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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
BZD27C36PHR3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C36PHR3G -
RFQ
ECAD 6462 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 27 v 36 v 40
TSM650N15CR Taiwan Semiconductor Corporation TSM650N15CR 2.4192
RFQ
ECAD 5903 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn TSM650 MOSFET (금속 (() 8-PDFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-TSM650N15CRTR 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 150 v 4A (TA), 24A (TC) 6V, 10V 65mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA 36 nc @ 10 v ± 20V 1829 pf @ 75 v - 2.6W (TA), 96W (TC)
SF13G Taiwan Semiconductor Corporation SF13G -
RFQ
ECAD 5961 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-204AL (DO-41) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SF13GTR 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
1N4741G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4741G 0.0627
RFQ
ECAD 6673 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4741 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-1N4741GTR 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 8.4 v 11 v 8 옴
BZT52C2V4-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C2V4-G RHG 0.0445
RFQ
ECAD 3325 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52C 350 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 µa @ 1 v 2.4 v 100 옴
PU3DCH Taiwan Semiconductor Corporation pu3dch 0.6600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 930 MV @ 3 a 25 ns 2 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A 47pf @ 4V, 1MHz
1N4748G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4748G 0.0627
RFQ
ECAD 8372 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4748 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-1N4748GTR 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 16.7 v 22 v 23 옴
ZM4751A Taiwan Semiconductor Corporation ZM4751A 0.0830
RFQ
ECAD 5992 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AB, MELF ZM4751 1 W. 멜프 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-ZM4751AT 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 22.8 v 30 v 40
SFAF1607G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF1607G C0G -
RFQ
ECAD 6813 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SFAF1607 기준 ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 500 v 1.7 V @ 16 a 35 ns 10 µa @ 500 v -55 ° C ~ 150 ° C 16A 100pf @ 4V, 1MHz
BZD27C180PHRHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C180PHRHG -
RFQ
ECAD 8740 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.4% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 130 v 179.5 v 450 옴
BZX79C9V1 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C9V1 A0G -
RFQ
ECAD 5399 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 100 ma 500 na @ 6 v 9.1 v 15 옴
HERF1007GH Taiwan Semiconductor Corporation HERF1007GH 0.6029
RFQ
ECAD 2533 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-Herf1007gh 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 800 v 10A 1.7 V @ 5 a 80 ns 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C
BAT54AW Taiwan Semiconductor Corporation Bat54aw 0.0466
RFQ
ECAD 4497 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 Bat54 Schottky SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BAT54AWTR 귀 99 8541.10.0070 6,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 양극 양극 공통 30 v 200ma 1 v @ 100 ma 5 ns 2 µa @ 25 v 125 ° C
TSM10N06CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM10N06CP ROG -
RFQ
ECAD 9023 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 10A (TA) 4V, 10V 65mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 10.5 nc @ 4.5 v ± 20V 1100 pf @ 30 v - 45W (TC)
HER157G B0G Taiwan Semiconductor Corporation HER157G B0G -
RFQ
ECAD 9682 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 HER157 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1 V @ 1.5 a 75 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 20pf @ 4V, 1MHz
1N5401GH Taiwan Semiconductor Corporation 1N5401GH -
RFQ
ECAD 3078 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-1n5401GHTR 귀 99 8541.10.0080 1,250 100 v 1.1 v @ 3 a 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 25pf @ 4V, 1MHz
BZD27C150PHRUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C150PHRUG -
RFQ
ECAD 5903 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 110 v 147 v 300 옴
RSFALHRQG Taiwan Semiconductor Corporation RSFALHRQG -
RFQ
ECAD 5646 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RSFAL 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 v @ 500 ma 150 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4V, 1MHz
TSM900N06CW RPG Taiwan Semiconductor Corporation TSM900N06CW RPG 0.8900
RFQ
ECAD 5107 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA TSM900 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 11A (TC) 4.5V, 10V 90mohm @ 6a, 10V 2.5V @ 250µA 9.3 NC @ 10 v ± 20V 500 pf @ 15 v - 4.17W (TC)
SS16L MHG Taiwan Semiconductor Corporation SS16L MHG -
RFQ
ECAD 8548 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS16 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 1 a 400 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
SFAF1606G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF1606G -
RFQ
ECAD 2175 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 기준 ITO-220AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SFAF1606G 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 16 a 35 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 16A 100pf @ 4V, 1MHz
TSZL52C6V8-F0 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C6V8-F0 RWG -
RFQ
ECAD 5585 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 1005 (2512 25) 200 MW 1005 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-TSZL52C6V8-F0RWGTR 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 3 v 6.8 v 8 옴
1PGSMC5354H Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmc5354h 0.3459
RFQ
ECAD 6322 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101, 1PGSMC53 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 w DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 500 NA @ 12.9 v 17 v 3 옴
SR009H Taiwan Semiconductor Corporation SR009H -
RFQ
ECAD 7779 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 Schottky DO-204AL (DO-41) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-sr009htr 귀 99 8541.10.0070 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 850 mV @ 500 mA 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 65pf @ 4V, 1MHz
SK82C R6 Taiwan Semiconductor Corporation SK82C R6 -
RFQ
ECAD 2934 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SK82CR6TR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 550 mV @ 8 a 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 8a -
FR154GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation FR154GHB0G -
RFQ
ECAD 1306 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 FR154 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 1.5 a 150 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 20pf @ 4V, 1MHz
TSP15H200S Taiwan Semiconductor Corporation TSP15H200S 1.5900
RFQ
ECAD 5307 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn TSP15 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 890 mV @ 15 a 150 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 15a -
MTZJ6V8SA R0G Taiwan Semiconductor Corporation mtzj6v8sa r0g 0.0305
RFQ
ECAD 7294 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 mtzj6 500MW DO-34 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 2 µa @ 3.5 v 6.46 v 20 옴
F1T3GH Taiwan Semiconductor Corporation f1t3gh -
RFQ
ECAD 6634 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 T-18, 축, 기준 TS-1 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-F1T3GHTR 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
S1J-KR2G Taiwan Semiconductor Corporation S1J-KR2G -
RFQ
ECAD 5712 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA S1J 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 600 v 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 1 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 12pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고