SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
1PGSMB5939 Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmb5939 0.1689
RFQ
ECAD 1319 0.00000000 대만 대만 회사 1pgsmb59 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 3 w DO-214AA (SMB) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 29.7 v 39 v 45 옴
BZS55B33 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B33 RXG -
RFQ
ECAD 4283 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 1206 (3216 메트릭) BZS55 500MW 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 10 ma 100 na @ 24 v 33 v 80 옴
2M16ZH Taiwan Semiconductor Corporation 2M16ZH 0.1667
RFQ
ECAD 1660 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M16 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,500 500 NA @ 12.2 v 16 v 8 옴
1M130Z R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1M130Z R1G -
RFQ
ECAD 6949 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1M130 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 98.8 v 130 v 700 옴
BZD17C13P Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C13P 0.2625
RFQ
ECAD 5659 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.42% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZD17C13PTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 2 µa @ 10 v 13 v 10 옴
1N4728G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4728G 0.0633
RFQ
ECAD 5960 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4728 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-1N4728GTR 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 100 µa @ 1 v 3.3 v 10 옴
SS23L MTG Taiwan Semiconductor Corporation SS23L MTG -
RFQ
ECAD 9660 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS23 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 500 mV @ 2 a 400 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
BAT43X RSG Taiwan Semiconductor Corporation BAT43X RSG -
RFQ
ECAD 7850 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-79, SOD-523 BAT43 Schottky SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 8,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 1 v @ 200 ma 5 ns 500 na @ 25 v -55 ° C ~ 150 ° C 200ma 10pf @ 1v, 1MHz
1SMB5948H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5948H 0.1545
RFQ
ECAD 9579 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1SMB5948 3 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 69.2 v 91 v 200 옴
S1KAL Taiwan Semiconductor Corporation S1KAL 0.4200
RFQ
ECAD 7 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 S1K 기준 SMA - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 14,000 800 v 1.1 v @ 1 a 1 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
S3B R6G Taiwan Semiconductor Corporation S3B R6g -
RFQ
ECAD 1996 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-S3BR6GTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 100 v 1.15 V @ 3 a 1.5 µs 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
SS25L RHG Taiwan Semiconductor Corporation SS25L RHG -
RFQ
ECAD 9501 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS25 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 700 mv @ 2 a 400 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
BZS55B5V1 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B5V1 RXG -
RFQ
ECAD 2546 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 1206 (3216 메트릭) BZS55 500MW 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 10 ma 100 na @ 1 v 5.1 v 50 옴
BZD27C12P MQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C12P MQG -
RFQ
ECAD 1450 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.39% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 3 µa @ 9.1 v 12.05 v 7 옴
TSM180N03CS Taiwan Semiconductor Corporation TSM180N03C 0.4273
RFQ
ECAD 1155 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TSM180 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-TSM180N03CSTR 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 9A (TC) 4.5V, 10V 18mohm @ 8a, 10V 2V @ 250µA 4.1 NC @ 4.5 v ± 20V 345 pf @ 25 v - 2.5W (TC)
AZ23C3V0 RFG Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C3V0 RFG 0.0786
RFQ
ECAD 8855 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 3 v 95 옴
1SMB5946HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5946HR5G -
RFQ
ECAD 1844 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1SMB5946 3 w DO-214AA (SMB) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 850 1 µa @ 56 v 75 v 140 옴
SRT19 R0G Taiwan Semiconductor Corporation SRT19 R0G -
RFQ
ECAD 3720 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 T-18, 축, SRT19 Schottky TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 800 mv @ 1 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
1SMB5931 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5931 0.1453
RFQ
ECAD 9055 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1SMB5931 3 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 13.7 v 18 v 12 옴
SS310L R3G Taiwan Semiconductor Corporation SS310L R3G -
RFQ
ECAD 1186 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS310 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mV @ 3 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
BZX85C10 R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C10 R0G 0.0645
RFQ
ECAD 3626 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BZX85 1.3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 10 ma 500 NA @ 7.5 v 10 v 7 옴
UDZS16B Taiwan Semiconductor Corporation UDZS16B 0.0416
RFQ
ECAD 7045 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F UDZS16 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-udzs16btr 귀 99 8541.10.0050 6,000 45 na @ 12 v 16 v 40
MTZJ4V3SA Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ4V3SA 0.0308
RFQ
ECAD 7389 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 mtzj4 500MW DO-34 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-mtzj4v3satr 귀 99 8541.10.0050 10,000 5 µa @ 1 v 4.3 v 100 옴
SK52C Taiwan Semiconductor Corporation SK52C -
RFQ
ECAD 7161 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-sk52ctr 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 550 mV @ 5 a 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
SS215L RQG Taiwan Semiconductor Corporation SS215L RQG -
RFQ
ECAD 1327 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS215 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 2 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
S2AHR5G Taiwan Semiconductor Corporation S2AHR5G -
RFQ
ECAD 9150 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB S2A 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 50 v 1.15 V @ 2 a 1.5 µs 1 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 30pf @ 4V, 1MHz
SR109HR1G Taiwan Semiconductor Corporation sr109hr1g -
RFQ
ECAD 1348 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SR109 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 850 mv @ 1 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
SS210L MHG Taiwan Semiconductor Corporation SS210L MHG -
RFQ
ECAD 7849 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS210 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mv @ 2 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
BZT52C11S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C11S RRG -
RFQ
ECAD 8594 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZT52C 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 10 ma 90 na @ 8 v 11 v 20 옴
TSM4NB60CH X0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM4NB60CH X0G 0.9576
RFQ
ECAD 2750 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK TSM4NB60 MOSFET (금속 (() TO-251 (IPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 600 v 4A (TC) 10V 2A, 2A, 10V 2.5ohm 4.5V @ 250µA 14.5 nc @ 10 v ± 30V 500 pf @ 25 v - 50W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고