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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
ES2GAF-T Taiwan Semiconductor Corporation es2gaf-t 0.1258
RFQ
ECAD 2912 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 기준 smaf 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-ES2GAF-TTR 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.25 V @ 2 a 35 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 21pf @ 4V, 1MHz
PUUP8BH Taiwan Semiconductor Corporation puup8bh 0.8300
RFQ
ECAD 11 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn 기준 TO-277A (SMPC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-puup8bhtr 귀 99 8541.10.0080 6,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.05 V @ 8 a 25 ns 2 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 8a 96pf @ 4v, 1MHz
RS5K-T M6G Taiwan Semiconductor Corporation RS5K-T M6G 0.1407
RFQ
ECAD 8135 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC RS5K 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-RS5K-TM6GTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 V @ 5 a 500 ns 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 31pf @ 4V, 1MHz
SS35 R6 Taiwan Semiconductor Corporation SS35 R6 -
RFQ
ECAD 8063 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SS35R6TR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 750 mV @ 3 a 500 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
S1MLHRQG Taiwan Semiconductor Corporation S1MLHRQG -
RFQ
ECAD 1178 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab S1ML 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 1000 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
S1MF-T Taiwan Semiconductor Corporation S1MF-T 0.0890
RFQ
ECAD 7076 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 기준 smaf 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-S1MF-TTR 귀 99 8541.10.0080 7,500 1000 v 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 7pf @ 4V, 1MHz
SS210LWH Taiwan Semiconductor Corporation SS210LWH 0.0862
RFQ
ECAD 6101 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123W SS210 Schottky SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-SS210LWHTR 귀 99 8541.10.0080 20,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mv @ 2 a 20 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
HS3F R7 Taiwan Semiconductor Corporation HS3F R7 -
RFQ
ECAD 6475 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-HS3FR7TR 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1 V @ 3 a 50 ns 10 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 80pf @ 4V, 1MHz
BZY55B6V8 Taiwan Semiconductor Corporation bzy55b6v8 0.0413
RFQ
ECAD 6740 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 0805 (2012 5) bzy55 500MW 0805 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-Bzy55B6v8tr 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 10 ma 100 na @ 3 v 6.8 v 8 옴
BAV99W Taiwan Semiconductor Corporation bav99w 0.0298
RFQ
ECAD 5830 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 bav99 기준 SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-bav99wtr 귀 99 8541.10.0070 6,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 75 v 150ma 1.25 V @ 150 mA 4 ns 1 µa @ 75 v -55 ° C ~ 150 ° C
M3Z2V7C Taiwan Semiconductor Corporation M3Z2V7C 0.0294
RFQ
ECAD 3841 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F M3Z2 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-m3z2v7ctr 귀 99 8541.10.0050 6,000 100 µa @ 1 v 2.7 v 90 옴
BZD27C68PHRVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C68PHRVG -
RFQ
ECAD 6196 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 51 v 68 v 80 옴
1PGSMA4753 Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA4753 0.1086
RFQ
ECAD 4625 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1PGSMA4753 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 27.4 v 36 v 50 옴
S5G M6 Taiwan Semiconductor Corporation S5G M6 -
RFQ
ECAD 5096 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-S5GM6TR 귀 99 8541.10.0080 3,000 400 v 1.15 V @ 5 a 1.5 µs 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 60pf @ 4V, 1MHz
RSFJLHMQG Taiwan Semiconductor Corporation rsfjlhmqg -
RFQ
ECAD 8660 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RSFJL 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 v @ 500 ma 250 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4V, 1MHz
SRAF520 Taiwan Semiconductor Corporation SRAF520 -
RFQ
ECAD 4361 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 Schottky ITO-220AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SRAF520 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 550 mV @ 5 a 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 5a -
SGLWH Taiwan Semiconductor Corporation sglwh 0.0567
RFQ
ECAD 9953 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123W - 기준 SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-SGLWHTR 귀 99 8541.10.0080 20,000 400 v 1.1 v @ 800 ma 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 800ma 7pf @ 4V, 1MHz
SS115LHRHG Taiwan Semiconductor Corporation SS115LHRHG -
RFQ
ECAD 9416 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS115 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 900 mV @ 1 a 50 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
SFS1008GH Taiwan Semiconductor Corporation SFS1008GH 0.6560
RFQ
ECAD 7045 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SFS1008 기준 TO-263AB (D2PAK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-SFS1008GHTR 귀 99 8541.10.0080 1,600 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 600 v 10A 1.7 V @ 5 a 35 ns 1 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
SFF505GH Taiwan Semiconductor Corporation sff505gh 0.5900
RFQ
ECAD 5507 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 SFF505 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-SFF505GH 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 300 v 5a 1.3 V @ 2.5 a 35 ns 10 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C
HS3JH Taiwan Semiconductor Corporation HS3JH 0.2152
RFQ
ECAD 1857 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-HS3JHTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 3 a 75 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 50pf @ 4V, 1MHz
SSL33 R6G Taiwan Semiconductor Corporation SSL33 R6G -
RFQ
ECAD 6696 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SSL33R6GTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 410 MV @ 3 a 200 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
MBR1545CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBR1545CT-Y 0.4221
RFQ
ECAD 2403 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR1545 기준 TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-MBR1545CT-Y 귀 99 8541.10.0080 1,000 1 음극 음극 공통 45 v 15a 1.05 V @ 15 a 100 µa @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
RB500V-40 Taiwan Semiconductor Corporation RB500V-40 0.0375
RFQ
ECAD 2249 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F Schottky SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-RB500V-40TR 귀 99 8541.10.0070 18,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 450 mV @ 10 ma 1 µa @ 10 v -40 ° C ~ 125 ° C 100ma 6pf @ 10V, 1MHz
ES1GLWH Taiwan Semiconductor Corporation es1glwh 0.4200
RFQ
ECAD 5811 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123W 기준 SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 20,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 35 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
ESH1DM Taiwan Semiconductor Corporation ESH1DM 0.1047
RFQ
ECAD 9574 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 리드 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-esh1dmtr 귀 99 8541.10.0080 18,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.5 v @ 1 a 25 ns 1 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 3pf @ 4V, 1MHz
MBRF3080CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBRF3080CT-Y 0.7462
RFQ
ECAD 3297 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MBRF3080 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-MBRF3080CT-Y 귀 99 8541.10.0080 1,000 1 음극 음극 공통 80 v 30A 950 MV @ 30 a 200 µa @ 80 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZX585B36 RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B36 RKG -
RFQ
ECAD 8285 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX585B3 200 MW SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 45 NA @ 25.2 v 36 v 90 옴
BZD27C7V5P MTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C7V5P MTG -
RFQ
ECAD 2519 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 6.04% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 50 µa @ 3 v 7.45 v 2 옴
BZY55B4V7 Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55B4V7 0.0413
RFQ
ECAD 5029 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 0805 (2012 5) bzy55 500MW 0805 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZY55B4V7TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 10 ma 500 na @ 1 v 4.7 v 70 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고