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불연속 불연속 제품 (15635)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
puup10j	0.8800	RFQ	5	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	푸프	기준		TO-277A (SMPC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	6,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		2 v @ 10 a	26 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	-
S4D M6	-	RFQ	4898	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC		기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-s4dm6tr	귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		200 v		1.15 V @ 4 a	1.5 µs	10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	4a	60pf @ 4V, 1MHz
1SMB5948 R5G	-	RFQ	6503	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	1SMB5948		3 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	850							1 µa @ 69.2 v				91 v	200 옴
SR515	0.1954	RFQ	1613	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SR515	Schottky		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,250	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		1.05 V @ 5 a		100 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	-
1SMA5954H	0.0995	RFQ	7807	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	1SMA5954		1.5 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500							500 NA @ 121.6 v				160 v	700 옴
rs1jlhrfg	-	RFQ	4318	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	RS1J	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.3 v @ 800 ma	250 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	800ma	10pf @ 4V, 1MHz
SFAS804G	-	RFQ	1910	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SFAS804	기준		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		950 MV @ 8 a	35 ns	10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	80pf @ 4V, 1MHz
BZD17C15PH	0.2790	RFQ	1007	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZD17		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZD17C15PHTR	귀 99	8541.10.0050	10,000					1 v @ 200 ma		1 µa @ 11 v				15 v	10 옴
ES1D R3G	-	RFQ	9639	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AC, SMA	ES1D	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		950 MV @ 1 a	35 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	16pf @ 4V, 1MHz
TSF20L150C	1.9000	RFQ	998	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	TSF20	Schottky		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	150 v	10A	950 MV @ 10 a		100 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C
BZT52C6V2S RRG	-	RFQ	4831	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-90, SOD-323F	BZT52C		200 MW	SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1 V @ 10 ma		2.7 µa @ 4 v				6.2 v	10 옴
1T7G A0G	-	RFQ	7718	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	T-18, 축,	1T7G	기준		TS-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		1000 v		1 V @ 1 a		5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
BZD27C6V8PHRHG	-	RFQ	4616	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.88%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000					1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 3 v				6.8 v	3 옴
RB495D RFG	0.0912	RFQ	7204	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	RB495	Schottky		SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	25 v	350ma	550 mV @ 200 mA		70 µa @ 25 v	-40 ° C ~ 125 ° C
SFF1001G C0G	-	RFQ	1236	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	SFF1001	기준		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	50 v	10A (DC)	975 MV @ 5 a	35 ns	10 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C
S5D V7G	1.0800	RFQ	30	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	S5D	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850	짐		200 v		1.15 V @ 5 a	1.5 µs	10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	60pf @ 4V, 1MHz
BZX584B6V8 RSG	0.0639	RFQ	3528	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZX584		150 MW	SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	8,000					900 mV @ 10 ma		2 µa @ 4 v				6.8 v	15 옴
sf11g	-	RFQ	3436	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		기준		DO-204AL (DO-41)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-sf11gtr	귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		950 MV @ 1 a	35 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	20pf @ 4V, 1MHz
TSF10H120C	0.9390	RFQ	2294	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	TSF10	Schottky		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	120 v	5a	740 mV @ 5 a		100 µa @ 120 v	-55 ° C ~ 150 ° C
es2lgh	0.1309	RFQ	1051	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	ES2L	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 V @ 2 a	35 ns	10 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	20pf @ 4V, 1MHz
es2dvh	0.1470	RFQ	8618	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	ES2D	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		900 mV @ 2 a	20 ns	10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	25pf @ 4V, 1MHz
1N5254B A0G	-	RFQ	4606	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인	± 5%	100 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N5254		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000					1.1 v @ 200 ma		100 na @ 21 v				27 v	41 옴
SF12G R1G	-	RFQ	4686	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	SF12	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		950 MV @ 1 a	35 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	20pf @ 4V, 1MHz
SS215LW	0.4600	RFQ	11	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123W	SS215	Schottky		SOD-123W	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		950 MV @ 2 a		10 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
S1JH	0.3900	RFQ	15	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	S1J	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500	짐		600 v		1.1 v @ 1 a	1.5 µs	1 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	12pf @ 4V, 1MHz
BZD17C16P M2G	-	RFQ	9852	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.625%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD17		800MW	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 12 v				16 v	15 옴
FR205G B0G	-	RFQ	9019	대만 대만 회사	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	FR205	기준		DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.3 V @ 2 a	250 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	10pf @ 4V, 1MHz
BZX585B4V7 RSG	0.0476	RFQ	4775	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZX585B4		200 MW	SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	8,000							2.7 µa @ 2 v				4.7 v	80 옴
BZX85C18	0.0645	RFQ	9605	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	BZX85		1.3 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZX85C18TR	귀 99	8541.10.0050	5,000					1.2 v @ 10 ma		500 na @ 13 v				18 v	20 옴
BZD17C43P MQG	-	RFQ	7090	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.97%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD17		800MW	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 33 v				43 v	45 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (15635)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²