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불연속 불연속 제품 (15635)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
BAV103 Taiwan Semiconductor Corporation bav103 0.0357
RFQ
 ECAD 9232 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 bav103 기준 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-bav103tr 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 250 v 1 v @ 100 ma 100 na @ 200 v -65 ° C ~ 200 ° C 200ma 4pf @ 0V, 1MHz
BZD17C75P MQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C75P MQG -
RFQ
 ECAD 6127 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 56 v 75 v 100 옴
TSZU52C39 Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C39 0.0669
RFQ
 ECAD 2520 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 0603 (1608 메트릭) TSZU52 150 MW 0603 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-tszu52c39tr 귀 99 8541.10.0050 20,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 29 v 39 v 90 옴
1N5227B Taiwan Semiconductor Corporation 1N5227B 0.0277
RFQ
 ECAD 3605 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5227 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-1n5227Btr 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 200 ma 15 µa @ 1 v 3.6 v 24 옴
1PGSMA4758 Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsma4758 0.1086
RFQ
 ECAD 7030 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1pgsma4758 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 42.6 v 56 v 110 옴
SF13GH Taiwan Semiconductor Corporation SF13GH -
RFQ
 ECAD 9026 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-204AL (DO-41) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SF13GHTR 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
UG58G B0G Taiwan Semiconductor Corporation UG58G B0G -
RFQ
 ECAD 1094 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 UG58 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.1 V @ 5 a 20 ns 30 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
TSZU52C3V6 Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C3V6 0.0669
RFQ
 ECAD 8531 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 0603 (1608 메트릭) TSZU52 150 MW 0603 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-tszu52c3v6tr 귀 99 8541.10.0050 20,000 900 mV @ 10 ma 15 µa @ 1 v 3.6 v 95 옴
TSM60NB1R4CP Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB1R4CP 1.0363
RFQ
 ECAD 1126 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TSM60 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-TSM60NB1R4CPTR 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 600 v 3A (TC) 10V 1.4ohm @ 900ma, 10V 4V @ 250µA 7.12 NC @ 10 v ± 30V 257.3 pf @ 100 v - 28.4W (TC)
BZD27C220PHRQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C220PHRQG -
RFQ
 ECAD 6467 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.66% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 160 v 220.5 v 900 옴
MUR160A Taiwan Semiconductor Corporation MUR160A 0.1040
RFQ
 ECAD 2815 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 MUR160 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.25 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 27pf @ 4V, 1MHz
BZT55C5V6 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C5V6 L0G 0.0354
RFQ
 ECAD 6899 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZT55 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 100 na @ 1 v 5.6 v 25 옴
SR110 Taiwan Semiconductor Corporation SR110 0.0812
RFQ
 ECAD 7216 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SR110 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mv @ 1 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
1N4002G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4002G A0G 0.0706
RFQ
 ECAD 6733 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4002 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 100 v 1 V @ 1 a 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
SS26FSH Taiwan Semiconductor Corporation ss26fsh 0.1035
RFQ
 ECAD 1830 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 SS26 Schottky SOD-128 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-SS26FSHTR 귀 99 8541.10.0080 14,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 2 a 200 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 95pf @ 4V, 1MHz
SS210L RHG Taiwan Semiconductor Corporation SS210L RHG -
RFQ
 ECAD 7723 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS210 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mv @ 2 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
ES1CL RTG Taiwan Semiconductor Corporation ES1CL RTG -
RFQ
 ECAD 2896 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab ES1C 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 1v, 1MHz
RS1GLHR3G Taiwan Semiconductor Corporation rs1glhr3g 0.1932
RFQ
 ECAD 3844 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab Rs1g 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 800 ma 150 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 800ma 10pf @ 4V, 1MHz
1PGSMC5357 R6G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmc5357 r6g -
RFQ
 ECAD 3162 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 w DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-1PGSMC5357R6GTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 500 NA @ 15.2 v 20 v 3 옴
HER204GH Taiwan Semiconductor Corporation HER204GH 0.1329
RFQ
 ECAD 2763 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-her204GHtr 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1 V @ 2 a 50 ns 5 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 35pf @ 4V, 1MHz
BZS55C27 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C27 RXG 0.0340
RFQ
 ECAD 3944 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 1206 (3216 메트릭) BZS55 500MW 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 10 ma 100 na @ 20 v 27 v 80 옴
BZD27C43PHRQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C43PHRQG -
RFQ
 ECAD 1114 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.97% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 33 v 43 v 45 옴
BZT52B43-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B43-G RHG 0.0461
RFQ
 ECAD 5854 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52B 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 29.4 v 43 v 130 옴
SR1660PTH Taiwan Semiconductor Corporation sr1660pth -
RFQ
 ECAD 9094 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-247-3 SR1660 Schottky TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 16A 700 mv @ 8 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZS55C24 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C24 RXG 0.0340
RFQ
 ECAD 4294 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 1206 (3216 메트릭) BZS55 500MW 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 10 ma 100 na @ 18 v 24 v 80 옴
SSL32 R7 Taiwan Semiconductor Corporation SSL32 R7 -
RFQ
 ECAD 7453 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SSL32R7TR 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 410 MV @ 3 a 200 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
1N4730G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4730G 0.0627
RFQ
 ECAD 5061 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4730 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-1N4730GTR 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 50 µa @ 1 v 3.9 v 9 옴
BZX85C10 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C10 A0G -
RFQ
 ECAD 7721 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BZX85 1.3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 10 ma 500 NA @ 7.5 v 10 v 7 옴
UF1J R1G Taiwan Semiconductor Corporation UF1J R1G -
RFQ
 ECAD 5344 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 UF1J 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17pf @ 4V, 1MHz
SFT12GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation SFT12GHA0G -
RFQ
 ECAD 3376 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 T-18, 축, SFT12 기준 TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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