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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
S2KA Taiwan Semiconductor Corporation S2KA 0.0633
RFQ
ECAD 2894 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA S2K 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 800 v 1.1 v @ 1.5 a 1.5 µs 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 30pf @ 4V, 1MHz
BZD27C20P MHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C20P MHG -
RFQ
ECAD 5623 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 15 v 20 v 15 옴
MBRF750 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF750 C0G -
RFQ
ECAD 6207 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 MBRF750 Schottky ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 750MV @ 7.5 a 100 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 7.5A -
SK55C R6G Taiwan Semiconductor Corporation SK55C R6G -
RFQ
ECAD 9034 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SK55CR6GTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 750 mV @ 5 a 500 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
S8MCHM6G Taiwan Semiconductor Corporation S8MCHM6G -
RFQ
ECAD 2004 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC S8MC 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 1000 v 985 MV @ 8 a 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 48pf @ 4V, 1MHz
ESH1D Taiwan Semiconductor Corporation ESH1D 0.0869
RFQ
ECAD 6517 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA ESH1 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 900 mV @ 1 a 15 ns 1 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 16pf @ 4V, 1MHz
RSFDL R3G Taiwan Semiconductor Corporation RSFDL R3G 0.4400
RFQ
ECAD 5 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RSFDL 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 v @ 500 ma 150 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4V, 1MHz
BAV101 L0G Taiwan Semiconductor Corporation bav101 l0g 0.0361
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ECAD 7155 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 bav101 기준 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 250 v 1 v @ 100 ma 100 na @ 200 v -65 ° C ~ 200 ° C 200ma 4pf @ 0V, 1MHz
SFF501G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFF501G C0G -
RFQ
ECAD 4707 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 SFF501 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 980 MV @ 2.5 a 35 ns 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 70pf @ 4V, 1MHz
MMSZ5234B Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5234B 0.0433
RFQ
ECAD 7580 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F MMSZ5234 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-MMSZ5234BTR 귀 99 8541.10.0050 6,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 4 v 6.2 v 7 옴
1N5393GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5393GHA0G -
RFQ
ECAD 1855 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 1N5393 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 200 v 1 V @ 1.5 a 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 15pf @ 4V, 1MHz
2M19ZHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M19ZHB0G -
RFQ
ECAD 6856 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M19 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 500 NA @ 14.4 v 19 v 11 옴
1SMA5939 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5939 0.0935
RFQ
ECAD 7987 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA5939 1.5 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 500 NA @ 29.7 v 39 v 45 옴
1N4754AHR1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4754AHR1G -
RFQ
ECAD 5687 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4754 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 29.7 v 39 v 60 옴
S3KH Taiwan Semiconductor Corporation S3KH 0.1561
RFQ
ECAD 5417 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 800 v 1.15 V @ 3 a 1.5 µs 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
1N4749G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4749G A0G -
RFQ
ECAD 4319 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4749 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 18.2 v 24 v 25 옴
S5JB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S5JB R5G 0.5500
RFQ
ECAD 81 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB S5J 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.1 v @ 5 a 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 40pf @ 4V, 1MHz
1PGSMC5353 M6G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmc5353 m6g -
RFQ
ECAD 5445 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 w DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-1pgsmc5353m6gtr 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 12.2 v 16 v 3 옴
MBRS20150CTHMNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS20150CTHMNG -
RFQ
ECAD 1953 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS20150 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 20A 1.23 V @ 20 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR15150CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR15150CTHC0G -
RFQ
ECAD 9141 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR15150 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 15a 1.05 V @ 7.5 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZT55B6V8 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B6V8 L0G 0.0385
RFQ
ECAD 6914 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZT55 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 100 na @ 3 v 6.8 v 8 옴
SFT13GHR0G Taiwan Semiconductor Corporation sft13ghr0g -
RFQ
ECAD 2533 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 T-18, 축, SFT13 기준 TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
RSFAL M2G Taiwan Semiconductor Corporation RSFAL M2G -
RFQ
ECAD 1721 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RSFAL 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 v @ 500 ma 150 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4V, 1MHz
BA157G A0G Taiwan Semiconductor Corporation BA157G A0G -
RFQ
ECAD 7795 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BA157 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.2 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
KTC3198-GR-B0 A1G Taiwan Semiconductor Corporation KTC3198-GR-B0 A1G -
RFQ
ECAD 2951 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 500MW To-92 다운로드 영향을받지 영향을받지 1801-KTC3198-GR-B0A1GTB 쓸모없는 1 50 v 150 MA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 10ma, 100ma 200 @ 150ma, 6V 80MHz
SRAF830 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF830 C0G -
RFQ
ECAD 4341 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SRAF830 Schottky ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 8 a 100 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 8a -
SR1020 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SR1020 C0G -
RFQ
ECAD 2680 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 SR1020 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 550 mV @ 5 a 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 10A -
MUR160A R1G Taiwan Semiconductor Corporation MUR160A R1G -
RFQ
ECAD 4512 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 MUR160 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.25 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 27pf @ 4V, 1MHz
BZV55C6V2 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C6V2 L0G 0.0333
RFQ
ECAD 6394 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55C 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 100 na @ 2 v 6.2 v 10 옴
S15GC M6G Taiwan Semiconductor Corporation S15GC M6G -
RFQ
ECAD 9352 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC S15G 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 400 v 1.1 v @ 15 a 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 15a 93pf @ 4v, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고