @ 25 v - -
BZT52C6V2 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C6V2 RHG 0.2600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52C 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 10 ma 2.7 µa @ 4 v 6.2 v 10 옴
ES1F R3G Taiwan Semiconductor Corporation ES1F R3G -
RFQ
ECAD 8172 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA es1f 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.3 v @ 1 a 35 ns 5 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 18pf @ 4V, 1MHz
2M24Z B0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M24Z B0G -
RFQ
ECAD 2698 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M24 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 500 NA @ 18.2 v 24 v 13 옴
ES3DB Taiwan Semiconductor Corporation ES3DB 0.1809
RFQ
ECAD 9999 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB ES3D 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 3 a 35 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 46pf @ 4V, 1MHz
BZT52C5V1 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C5V1 RHG 0.2700
RFQ
ECAD 24 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52C 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 10 ma 1.8 µa @ 2 v 5.1 v 60 옴
TSM60N600CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N600CH C5G 0.7222
RFQ
ECAD 7903 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA TSM60 MOSFET (금속 (() TO-251 (IPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 600 v 8A (TC) 10V 600mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 30V 743 pf @ 100 v - 83W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고