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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
US1A Taiwan Semiconductor Corporation US1A -
RFQ
ECAD 8768 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC (SMA) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-US1AT 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
BZT52B3V0-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B3V0-G 0.0461
RFQ
ECAD 5039 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52B 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT52B3V0-GTR 귀 99 8541.10.0050 6,000 900 mV @ 10 ma 10 µa @ 1 v 3 v 95 옴
SR109 A0G Taiwan Semiconductor Corporation SR109 A0G -
RFQ
ECAD 8948 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SR109 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 850 mv @ 1 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
1SMA4739 M2G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4739 M2G -
RFQ
ECAD 6427 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA4739 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 5 µa @ 7 v 9.1 v 5 옴
1SMA5932H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5932H 0.0995
RFQ
ECAD 5794 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA5932 1.5 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 500 NA @ 15.2 v 20 v 14 옴
BZD27C47PHRQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C47PHRQG -
RFQ
ECAD 3197 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.38% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 36 v 47 v 45 옴
MBR10100 Taiwan Semiconductor Corporation MBR10100 1.4900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 MBR1010 Schottky TO-220AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mv @ 10 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
BZV55C16 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C16 L0G 0.0333
RFQ
ECAD 7888 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55C 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 100 na @ 12 v 16 v 40
S2AA Taiwan Semiconductor Corporation S2AA 0.0920
RFQ
ECAD 5685 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC (SMA) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-S2Aatr 귀 99 8541.10.0080 7,500 50 v 1.1 v @ 1.5 a 1.5 µs 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 30pf @ 4V, 1MHz
MUR305S Taiwan Semiconductor Corporation MUR305 0.2139
RFQ
ECAD 7537 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC MUR305 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 25 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A -
RS1M R3G Taiwan Semiconductor Corporation Rs1m R3g 0.5000
RFQ
ECAD 15 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA Rs1m 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 v @ 1 a 500 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
SK55CHM6G Taiwan Semiconductor Corporation SK55CHM6G -
RFQ
ECAD 7621 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC SK55 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 750 mV @ 5 a 500 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
S12MC R6G Taiwan Semiconductor Corporation S12MC R6G -
RFQ
ECAD 5426 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-S12MCR6GTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 1000 v 1.1 v @ 12 a 1 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 12a 78pf @ 4V, 1MHz
ES3JBHR5G Taiwan Semiconductor Corporation es3jbhr5g 0.7900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB ES3J 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.45 V @ 3 a 35 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 34pf @ 4V, 1MHz
BZT52B56S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B56S RRG -
RFQ
ECAD 8777 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZT52B 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 10 ma 45 NA @ 39.2 v 56 v 200 옴
PU3BBH Taiwan Semiconductor Corporation pu3bbh 0.5300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB 기준 DO-214AA (SMB) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 930 MV @ 3 a 25 ns 2 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A 47pf @ 4V, 1MHz
BZV55C68 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C68 L0G 0.0333
RFQ
ECAD 2413 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55C 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 100 na @ 51 v 68 v 160 옴
BZT52C22S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C22S 0.0357
RFQ
ECAD 6043 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZT52C 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT52C22ST 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 45 NA @ 15.4 v 22 v 55 옴
BZD17C11P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C11P RFG -
RFQ
ECAD 9272 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 4 µa @ 8.2 v 11 v 7 옴
TSM3911DCX6 Taiwan Semiconductor Corporation TSM3911DCX6 0.6205
RFQ
ECAD 9638 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 TSM3911 MOSFET (금속 (() 1.15W (TA) SOT-26 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-TSM3911DCX6TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 20V 2.2A (TA) 140mohm @ 2.2a, 4.5v 0.95V @ 250µA 15.23NC @ 4.5V 882.51pf @ 6v 기준
SR1503 Taiwan Semiconductor Corporation SR1503 -
RFQ
ECAD 5890 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 R-6, 축, Schottky R-6 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SR1503TR 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 15 a 500 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 15a -
BZD17C36P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C36P RQG -
RFQ
ECAD 9302 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 27 v 36 v 40
GBPC2504 T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC2504 T0G -
RFQ
ECAD 2584 0.00000000 대만 대만 회사 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC GBPC2504 기준 GBPC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 12.5 a 5 µa @ 400 v 25 a 단일 단일 400 v
HS5G R6 Taiwan Semiconductor Corporation HS5G R6 -
RFQ
ECAD 9127 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-hs5gr6tr 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 5 a 50 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 80pf @ 4V, 1MHz
MTZJ36SA Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ36SA 0.0305
RFQ
ECAD 4177 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 mtzj36 500MW DO-34 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-mtzj36satr 귀 99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 27 v 32.97 v 75 옴
SK34B Taiwan Semiconductor Corporation SK34B 0.4200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB SK34 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 3 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
HS1FL RFG Taiwan Semiconductor Corporation HS1FL RFG -
RFQ
ECAD 4108 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab HS1F 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 950 MV @ 1 a 50 ns 5 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
MMSZ5254B Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5254B 0.0433
RFQ
ECAD 2105 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F MMSZ5254 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-MMSZ5254BTR 귀 99 8541.10.0050 6,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 21 v 27 v 41 옴
31DF6 B0G Taiwan Semiconductor Corporation 31df6 b0g -
RFQ
ECAD 5659 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 31df6 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 3 a 35 ns 20 µa @ 600 v -40 ° C ~ 150 ° C 3A -
BZD27C180P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C180P RFG -
RFQ
ECAD 2347 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.4% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 130 v 179.5 v 450 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고