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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
2M190ZH Taiwan Semiconductor Corporation 2M190ZH 0.1667
RFQ
ECAD 4484 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M190 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,500 500 NA @ 144.8 v 190 v 825 옴
2M30ZH Taiwan Semiconductor Corporation 2M30ZH 0.1667
RFQ
ECAD 7461 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M30 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,500 500 NA @ 22.8 v 30 v 20 옴
2M56Z Taiwan Semiconductor Corporation 2M56Z 0.1565
RFQ
ECAD 7279 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M56 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,500 500 NA @ 42.6 v 56 v 55 옴
2M91Z Taiwan Semiconductor Corporation 2M91Z 0.1565
RFQ
ECAD 3462 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M91 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,500 500 NA @ 69.2 v 91 v 125 옴
31DF6 Taiwan Semiconductor Corporation 31df6 0.3630
RFQ
ECAD 5588 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 31df6 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 3 a 35 ns 20 µa @ 600 v -40 ° C ~ 150 ° C 3A -
ABS6 Taiwan Semiconductor Corporation abs6 0.1599
RFQ
ECAD 3302 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 abs6 기준 ABS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 950 mV @ 400 mA 10 µa @ 600 v 800 MA 단일 단일 600 v
BZD17C120P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C120P RHG -
RFQ
ECAD 2220 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 91 v 120 v 300 옴
BZD27C18P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C18P RHG -
RFQ
ECAD 2803 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.4% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 13 v 17.95 v 15 옴
BZD27C220PHRHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C220PHRHG -
RFQ
ECAD 1718 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.66% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 160 v 220.5 v 900 옴
BZD27C22PHRHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C22PHRHG -
RFQ
ECAD 1943 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.66% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 16 v 22.05 v 15 옴
BZD27C36PHRHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C36PHRHG -
RFQ
ECAD 5047 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 27 v 36 v 40
BZD27C8V2P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C8V2P RHG -
RFQ
ECAD 8542 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 6.09% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 3 v 8.2 v 2 옴
EABS1DH Taiwan Semiconductor Corporation EABS1DH 0.3912
RFQ
ECAD 3953 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 EABS1 기준 ABS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 950 MV @ 1.5 a 1 µa @ 200 v 1 a 단일 단일 200 v
ABS10 Taiwan Semiconductor Corporation abs10 0.4800
RFQ
ECAD 8 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 abs10 기준 ABS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 950 mV @ 400 mA 10 µa @ 1000 v 1 a 단일 단일 1kv
ABS15M REG Taiwan Semiconductor Corporation ABS15M Reg 0.2700
RFQ
ECAD 6601 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 abs15 기준 ABS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 1 V @ 1.5 a 5 µa @ 1000 v 1.5 a 단일 단일 1kv
ABS6 REG Taiwan Semiconductor Corporation abs6 reg 0.9200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 abs6 기준 ABS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 950 mV @ 400 mA 10 µa @ 600 v 1 a 단일 단일 600 v
BZD27C24P RVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C24P RVG 0.2753
RFQ
ECAD 12 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 18 v 24.2 v 15 옴
BZD27C36P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C36P R3G 0.1600
RFQ
ECAD 6390 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 27 v 36 v 40
BZD27C43P Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C43P 0.4400
RFQ
ECAD 251 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 33 v 43 v 45 옴
BZD27C75P RVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C75P RVG 0.6900
RFQ
ECAD 793 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 56 v 74.5 v 100 옴
BZT52B10 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B10 RHG 0.2700
RFQ
ECAD 11 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52B 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 10 ma 180 na @ 7 v 10 v 20 옴
BZT52B2V4 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B2V4 RHG 0.2700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52B 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 10 ma 45 µa @ 1 v 2.4 v 100 옴
BZT52C10 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C10 RHG 0.2600
RFQ
ECAD 34 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52C 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 10 ma 180 na @ 7 v 10 v 20 옴
BZT52C15S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C15S RRG 0.3400
RFQ
ECAD 11 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZT52C 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 10 ma 45 NA @ 10.5 v 15 v 30 옴
LL4448 L1G Taiwan Semiconductor Corporation LL4448 L1G 0.2000
RFQ
ECAD 65 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 LL4448 기준 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 2,500 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 75 v 1 v @ 100 ma 54 ns 5 µa @ 75 v -65 ° C ~ 175 ° C 150ma 4pf @ 0V, 1MHz
MBS10 Taiwan Semiconductor Corporation MBS10 0.5200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4- 베스 외 (0.173 ", 4.40mm 너비) MBS10 기준 MBS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 1 V @ 1.5 a 5 µa @ 1000 v 800 MA 단일 단일 1kv
MBS6 Taiwan Semiconductor Corporation MBS6 0.5000
RFQ
ECAD 9 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4- 베스 외 (0.173 ", 4.40mm 너비) MBS6 기준 MBS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 1 V @ 2 a 5 µa @ 600 v 800 MA 단일 단일 600 v
RS1MLW Taiwan Semiconductor Corporation Rs1mlw 0.4200
RFQ
ECAD 6 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123W Rs1m 기준 SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 v @ 1 a 250 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
RS2DA R3G Taiwan Semiconductor Corporation RS2DA R3G -
RFQ
ECAD 7225 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA RS2D 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 V @ 1.5 a 150 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 50pf @ 4V, 1MHz
BZT52C3V6 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C3V6 RHG 0.0412
RFQ
ECAD 7321 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52C 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 10 ma 4.5 µa @ 1 v 3.6 v 90 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고