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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
1T7GH Taiwan Semiconductor Corporation 1T7GH 0.0571
RFQ
ECAD 1631 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1T7G 기준 TS-1 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-1T7GHTR 귀 99 8541.10.0080 5,000 1000 v 1 V @ 1 a 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
MBRS1060CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1060CT 0.5559
RFQ
ECAD 8206 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS1060 Schottky TO-263AB (D2PAK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-MBRS1060CTTR 귀 99 8541.10.0080 1,600 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 10A 900 mV @ 10 a 100 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
TSSD20L45SW Taiwan Semiconductor Corporation TSSD20L45SW 0.8340
RFQ
ECAD 1864 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TSSD20 Schottky TO-252, (D-PAK) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-TSSD20L45SWTR 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 650 mV @ 20 a 100 µa @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C 20A 2600pf @ 4V, 1MHz
BZV55C4V3 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C4V3 L1G -
RFQ
ECAD 2572 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55C 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1 V @ 10 ma 1 µa @ 1 v 4.3 v 75 옴
2M110Z B0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M110Z B0G -
RFQ
ECAD 7083 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M110 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 500 NA @ 83.6 v 110 v 250 옴
BZD17C18P MTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C18P MTG -
RFQ
ECAD 4870 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.38% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 13 v 18 v 15 옴
BZT55B56 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B56 L1G -
RFQ
ECAD 6818 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZT55 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1 V @ 10 ma 100 na @ 42 v 56 v 135 옴
1SMB5944 R5G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5944 R5G -
RFQ
ECAD 1324 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1SMB5944 3 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 850 1 µa @ 47.1 v 62 v 100 옴
BZT55C9V1 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C9V1 L0G 0.0350
RFQ
ECAD 1786 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZT55 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 100 na @ 6.8 v 9.1 v 10 옴
SR20100PTH Taiwan Semiconductor Corporation SR20100pth -
RFQ
ECAD 8995 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-247-3 SR20100 기준 TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 20A 550 mV @ 10 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 125 ° C
MBRF20H100CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRF20H100CT 0.6433
RFQ
ECAD 6706 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MBRF20 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 20A 950 MV @ 20 a 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C
BZX585B10 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B10 RSG 0.0476
RFQ
ECAD 9306 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX585B1 200 MW SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 180 na @ 7 v 10 v 20 옴
S3AH Taiwan Semiconductor Corporation S3AH -
RFQ
ECAD 2865 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-S3AHTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 50 v 1.15 V @ 3 a 1.5 µs 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
BZD17C11P MQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C11P MQG -
RFQ
ECAD 8070 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 4 µa @ 8.2 v 11 v 7 옴
SS32HR7G Taiwan Semiconductor Corporation SS32HR7G -
RFQ
ECAD 9937 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC SS32 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 500 mV @ 3 a 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
BZT55B2V7 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B2V7 L1G -
RFQ
ECAD 6700 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZT55 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1 V @ 10 ma 10 µa @ 1 v 2.7 v 85 옴
TSZL52C24 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C24 RWG -
RFQ
ECAD 1191 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 1005 (2512 25) TSZL52 200 MW 1005 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 18 v 24 v 80 옴
SFT17GHR0G Taiwan Semiconductor Corporation SFT17GHR0G -
RFQ
ECAD 3002 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 T-18, 축, SFT17 기준 TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 500 v 1.7 V @ 1 a 35 ns 5 µa @ 500 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
BZY55C36 Taiwan Semiconductor Corporation bzy55c36 0.0350
RFQ
ECAD 8708 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 0805 (2012 5) bzy55 500MW 0805 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZY55C36TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 10 ma 100 na @ 27 v 36 v 80 옴
1PGSMB5936 Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmb5936 0.1689
RFQ
ECAD 1923 0.00000000 대만 대만 회사 1pgsmb59 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 3 w DO-214AA (SMB) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 22.8 v 30 v 26 옴
HER1007GH Taiwan Semiconductor Corporation HER1007GH 0.6029
RFQ
ECAD 5155 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 기준 TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-Her1007gh 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 800 v 10A 1.7 V @ 5 a 80 ns 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C
MMSZ5256B Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5256B 0.0433
RFQ
ECAD 7698 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F MMSZ5256 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-MMSZ5256BTR 귀 99 8541.10.0050 6,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 23 v 30 v 49 옴
MURF1640CTH Taiwan Semiconductor Corporation MURF1640CTH 0.7527
RFQ
ECAD 5429 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MURF1640 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-Murf1640cth 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 400 v 16A 1.3 V @ 8 a 50 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C
1SMA4752 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4752 0.0935
RFQ
ECAD 5198 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA4752 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1 µa @ 25.1 v 33 v 45 옴
1PGSMC5354 V7G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmc5354 v7g -
RFQ
ECAD 4833 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 w DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-1pgsmc5354v7gtr 귀 99 8541.10.0050 850 500 NA @ 12.9 v 17 v 3 옴
BZD27C27P MQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C27P MQG -
RFQ
ECAD 3610 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 7.03% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 20 v 27 v 15 옴
BZS55C16 Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C16 0.0340
RFQ
ECAD 7809 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 1206 (3216 메트릭) BZS55 500MW 1206 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZS55C16TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 10 ma 100 na @ 12 v 16 v 40
MTZJ18SA R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ18SA R0G 0.0305
RFQ
ECAD 8007 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 mtzj18 500MW DO-34 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 13 v 16.64 v 45 옴
BZD27C100PHRFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C100PHRFG -
RFQ
ECAD 9813 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 75 v 100 v 200 옴
HER3003PT Taiwan Semiconductor Corporation HER3003PT -
RFQ
ECAD 6722 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 TO-247AD (TO-3P) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-Her3003pt 귀 99 8541.10.0080 900 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 30A (DC) 1 V @ 15 a 50 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고