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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
GP1005HC0G Taiwan Semiconductor Corporation GP1005HC0G -
RFQ
 ECAD 5512 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 GP1005 기준 TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 짐 1 음극 음극 공통 600 v 10A 1.1 v @ 5 a 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
S1GBHR5G Taiwan Semiconductor Corporation S1GBHR5G -
RFQ
 ECAD 5893 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB S1G 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 짐 400 v 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 12pf @ 4V, 1MHz
UDZS20B RRG Taiwan Semiconductor Corporation UDZS20B RRG -
RFQ
 ECAD 3417 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F UDZS20 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 45 na @ 15 v 20 v 60 옴
BZT52B13 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B13 RHG 0.2700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52B 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 10 ma 90 na @ 8 v 13 v 30 옴
HDBL103G Taiwan Semiconductor Corporation HDBL103G 0.3999
RFQ
 ECAD 5334 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) HDBL103 기준 DBL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1 V @ 1 a 5 µa @ 200 v 1 a 단일 단일 200 v
2M56ZHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M56ZHA0G -
RFQ
 ECAD 7651 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M56 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 500 NA @ 42.6 v 56 v 55 옴
2M36ZHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M36ZHB0G -
RFQ
 ECAD 1724 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M36 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 500 NA @ 27.4 v 36 v 25 옴
SR806HA0G Taiwan Semiconductor Corporation sr806ha0g -
RFQ
 ECAD 4566 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SR806 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 8 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
RSFBL RHG Taiwan Semiconductor Corporation RSFBL RHG -
RFQ
 ECAD 7515 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RSFBL 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.3 v @ 500 ma 150 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4V, 1MHz
SS310LW Taiwan Semiconductor Corporation SS310LW 0.3600
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123W SS310 Schottky SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mV @ 3 a 20 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
MBR20L100CT Taiwan Semiconductor Corporation MBR20L100CT 1.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR20 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 20A 850 mv @ 20 a 20 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZT55C6V2 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C6V2 L1G 0.0504
RFQ
 ECAD 9044 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZT55 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1 V @ 10 ma 100 na @ 2 v 6.2 v 10 옴
HT16G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HT16G A0G -
RFQ
 ECAD 8738 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 T-18, 축, HT16 기준 TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
SR203HR0G Taiwan Semiconductor Corporation SR203HR0G -
RFQ
 ECAD 1970 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 SR203 Schottky DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 2 a 500 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 2A -
BC337-40 A1G Taiwan Semiconductor Corporation BC337-40 A1G -
RFQ
 ECAD 7827 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BC337 625 MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 4,000 45 v 800 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 5V 100MHz
SFT18G Taiwan Semiconductor Corporation sft18g 0.1095
RFQ
 ECAD 1486 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 T-18, 축, SFT18 기준 TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 1 a 35 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
FR104G A0G Taiwan Semiconductor Corporation FR104G A0G 0.4400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 대만 대만 회사 - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 FR104 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
ESH3B V7G Taiwan Semiconductor Corporation ESH3B V7G -
RFQ
 ECAD 1763 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC ESH3 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 20 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
BZT55B22 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B22 L0G 0.0385
RFQ
 ECAD 6721 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZT55 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 100 na @ 16 v 22 v 55 옴
SFF1004GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFF1004GHC0G -
RFQ
 ECAD 6657 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 SFF1004 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 10A (DC) 975 MV @ 5 a 35 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
2M180ZHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M180ZHA0G -
RFQ
 ECAD 2949 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M180 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 500 NA @ 136.8 v 180 v 725 옴
S4A R7G Taiwan Semiconductor Corporation S4A R7g -
RFQ
 ECAD 5430 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC S4A 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.15 V @ 4 a 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 4a 60pf @ 4V, 1MHz
S3BHM6G Taiwan Semiconductor Corporation S3BHM6G -
RFQ
 ECAD 3693 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC S3B 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 100 v 1.15 V @ 3 a 1.5 µs 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1MHz
SR810 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SR810 B0G -
RFQ
 ECAD 6265 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SR810 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 920 MV @ 8 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
TSM60N900CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N900CI C0G 0.7191
RFQ
 ECAD 5761 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 TSM60 MOSFET (금속 (() ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 4.5A (TC) 10V 900mohm @ 2.3a, 10V 4V @ 250µA 9.7 NC @ 10 v ± 30V 480 pf @ 100 v - 50W (TC)
BZD17C43P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C43P RHG -
RFQ
 ECAD 7844 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.97% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 33 v 43 v 45 옴
MBRF20100 Taiwan Semiconductor Corporation MBRF20100 -
RFQ
 ECAD 4596 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 Schottky ITO-220AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-MBRF20100 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 950 MV @ 20 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 20A -
GP1007 Taiwan Semiconductor Corporation GP1007 0.4632
RFQ
 ECAD 5614 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 GP1007 기준 TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 짐 1 음극 음극 공통 10A 1.1 v @ 5 a 2 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C
SRA2090 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA2090 C0G -
RFQ
 ECAD 3289 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SRA2090 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 920 MV @ 20 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 20A -
SSL34HM6G Taiwan Semiconductor Corporation SSL34HM6G -
RFQ
 ECAD 3402 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC SSL34 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 410 MV @ 3 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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