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불연속 불연속 제품 (15635)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
UF1D B0G Taiwan Semiconductor Corporation UF1D B0G -
RFQ
 ECAD 7695 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 UF1D 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17pf @ 4V, 1MHz
LL5817 L0G Taiwan Semiconductor Corporation LL5817 L0G 0.1631
RFQ
 ECAD 2967 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AB, MELF LL5817 Schottky 멜프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 750 mV @ 3 a 500 µa @ 20 v -65 ° C ~ 125 ° C 1A 110pf @ 4V, 1MHz
S12MCHR7G Taiwan Semiconductor Corporation S12MCHR7G -
RFQ
 ECAD 5069 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC S12M 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.1 v @ 12 a 1 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 12a 78pf @ 4V, 1MHz
MUR105SHR5G Taiwan Semiconductor Corporation mur105shr5g -
RFQ
 ECAD 7460 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB mur105 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 875 mv @ 1 a 25 ns 2 µa @ 50 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
SF44G Taiwan Semiconductor Corporation SF44G 0.2688
RFQ
 ECAD 5454 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SF44 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 4 a 35 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 4a 100pf @ 4V, 1MHz
SS115L MHG Taiwan Semiconductor Corporation SS115L MHG -
RFQ
 ECAD 2553 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS115 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 900 mV @ 1 a 50 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
SF65GH Taiwan Semiconductor Corporation sf65gh 0.3565
RFQ
 ECAD 8535 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SF65 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.3 V @ 6 a 35 ns 5 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 6A 50pf @ 4V, 1MHz
1N4747G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4747G A0G -
RFQ
 ECAD 1976 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4747 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 15.2 v 20 v 22 옴
SFAF803G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF803G C0G -
RFQ
 ECAD 1804 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SFAF803 기준 ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 8 a 35 ns 10 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 90pf @ 4V, 1MHz
MBRI20100CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRI20100CT 0.8496
RFQ
 ECAD 4117 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MBRI20100 Schottky i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 20A 950 MV @ 20 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
SS25L MTG Taiwan Semiconductor Corporation SS25L MTG -
RFQ
 ECAD 9583 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS25 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 700 mv @ 2 a 400 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
UG2JAH Taiwan Semiconductor Corporation 2jah -
RFQ
 ECAD 2430 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA UG2J 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 V @ 2 a 55 ns 2 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 20pf @ 4V, 1MHz
BZT52C8V2K RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C8V2K RKG 0.0474
RFQ
 ECAD 8046 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZT52C 200 MW SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 500 na @ 5 v 8.2 v 15 옴
RSFKLHRFG Taiwan Semiconductor Corporation rsfklhrfg -
RFQ
 ECAD 3442 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RSFKL 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 v @ 500 ma 500 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4V, 1MHz
SF66GH Taiwan Semiconductor Corporation sf66gh 0.3546
RFQ
 ECAD 7263 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SF66 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 6 a 35 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 6A 50pf @ 4V, 1MHz
TPMR10D Taiwan Semiconductor Corporation TPMR10D 1.0100
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn TPMR10 기준 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 10 a 35 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 10A 140pf @ 4V, 1MHz
TSM70NB1R4CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM70NB1R4CP ROG 1.2804
RFQ
 ECAD 9411 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TSM70 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 700 v 3A (TC) 10V 1.4ohm @ 1.2a, 10V 4V @ 250µA 7.4 NC @ 10 v ± 30V 317 pf @ 100 v - 28W (TC)
SFAF2004G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF2004G C0G -
RFQ
 ECAD 1298 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SFAF2004 기준 ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 975 MV @ 20 a 35 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 20A 170pf @ 4V, 1MHz
1N4448 A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4448 A0G -
RFQ
 ECAD 3700 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N4448 기준 DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 5,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 100 v 720 mv @ 5 ma 4 ns 5 µa @ 75 v -65 ° C ~ 150 ° C 150ma 4pf @ 0V, 1MHz
MBRF10150HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF10150HC0G -
RFQ
 ECAD 9603 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 MBRF1015 Schottky ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 1.05 V @ 10 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
BZD27C47PHR3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C47PHR3G -
RFQ
 ECAD 8299 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.38% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 36 v 47 v 45 옴
HS5M M6G Taiwan Semiconductor Corporation HS5M M6G -
RFQ
 ECAD 3520 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC HS5M 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.7 V @ 5 a 75 ns 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 50pf @ 4V, 1MHz
SRF16150 Taiwan Semiconductor Corporation SRF16150 0.7995
RFQ
 ECAD 2390 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 SRF16150 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 16A 550 mV @ 8 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 125 ° C
1PGSMB5947HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmb5947hr5g -
RFQ
 ECAD 2158 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1pgsmb5947 3 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 850 1 µa @ 62.2 v 82 v 160 옴
SR20150PTH Taiwan Semiconductor Corporation SR20150pth -
RFQ
 ECAD 6918 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-247-3 SR20150 기준 TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 20A 550 mV @ 10 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 125 ° C
BZT52C27 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C27 RHG 0.2600
RFQ
 ECAD 89 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52C 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 10 ma 45 NA @ 18.9 v 27 v 80 옴
TSM180P03CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM180P03CS RLG 1.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TSM180 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 10A (TC) 4.5V, 10V 18mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 23 NC @ 4.5 v ± 20V 1730 pf @ 15 v - 2.5W (TC)
SFA1001GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFA1001GHC0G -
RFQ
 ECAD 4575 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-2 SFA1001 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 975 MV @ 10 a 35 ns 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A 70pf @ 4V, 1MHz
SRA1030HC0G Taiwan Semiconductor Corporation sra1030hc0g -
RFQ
 ECAD 1674 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SRA1030 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 10 a 500 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 10A -
BZD27C68PHRHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C68PHRHG -
RFQ
 ECAD 2552 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 51 v 68 v 80 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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