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불연속 불연속 제품 (15635)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
SS14L RTG Taiwan Semiconductor Corporation SS14L RTG -
RFQ
 ECAD 4305 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS14 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 1 a 400 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
SRT12HA1G Taiwan Semiconductor Corporation srt12ha1g -
RFQ
 ECAD 3636 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 T-18, 축, SRT12 Schottky TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 550 mV @ 1 a 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
UF4006 B0G Taiwan Semiconductor Corporation UF4006 B0G -
RFQ
 ECAD 5157 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 UF4006 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17pf @ 4V, 1MHz
BZX84C20 Taiwan Semiconductor Corporation BZX84C20 0.0511
RFQ
 ECAD 7677 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZX84C20TR 귀 99 8541.10.0050 6,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 14 v 20 v 55 옴
MBRS10H100CT MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS10H100CT MNG -
RFQ
 ECAD 1946 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS10 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 10A 950 MV @ 10 a 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C
SS35HM6G Taiwan Semiconductor Corporation SS35HM6G -
RFQ
 ECAD 7492 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC SS35 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 750 mV @ 3 a 500 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
SR1503HR0G Taiwan Semiconductor Corporation SR1503HR0G -
RFQ
 ECAD 3748 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 R-6, 축, SR1503 Schottky R-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 15 a 500 µa @ 30 v -50 ° C ~ 150 ° C 15a -
BZD27C43PW Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C43PW 0.1092
RFQ
 ECAD 8949 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123W BZD27 1 W. SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 v @ 200 ma 1 µa @ 33 v 43 v 45 옴
RS1DL MTG Taiwan Semiconductor Corporation RS1DL MTG -
RFQ
 ECAD 8605 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RS1D 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 v @ 800 ma 150 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 800ma 10pf @ 4V, 1MHz
6A80GH Taiwan Semiconductor Corporation 6A80GH 0.2696
RFQ
 ECAD 5886 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 R-6, 축, 6A80 기준 R-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 짐 800 v 1 V @ 6 a 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 6A 60pf @ 4V, 1MHz
BZD17C27P RUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C27P 깔개 -
RFQ
 ECAD 8207 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 7.03% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 20 v 27 v 15 옴
SF34G Taiwan Semiconductor Corporation SF34G 0.2235
RFQ
 ECAD 9145 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SF34 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 3 a 35 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 80pf @ 4V, 1MHz
UGF2008GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation UGF2008GHC0G -
RFQ
 ECAD 7531 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 UGF2008 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 600 v 20A 1.7 V @ 10 a 25 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
S1DLSHRQG Taiwan Semiconductor Corporation S1DLSHRQG -
RFQ
 ECAD 1724 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123H S1D 기준 SOD-123HE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 짐 200 v 1.3 V @ 1.2 a 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 1.2A -
1PGSMA180Z Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsma180z 0.1086
RFQ
 ECAD 6141 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1pgsma180 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 136.8 v 180 v 1200 옴
TSM170N06PQ56 Taiwan Semiconductor Corporation TSM170N06PQ56 0.9676
RFQ
 ECAD 7242 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn TSM170 MOSFET (금속 (() 8-PDFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-TSM170N06PQ56TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 8A (TA), 44A (TC) 4.5V, 10V 17mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 20V 1556 pf @ 30 v - 2.6W (TA), 73.5W (TC)
RS2DALH Taiwan Semiconductor Corporation rs2dalh 0.0795
RFQ
 ECAD 2638 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-rs2dalhtr 귀 99 8541.10.0080 28,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 V @ 2 a 150 ns 1 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 11pf @ 4V, 1MHz
SS115L MHG Taiwan Semiconductor Corporation SS115L MHG -
RFQ
 ECAD 2553 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS115 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 900 mV @ 1 a 50 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
SR16100PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation SR16100PT C0G -
RFQ
 ECAD 3593 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 SR16100 Schottky TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 16A 900 mV @ 8 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
LL5817 L0G Taiwan Semiconductor Corporation LL5817 L0G 0.1631
RFQ
 ECAD 2967 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AB, MELF LL5817 Schottky 멜프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 750 mV @ 3 a 500 µa @ 20 v -65 ° C ~ 125 ° C 1A 110pf @ 4V, 1MHz
SS24L RHG Taiwan Semiconductor Corporation SS24L RHG -
RFQ
 ECAD 5444 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS24 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 2 a 400 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
SS25L MTG Taiwan Semiconductor Corporation SS25L MTG -
RFQ
 ECAD 9583 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS25 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 700 mv @ 2 a 400 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
SF44G Taiwan Semiconductor Corporation SF44G 0.2688
RFQ
 ECAD 5454 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SF44 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 4 a 35 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 4a 100pf @ 4V, 1MHz
HT18G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HT18G A0G -
RFQ
 ECAD 1156 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 T-18, 축, HT18 기준 TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
SRT16 Taiwan Semiconductor Corporation SRT16 0.0592
RFQ
 ECAD 1959 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 T-18, 축, SRT16 Schottky TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 1 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
S1G-KR2G Taiwan Semiconductor Corporation S1G-KR2G -
RFQ
 ECAD 5931 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA S1G 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 짐 400 v 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 12pf @ 4V, 1MHz
MUR110S Taiwan Semiconductor Corporation MUR110 0.1092
RFQ
 ECAD 2475 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB MUR110 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 875 mv @ 1 a 25 ns 50 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
BZD27C51P MHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C51P MHG -
RFQ
 ECAD 6268 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 39 v 51 v 60 옴
SRS2090 MNG Taiwan Semiconductor Corporation SRS2090 MNG -
RFQ
 ECAD 8674 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SRS2090 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 90 v 20A 920 MV @ 10 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C
SS110LHRTG Taiwan Semiconductor Corporation SS110LHRTG -
RFQ
 ECAD 6145 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS110 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 800 mv @ 1 a 50 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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