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DBLS106G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS106G C1G -
RFQ
ECAD 9954 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DBLS106 기준 DBLS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 1 a 2 µa @ 800 v 1 a 단일 단일 800 v
DBLS106GHC1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS106GHC1G -
RFQ
ECAD 7362 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DBLS106 기준 DBLS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 1 a 2 µa @ 800 v 1 a 단일 단일 800 v
DBLS107GHC1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS107GHC1G -
RFQ
ECAD 3233 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DBLS107 기준 DBLS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 1 a 2 µa @ 1000 v 1 a 단일 단일 1kv
DBLS151G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS151G C1G -
RFQ
ECAD 6632 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DBLS151 기준 DBLS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 1.5 a 2 µa @ 50 v 1.5 a 단일 단일 50 v
DBLS152G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS152G C1G -
RFQ
ECAD 2547 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DBLS152 기준 DBLS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 1.5 a 2 µa @ 100 v 1.5 a 단일 단일 100 v
DBLS155G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS155G C1G -
RFQ
ECAD 4793 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DBLS155 기준 DBLS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 1.5 a 2 µa @ 600 v 1.5 a 단일 단일 600 v
DBLS159G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS159G C1G -
RFQ
ECAD 2936 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DBLS159 기준 DBLS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.25 V @ 1.5 a 2 µa @ 1400 v 1.5 a 단일 단일 1.4kV
DBLS201G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS201G C1G -
RFQ
ECAD 4917 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DBLS201 기준 DBLS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.15 V @ 2 a 2 µa @ 50 v 2 a 단일 단일 50 v
DBLS203G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS203G C1G -
RFQ
ECAD 1604 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DBLS203 기준 DBLS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.15 V @ 2 a 2 µa @ 200 v 2 a 단일 단일 200 v
DBLS205G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS205G C1G -
RFQ
ECAD 9616 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DBLS205 기준 DBLS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.15 V @ 2 a 2 µa @ 600 v 2 a 단일 단일 600 v
GBL005 D2G Taiwan Semiconductor Corporation GBL005 D2G -
RFQ
ECAD 7572 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBL GBL005 기준 GBL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 1.1 v @ 4 a 5 µa @ 5 v 4 a 단일 단일 50 v
GBL06HD2G Taiwan Semiconductor Corporation GBL06HD2G -
RFQ
ECAD 7456 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBL GBL06 기준 GBL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 1.1 v @ 4 a 5 µa @ 600 v 4 a 단일 단일 600 v
GBL08HD2G Taiwan Semiconductor Corporation GBL08HD2G -
RFQ
ECAD 5113 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBL GBL08 기준 GBL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 1.1 v @ 4 a 5 µa @ 800 v 4 a 단일 단일 800 v
GBL202HD2G Taiwan Semiconductor Corporation GBL202HD2G -
RFQ
ECAD 2965 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBL GBL202 기준 GBL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 1 V @ 2 a 5 µa @ 100 v 2 a 단일 단일 100 v
GBLA005 D2G Taiwan Semiconductor Corporation GBLA005 D2G -
RFQ
ECAD 3232 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBL GBLA005 기준 GBL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 1 V @ 4 a 5 µa @ 50 v 4 a 단일 단일 50 v
GBLA005HD2G Taiwan Semiconductor Corporation GBLA005HD2G -
RFQ
ECAD 6808 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBL GBLA005 기준 GBL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 1 V @ 4 a 5 µa @ 50 v 4 a 단일 단일 50 v
GBLA04 Taiwan Semiconductor Corporation GBLA04 -
RFQ
ECAD 7650 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBL GBLA04 기준 GBL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 1 V @ 4 a 5 µa @ 400 v 4 a 단일 단일 400 v
GBLA10 Taiwan Semiconductor Corporation GBLA10 -
RFQ
ECAD 1876 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBL GBLA10 기준 GBL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 1 V @ 4 a 5 µa @ 1000 v 4 a 단일 단일 1kv
GBU1001HD2G Taiwan Semiconductor Corporation GBU1001HD2G -
RFQ
ECAD 1281 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU1001 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 20 1.1 v @ 10 a 5 µa @ 50 v 10 a 단일 단일 50 v
GBU1002 D2G Taiwan Semiconductor Corporation GBU1002 D2G -
RFQ
ECAD 4197 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU1002 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 20 1.1 v @ 10 a 5 µa @ 100 v 10 a 단일 단일 100 v
GBU1005H Taiwan Semiconductor Corporation GBU1005H -
RFQ
ECAD 7816 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU1005 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 20 1.1 v @ 10 a 5 µa @ 600 v 10 a 단일 단일 600 v
GBU15L05 Taiwan Semiconductor Corporation GBU15L05 2.7984
RFQ
ECAD 9944 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU15 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 20 900 MV @ 7.5 a 5 µa @ 600 v 15 a 단일 단일 600 v
GBU15L06 Taiwan Semiconductor Corporation GBU15L06 2.7984
RFQ
ECAD 8827 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU15 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 20 960 MV @ 7.5 a 5 µa @ 800 v 15 a 단일 단일 800 v
GBU401HD2G Taiwan Semiconductor Corporation GBU401HD2G -
RFQ
ECAD 6141 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU401 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 20 1.1 v @ 4 a 5 µa @ 50 v 4 a 단일 단일 50 v
GBU402HD2G Taiwan Semiconductor Corporation GBU402HD2G -
RFQ
ECAD 8504 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU402 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 20 1.1 v @ 4 a 5 µa @ 100 v 4 a 단일 단일 100 v
GBU407H Taiwan Semiconductor Corporation GBU407H 0.6044
RFQ
ECAD 5890 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU407 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 20 1.1 v @ 4 a 5 µa @ 1000 v 4 a 단일 단일 1kv
GBU601 D2G Taiwan Semiconductor Corporation GBU601 D2G -
RFQ
ECAD 8473 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU601 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 20 1.1 v @ 6 a 5 µa @ 50 v 6 a 단일 단일 50 v
GBU603 D2G Taiwan Semiconductor Corporation GBU603 D2G -
RFQ
ECAD 5669 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU603 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 20 1.1 v @ 6 a 5 µa @ 200 v 6 a 단일 단일 200 v
GBU603HD2G Taiwan Semiconductor Corporation GBU603HD2G -
RFQ
ECAD 1414 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU603 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 20 1.1 v @ 6 a 5 µa @ 200 v 6 a 단일 단일 200 v
GBU604HD2G Taiwan Semiconductor Corporation GBU604HD2G -
RFQ
ECAD 1395 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU604 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 20 1.1 v @ 6 a 5 µa @ 400 v 6 a 단일 단일 400 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고