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불연속 불연속 제품 (15635)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
SFAF1601GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF1601GHC0G -
RFQ
 ECAD 5163 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SFAF1601 기준 ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 975 MV @ 16 a 35 ns 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 16A 130pf @ 4V, 1MHz
SF1605PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SF1605PTHC0G -
RFQ
 ECAD 7666 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 SF1605 기준 TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.3 V @ 8 a 35 ns 10 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 16A 85pf @ 4V, 1MHz
BZS55B13 RAG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B13 RAG -
RFQ
 ECAD 4563 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 1206 (3216 메트릭) BZS55 500MW 1206 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-BZS55B13RAGTR 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 10 ma 100 na @ 10 v 13 v 26 옴
TUAU8KH Taiwan Semiconductor Corporation tuau8kh 0.3453
RFQ
 ECAD 6197 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn tuau8 기준 smpc4.6u 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-tuau8khtr 귀 99 8541.10.0080 6,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.7 V @ 8 a 80 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 43pf @ 4v, 1MHz
BZT55B6V8 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B6V8 L1G -
RFQ
 ECAD 2629 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZT55 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1 V @ 10 ma 100 na @ 3 v 6.8 v 8 옴
1SMA4754H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4754H 0.0995
RFQ
 ECAD 2921 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA4754 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1 µa @ 29.7 v 39 v 60 옴
1SMA4759 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4759 R3G -
RFQ
 ECAD 8311 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA4759 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1 µa @ 47.1 v 62 v 125 옴
1PGSMB5940HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmb5940hr5g -
RFQ
 ECAD 5696 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1pgsmb5940 3 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 850 1 µa @ 32.7 v 43 v 53
BZT52C20-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C20-G 0.0445
RFQ
 ECAD 2001 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52C 350 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT52C20-GTR 귀 99 8541.10.0050 6,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 14 v 20 v 55 옴
BZX55C56 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C56 0.0305
RFQ
 ECAD 2173 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZX55C56TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 v @ 100 ma 100 na @ 42 v 56 v 135 옴
BC549B B1 Taiwan Semiconductor Corporation BC549B B1 -
RFQ
 ECAD 5417 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500MW To-92 다운로드 영향을받지 영향을받지 1801-BC549BB1 쓸모없는 1 30 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN - 200 @ 2mA, 5V -
BZT52C27K RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C27K RKG 0.0474
RFQ
 ECAD 4791 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZT52C 200 MW SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 21 v 27 v 80 옴
SF35G B0G Taiwan Semiconductor Corporation SF35G B0G -
RFQ
 ECAD 1191 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SF35 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.3 v @ 3 a 35 ns 5 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
1SMB5952 R5G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5952 R5G -
RFQ
 ECAD 3250 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1SMB5952 3 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 850 1 µa @ 98.8 v 130 v 450 옴
SS14LHRTG Taiwan Semiconductor Corporation SS14LHRTG -
RFQ
 ECAD 7628 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS14 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 1 a 400 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
1SMB5950H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5950H 0.1545
RFQ
 ECAD 6919 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1SMB5950 3 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 83.6 v 110 v 300 옴
PU3BAH Taiwan Semiconductor Corporation pu3bah 0.4800
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 930 MV @ 3 a 25 ns 2 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A 47pf @ 4V, 1MHz
TSM190N08CZ Taiwan Semiconductor Corporation TSM190N08CZ 5.2624
RFQ
 ECAD 6909 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 TSM190 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-TSM190N08CZ 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 75 v 17A (TA), 190a (TC) 10V 4.2MOHM @ 90A, 10V 4V @ 250µA 160 nc @ 10 v ± 20V 8600 pf @ 30 v - 2W (TA), 250W (TC)
SR209HA0G Taiwan Semiconductor Corporation sr209ha0g -
RFQ
 ECAD 6046 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 SR209 Schottky DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 850 mv @ 2 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
BZS55B2V7 RAG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B2V7 RAG -
RFQ
 ECAD 3394 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 1206 (3216 메트릭) BZS55 500MW 1206 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-BZS55B2V7RAGTR 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 10 ma 10 µa @ 1 v 2.7 v 85 옴
BZD27C27PHRTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C27PHRTG -
RFQ
 ECAD 2589 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 7.03% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 20 v 27 v 15 옴
MBRF1045HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1045HC0G -
RFQ
 ECAD 7800 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 MBRF104 Schottky ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 700 mV @ 10 a 100 µa @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
MTZJ5V1SB Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ5V1SB 0.0305
RFQ
 ECAD 5352 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 mtzj5 500MW DO-34 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-MTZJ5V1SBTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 5 µa @ 1.5 v 5.1 v 80 옴
TSM150NB04LCV Taiwan Semiconductor Corporation TSM150NB04LCV 0.5871
RFQ
 ECAD 9527 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn TSM150 MOSFET (금속 (() 8-PDFN (3.15x3.1) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-TSM150NB04LCVTR 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 40 v 8A (TA), 36A (TC) 4.5V, 10V 15mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 1013 pf @ 20 v - 1.9W (TA), 39W (TC)
TSSE3U45H Taiwan Semiconductor Corporation TSSE3U45H 0.7400
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123H TSSE3 Schottky SOD-123HE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 470 mV @ 3 a 1 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
BZS55B20 RAG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B20 래그 -
RFQ
 ECAD 9868 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 1206 (3216 메트릭) BZS55 500MW 1206 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-BZS55B20RAGTR 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 10 ma 100 na @ 15 v 20 v 55 옴
2M22ZHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M22ZHA0G -
RFQ
 ECAD 2034 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M22 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 500 NA @ 16.7 v 22 v 12 옴
S8GC V7G Taiwan Semiconductor Corporation S8GC V7G 0.9600
RFQ
 ECAD 594 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC S8GC 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 짐 400 v 985 MV @ 8 a 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 48pf @ 4V, 1MHz
1M130ZH Taiwan Semiconductor Corporation 1M130ZH 0.1188
RFQ
 ECAD 5471 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1M130 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 98.8 v 130 v 700 옴
S3AB M4G Taiwan Semiconductor Corporation S3AB M4G -
RFQ
 ECAD 2399 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB S3A 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 50 v 1.15 V @ 3 a 1.5 µs 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 40pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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