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불연속 불연속 제품 (15635)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
RSFGLHRHG	-	RFQ	8140	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	RSFGL	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													400 v		1.3 v @ 500 ma	150 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	500ma	4pf @ 4V, 1MHz
HS1ML RFG	-	RFQ	6009	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	HS1M	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													1000 v		1.7 V @ 1 a	75 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
1N4747G A0G	-	RFQ	1976	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TA)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4747		1 W.	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 15.2 v							20 v	22 옴
MBRI20100CT	0.8496	RFQ	4117	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	MBRI20100	Schottky		i2pak	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	100 v	20A	950 MV @ 20 a		100 @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C
MBRF1090CTHC0G	-	RFQ	2318	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	MBRF1090	Schottky		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	90 v	10A	950 MV @ 10 a		100 µa @ 90 v	-55 ° C ~ 150 ° C
2jah	-	RFQ	2430	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	UG2J	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													600 v		1.3 V @ 2 a	55 ns	2 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	20pf @ 4V, 1MHz
S1B R3G	0.4700	RFQ	90	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AC, SMA	S1B	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800	짐													100 v		1.1 v @ 1 a	1.5 µs	1 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	12pf @ 4V, 1MHz
SFAF803G C0G	-	RFQ	1804	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2	SFAF803	기준		ITO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													150 v		950 MV @ 8 a	35 ns	10 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	90pf @ 4V, 1MHz
mur105shr5g	-	RFQ	7460	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AA, SMB	mur105	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													50 v		875 mv @ 1 a	25 ns	2 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	-
BC550B B1	-	RFQ	2688	대만 대만 회사	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			500MW	To-92	다운로드			영향을받지 영향을받지	1801-BC550BB1	쓸모없는		1																						45 v	100 MA	15NA (ICBO)			NPN	-	200 @ 2mA, 5V	-
sf65gh	0.3565	RFQ	8535	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SF65	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,250	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													300 v		1.3 V @ 6 a	35 ns	5 µa @ 300 v	-55 ° C ~ 150 ° C	6A	50pf @ 4V, 1MHz
UF1D B0G	-	RFQ	7695	대만 대만 회사	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	UF1D	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													200 v		1 V @ 1 a	50 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	17pf @ 4V, 1MHz
RSFML MHG	-	RFQ	7529	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	RSFML	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													1000 v		1.3 v @ 500 ma	500 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	500ma	4pf @ 4V, 1MHz
HS1KL RTG	-	RFQ	3863	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	HS1K	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													800 v		1.7 V @ 1 a	75 ns	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
MUR340SBHR5G	-	RFQ	5928	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AA, SMB	MUR340	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													400 v		1.25 V @ 3 a	50 ns	10 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	40pf @ 4V, 1MHz
S12MCHR7G	-	RFQ	5069	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	S12M	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													1000 v		1.1 v @ 12 a		1 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	12a	78pf @ 4V, 1MHz
SS110LHMHG	-	RFQ	4827	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	SS110	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		800 mv @ 1 a		50 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
MMSZ5241B RHG	0.0433	RFQ	6143	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123F	MMSZ5241		500MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																		2 µa @ 8.4 v							11 v	22 옴
BAV21 A0G	-	RFQ	4823	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	BAV21	기준		DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	5,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도													250 v		1.25 V @ 200 ma		100 na @ 250 v	-55 ° C ~ 175 ° C	200ma	5pf @ 0V, 1MHz
MUR340S M6G	-	RFQ	9435	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	MUR340	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													400 v		1.25 V @ 3 a	50 ns	10 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	-
puad8bc	0.9000	RFQ	1515	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		기준		윈스 윈스	-		1 (무제한)					4,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	100 v	8a	920 MV @ 4 a	25 ns	2 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 175 ° C
UG54G A0G	-	RFQ	5913	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	UG54	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													200 v		1.05 V @ 5 a	20 ns	10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C	5a	-
TSM038N04LCP ROG	3.0900	RFQ	480	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	TSM038	MOSFET (금속 (()		TO-252, (D-PAK)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	40 v	135A (TC)	4.5V, 10V	3.8mohm @ 19a, 10V	2.5V @ 250µA	104 NC @ 10 v	± 20V	5509 pf @ 20 v	-	125W (TC)
BZD27C56P RHG	-	RFQ	8092	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 7.14%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 43 v							56 v	60 옴
TSM80N950CP	2.7498	RFQ	7928	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	TSM80	MOSFET (금속 (()		TO-252, (D-PAK)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-TSM80N950cptr	귀 99	8541.29.0095	5,000		n 채널	800 v	6A (TC)	10V	950mohm @ 3a, 10V	4V @ 250µA	19.6 NC @ 10 v	± 30V	691 pf @ 100 v	-	110W (TC)
MUR4L60 A0G	-	RFQ	3034	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	mur4l60	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													600 v		1.28 V @ 4 a	50 ns	10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 175 ° C	4a	65pf @ 4V, 1MHz
S8JC R6G	-	RFQ	9714	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC		기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-S8JCR6GTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	짐													600 v		985 MV @ 8 a		10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	48pf @ 4V, 1MHz
HS2B	-	RFQ	5770	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB		기준		DO-214AA (SMB)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-HS2BTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		1 V @ 2 a	50 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	50pf @ 4V, 1MHz
S1GL	0.4500	RFQ	19	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	S1G	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000	짐													400 v		1.1 v @ 1 a	1.8 µs	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	9pf @ 4V, 1MHz
1N4746AHR1G	-	RFQ	7282	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4746		1 W.	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000																		5 µa @ 13.7 v							18 v	50 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (15635)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²