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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
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![]() | SF13G | - | ![]() | 5961 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 기준 | DO-204AL (DO-41) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1801-SF13GTR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 150 v | 950 MV @ 1 a | 35 ns | 5 µa @ 150 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 20pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||
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![]() | BZX79C9V1 A0G | - | ![]() | 5399 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | BZX79 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 v @ 100 ma | 500 na @ 6 v | 9.1 v | 15 옴 | ||||||||||||||||||||||
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![]() | TSM10N06CP ROG | - | ![]() | 9023 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252, (D-PAK) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 10A (TA) | 4V, 10V | 65mohm @ 10a, 10V | 3V @ 250µA | 10.5 nc @ 4.5 v | ± 20V | 1100 pf @ 30 v | - | 45W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | HER157G B0G | - | ![]() | 9682 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 대부분 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-15, 축 방향 | HER157 | 기준 | DO-204AC (DO-15) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 800 v | 1 V @ 1.5 a | 75 ns | 5 µa @ 800 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5A | 20pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||
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RSFALHRQG | - | ![]() | 5646 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | do-219ab | RSFAL | 기준 | SMA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 50 v | 1.3 v @ 500 ma | 150 ns | 5 µa @ 50 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 500ma | 4pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||
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SS16L MHG | - | ![]() | 8548 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | do-219ab | SS16 | Schottky | SMA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 60 v | 700 mv @ 1 a | 400 µa @ 60 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | SFAF1606G | - | ![]() | 2175 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 풀 -2 | 기준 | ITO-220AC | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1801-SFAF1606G | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 1.3 v @ 16 a | 35 ns | 10 µa @ 400 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 16A | 100pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | TSZL52C6V8-F0 RWG | - | ![]() | 5585 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | 1005 (2512 25) | 200 MW | 1005 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1801-TSZL52C6V8-F0RWGTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 3 v | 6.8 v | 8 옴 | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1pgsmc5354h | 0.3459 | ![]() | 6322 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | 자동차, AEC-Q101, 1PGSMC53 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | 1pgsmc | 5 w | DO-214AB (SMC) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 500 NA @ 12.9 v | 17 v | 3 옴 | |||||||||||||||||||||||
![]() | SR009H | - | ![]() | 7779 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1801-sr009htr | 귀 99 | 8541.10.0070 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 90 v | 850 mV @ 500 mA | 100 µa @ 90 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 500ma | 65pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | SK82C R6 | - | ![]() | 2934 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1801-SK82CR6TR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 20 v | 550 mV @ 8 a | 500 µa @ 20 v | -55 ° C ~ 125 ° C | 8a | - | |||||||||||||||||||||
![]() | FR154GHB0G | - | ![]() | 1306 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-15, 축 방향 | FR154 | 기준 | DO-204AC (DO-15) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 1.3 V @ 1.5 a | 150 ns | 5 µa @ 400 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5A | 20pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | TSP15H200S | 1.5900 | ![]() | 5307 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | TSP15 | Schottky | TO-277A (SMPC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 890 mV @ 15 a | 150 µa @ 200 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 15a | - | |||||||||||||||||||||
![]() | mtzj6v8sa r0g | 0.0305 | ![]() | 7294 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | do-204Ag, do-34, 축 방향 | mtzj6 | 500MW | DO-34 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 2 µa @ 3.5 v | 6.46 v | 20 옴 | |||||||||||||||||||||||
![]() | f1t3gh | - | ![]() | 6634 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | T-18, 축, | 기준 | TS-1 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1801-F1T3GHTR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 1.3 v @ 1 a | 150 ns | 5 µa @ 200 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||
S1J-KR2G | - | ![]() | 5712 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | S1J | 기준 | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 짐 | 600 v | 1.1 v @ 1 a | 1.5 µs | 1 µa @ 600 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 12pf @ 4V, 1MHz |
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