SIC
close

불연속 불연속 제품 (15635)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
TSM100N06CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM100N06CZ C0G 1.5800
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 TSM100 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 100A (TC) 10V 6.7mohm @ 30a, 10V 4V @ 250µA 92 NC @ 10 v ± 20V 4382 pf @ 30 v - 167W (TC)
SR1502 A0G Taiwan Semiconductor Corporation SR1502 A0G -
RFQ
 ECAD 2724 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 R-6, 축, SR1502 Schottky R-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 700 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 550 mV @ 15 a 500 µa @ 20 v -50 ° C ~ 150 ° C 15a -
RS2B Taiwan Semiconductor Corporation RS2B 0.0946
RFQ
 ECAD 7620 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB RS2B 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.3 V @ 2 a 150 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 50pf @ 4V, 1MHz
MBR20200PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR20200PTHC0G -
RFQ
 ECAD 8383 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 MBR20200 Schottky TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 20A 1.02 V @ 20 a 100 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
SR206 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SR206 B0G -
RFQ
 ECAD 7495 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 SR206 Schottky DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 2 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
SFF1608GH Taiwan Semiconductor Corporation sff1608gh -
RFQ
 ECAD 5166 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 SFF1608 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 8 a 35 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 16A 50pf @ 4V, 1MHz
1SMA5944 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5944 0.0935
RFQ
 ECAD 1466 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA5944 1.5 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 500 NA @ 47.1 v 62 v 100 옴
ES3B R7 Taiwan Semiconductor Corporation ES3B R7 -
RFQ
 ECAD 1421 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-es3br7tr 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 950 MV @ 3 a 35 ns 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
SSL34 M6G Taiwan Semiconductor Corporation SSL34 M6G -
RFQ
 ECAD 7629 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC SSL34 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 410 MV @ 3 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
TST20H100CW Taiwan Semiconductor Corporation TST20H100CW 1.2252
RFQ
 ECAD 1520 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 TST20 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 790 mV @ 10 a 200 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
S3GBH Taiwan Semiconductor Corporation S3GBH 0.1210
RFQ
 ECAD 2514 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB S3G 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 400 v 1.15 V @ 3 a 1.5 µs 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 40pf @ 4V, 1MHz
RS1JLHMTG Taiwan Semiconductor Corporation rs1jlhmtg -
RFQ
 ECAD 8292 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RS1J 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 v @ 800 ma 250 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 800ma 10pf @ 4V, 1MHz
1SMA110ZH Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA110ZH 0.1245
RFQ
 ECAD 2601 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA110 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1 µa @ 83.6 v 110 v 450 옴
SFF1603GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFF1603GHC0G -
RFQ
 ECAD 2597 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 SFF1603 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 975 MV @ 8 a 35 ns 10 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 16A 80pf @ 4V, 1MHz
BZD27C150PW Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C150PW 0.4600
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123W BZD27 1 W. SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 v @ 200 ma 1 µa @ 110 v 150 v 300 옴
1N4004G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4004G 0.0490
RFQ
 ECAD 3886 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4004 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 짐 400 v 1 V @ 1 a 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
ES1GLWHRVG Taiwan Semiconductor Corporation es1glwhrvg 0.1553
RFQ
 ECAD 1098 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123W es1g 기준 SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 35 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
1PGSMB5953HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmb5953hr5g -
RFQ
 ECAD 7663 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1pgsmb5953 3 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 850 1 µa @ 114 v 150 v 600 옴
SS14L RTG Taiwan Semiconductor Corporation SS14L RTG -
RFQ
 ECAD 4305 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS14 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 1 a 400 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
MUR110S Taiwan Semiconductor Corporation MUR110 0.1092
RFQ
 ECAD 2475 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB MUR110 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 875 mv @ 1 a 25 ns 50 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
RS2DALH Taiwan Semiconductor Corporation rs2dalh 0.0795
RFQ
 ECAD 2638 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-rs2dalhtr 귀 99 8541.10.0080 28,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 V @ 2 a 150 ns 1 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 11pf @ 4V, 1MHz
SRT12HA1G Taiwan Semiconductor Corporation srt12ha1g -
RFQ
 ECAD 3636 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 T-18, 축, SRT12 Schottky TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 550 mV @ 1 a 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
BZD27C51P MHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C51P MHG -
RFQ
 ECAD 6268 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 39 v 51 v 60 옴
SR16100PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation SR16100PT C0G -
RFQ
 ECAD 3593 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 SR16100 Schottky TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 16A 900 mV @ 8 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
S1G-KR2G Taiwan Semiconductor Corporation S1G-KR2G -
RFQ
 ECAD 5931 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA S1G 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 짐 400 v 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 12pf @ 4V, 1MHz
SRS2090 MNG Taiwan Semiconductor Corporation SRS2090 MNG -
RFQ
 ECAD 8674 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SRS2090 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 90 v 20A 920 MV @ 10 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C
SS24L RHG Taiwan Semiconductor Corporation SS24L RHG -
RFQ
 ECAD 5444 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS24 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 2 a 400 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
SRT16 Taiwan Semiconductor Corporation SRT16 0.0592
RFQ
 ECAD 1959 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 T-18, 축, SRT16 Schottky TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 1 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
SS110LHRTG Taiwan Semiconductor Corporation SS110LHRTG -
RFQ
 ECAD 6145 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS110 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 800 mv @ 1 a 50 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
SS34ALH Taiwan Semiconductor Corporation SS34ALH 0.1338
RFQ
 ECAD 2447 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 SS34 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-SS34ALHTR 귀 99 8541.10.0080 14,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 590 mV @ 3 a 200 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 54pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다