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불연속 불연속 제품 (15635)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
2M82Z A0G	-	RFQ	1125	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	2M82		2 w	DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,500								500 NA @ 62.2 v						82 v	100 옴
MBRF7100HC0G	-	RFQ	1966	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2	MBRF7100	Schottky		ITO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		920 MV @ 7.5 a		100 @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	7.5A	-
MBRS15100CT MNG	-	RFQ	9736	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRS15100	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	100 v	15a	920 MV @ 7.5 a		100 @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C
SS32 V7G	-	RFQ	7716	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	SS32	Schottky		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v				500 µa @ 20 v	-55 ° C ~ 125 ° C	3A	-
BZT52B15	0.0412	RFQ	9313	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123F	BZT52B		500MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZT52B15TR	귀 99	8541.10.0050	6,000						1 V @ 10 ma		45 NA @ 10.5 v						15 v	30 옴
1N4752G R0G	0.0627	RFQ	3454	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TA)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4752		1 W.	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000						1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 25.1 v						33 v	45 옴
1N4005G	0.0490	RFQ	6876	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4005	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000		짐		600 v		1 V @ 1 a		5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
BZX84C36	0.0511	RFQ	2563	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.56%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84		300MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZX84C36TR	귀 99	8541.10.0050	6,000						900 mV @ 10 ma		100 na @ 25.2 v						36 v	90 옴
AZ23C2V7	0.0786	RFQ	5844	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23C		300MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-AZ23C2V7TR	귀 99	8541.10.0050	3,000	1 양극 양극 공통													2.7 v	83 옴
MBRF10H200cth	0.7608	RFQ	8472	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	MBRF10	Schottky		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-mbrf10h200cth	귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	200 v	10A	970 MV @ 10 a		5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C
BZT52C15S	0.0504	RFQ	6030	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-90, SOD-323F	BZT52C		200 MW	SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZT52C15STR	귀 99	8541.10.0050	3,000						1 V @ 10 ma		45 NA @ 10.5 v						15 v	30 옴
MBRF2035HC0G	-	RFQ	6792	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2	MBRF2035	Schottky		ITO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		35 v		750 mV @ 20 a		200 µa @ 35 v	-55 ° C ~ 150 ° C	20A	-
HER154G A0G	-	RFQ	3637	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	HER154	기준		DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		300 v		1 V @ 1.5 a	50 ns	5 µa @ 300 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	35pf @ 4V, 1MHz
BZX85C3V6 A0G	-	RFQ	2424	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	BZX85		1.3 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						1.2 v @ 10 ma		20 µa @ 1 v						3.6 v	20 옴
KBU402G T0	-	RFQ	1958	대만 대만 회사	-	쟁반	sic에서 중단되었습니다		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, KBU	KBU402	기준		KBU	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	KBU402GT0	귀 99	8541.10.0080	500						1.1 v @ 4 a		5 µa @ 100 v		4 a		단일 단일	100 v
BZX584B13	0.0639	RFQ	7067	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZX584		150 MW	SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZX584B13TR	귀 99	8541.10.0050	104,000								100 na @ 8 v						13 v	30 옴
RSFKL RFG	-	RFQ	4551	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	RSFKL	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		800 v		1.3 v @ 500 ma	500 ns	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	500ma	4pf @ 4V, 1MHz
UG06CHA0G	-	RFQ	9044	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	T-18, 축,	UG06	기준		TS-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		950 MV @ 600 MA	15 ns	5 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C	600ma	9pf @ 4V, 1MHz
SS215ALH	0.1035	RFQ	5775	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-221ac, sma 플랫 리드	SS215	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-SS215ALHTR	귀 99	8541.10.0080	14,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		950 MV @ 2 a		10 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	48pf @ 4V, 1MHz
hs2gal	0.4600	RFQ	7	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-221ac, sma 플랫 리드	HS2G	기준		SMA	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 V @ 2 a	50 ns	1 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	25pf @ 4V, 1MHz
MBRF1645	-	RFQ	9511	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2		Schottky		ITO-220AC	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-MBRF1645	귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		45 v		630 mv @ 16 a		500 µa @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C	16A	-
SR220 A0G	0.1295	RFQ	4871	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	SR220	Schottky		DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		950 MV @ 2 a		100 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
SS33H	0.2248	RFQ	9366	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC		Schottky		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		30 v		500 mV @ 3 a		500 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 125 ° C	3A	-
RS1BL 깔개	0.1812	RFQ	7087	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	RS1B	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		1.3 v @ 800 ma	150 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	800ma	10pf @ 4V, 1MHz
1N4760A	0.1118	RFQ	4473	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4760		1 W.	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000								5 µa @ 51.7 v						68 v	150 옴
bzy55b5v6 Ryg	-	RFQ	3288	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	0805 (2012 5)	bzy55		500MW	0805	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000						1.5 v @ 10 ma		100 na @ 1 v						5.6 v	30 옴
TST30H200CW	2.8500	RFQ	1	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	TST30	Schottky		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		920 MV @ 15 a		150 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	15a	-
BZD27C51PHRQG	-	RFQ	9499	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.88%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000						1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 39 v						51 v	60 옴
BZX79B20 A0G	-	RFQ	5724	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	BZX79		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000						1.5 v @ 100 ma		14 MA @ 50 MV						20 v	55 옴
1N4006GA0	-	RFQ	5253	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4006	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,000		짐		800 v		1 V @ 1 a		5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (15635)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²