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불연속 불연속 제품 (15635)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
BZX79C51 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C51 0.0333
RFQ
 ECAD 8890 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZX79C51TR 귀 99 8541.10.0050 20,000 1.5 v @ 100 ma 50 na @ 35.7 v 51 v 180 옴
S1BLHR3G Taiwan Semiconductor Corporation S1BLHR3G -
RFQ
 ECAD 3985 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab S1B 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 짐 100 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
MBR20H150CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBR20H150CTH 1.0596
RFQ
 ECAD 2496 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR20 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-MBR20H150CTH 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 20A 970 MV @ 20 a 5 µa @ 150 v -55 ° C ~ 175 ° C
ESH3C R7 Taiwan Semiconductor Corporation ESH3C R7 -
RFQ
 ECAD 1963 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-esh3cr7tr 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 900 mV @ 3 a 20 ns 5 µa @ 150 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
TSM250N02DCQ Taiwan Semiconductor Corporation TSM250N02DCQ 0.3925
RFQ
 ECAD 8097 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-vdfn d 패드 TSM250 MOSFET (금속 (() 620MW (TC) 6-TDFN (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1801-TSM250N02DCQTR 귀 99 8541.29.0095 12,000 2 n 채널 20V 5.8A (TC) 25mohm @ 4a, 4.5v 0.8V @ 250µA 11nc @ 4.5v 775pf @ 10V 기준
FR105GH Taiwan Semiconductor Corporation FR105GH 0.0626
RFQ
 ECAD 8553 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-FR105GHTR 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 v @ 1 a 250 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
MBR25150CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBR25150cth 1.3584
RFQ
 ECAD 7672 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR25150 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-mbr25150cth 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 25A 1.02 V @ 25 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
SS1H6LW Taiwan Semiconductor Corporation SS1H6LW 0.1011
RFQ
 ECAD 4706 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123W SS1H6 Schottky SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-SS1H6LWTR 귀 99 8541.10.0080 20,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 1 a 500 NA @ 60 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
1PGSMB5954 Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmb5954 0.1689
RFQ
 ECAD 7851 0.00000000 대만 대만 회사 1pgsmb59 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 3 w DO-214AA (SMB) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 121.6 v 160 v 700 옴
SR510H Taiwan Semiconductor Corporation SR510H 0.2021
RFQ
 ECAD 7060 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SR510 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mV @ 5 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
MBRS1045CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1045CT-Y 0.4428
RFQ
 ECAD 5442 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS1045 Schottky TO-263AB (D2PAK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-MBRS1045CT-YTR 귀 99 8541.10.0080 1,600 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 10A 800 mV @ 10 a 100 µa @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
RS1ALHRTG Taiwan Semiconductor Corporation rs1alhrtg -
RFQ
 ECAD 2525 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RS1A 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 v @ 800 ma 150 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 800ma 10pf @ 4V, 1MHz
MTZJ5V6SC Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ5V6SC 0.0305
RFQ
 ECAD 5074 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 mtzj5 500MW DO-34 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-MTZJ5V6SCTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 5 µa @ 2.5 v 5.6 v 60 옴
BZS55C6V2 Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C6V2 0.0340
RFQ
 ECAD 2188 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 1206 (3216 메트릭) BZS55 500MW 1206 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZS55C6V2TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 10 ma 100 na @ 2 v 6.2 v 10 옴
SFS1003G MNG Taiwan Semiconductor Corporation SFS1003G MNG -
RFQ
 ECAD 3118 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SFS1003 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 975 MV @ 5 a 35 ns 1 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A 70pf @ 4V, 1MHz
SSL32 R6 Taiwan Semiconductor Corporation SSL32 R6 -
RFQ
 ECAD 4134 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SSL32R6TR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 410 MV @ 3 a 200 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
BZY55B22 Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55B22 0.0491
RFQ
 ECAD 3655 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 0805 (2012 5) bzy55 500MW 0805 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZY55B22TR 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 10 ma 100 na @ 16 v 22 v 55 옴
1PGSMA4748 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsMA4748 R3g -
RFQ
 ECAD 1850 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1pgsma4748 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 16.7 v 22 v 23 옴
SS22L RQG Taiwan Semiconductor Corporation SS22L RQG -
RFQ
 ECAD 4979 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS22 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 500 mV @ 2 a 400 µa @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
BZT55C39 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C39 L1G -
RFQ
 ECAD 1938 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZT55 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1 V @ 10 ma 100 na @ 28 v 39 v 90 옴
BZD17C75P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C75P RFG -
RFQ
 ECAD 5704 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 56 v 75 v 100 옴
BZD17C39P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C39P RFG -
RFQ
 ECAD 8667 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 30 v 39 v 40
BZT52B16 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B16 0.0412
RFQ
 ECAD 9047 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52B 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT52B16TR 귀 99 8541.10.0050 6,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 11.2 v 16 v 40
HER1606PTH Taiwan Semiconductor Corporation HER1606pth 1.4388
RFQ
 ECAD 4321 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-Her1606pth 귀 99 8541.10.0080 900 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 600 v 16A 1.7 V @ 8 a 80 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
PUAD6BC Taiwan Semiconductor Corporation puad6bc 0.8300
RFQ
 ECAD 6708 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 기준 윈스 윈스 - 1 (무제한) 4,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 6A 950 MV @ 3 a 25 ns 2 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C
ES1BLHRVG Taiwan Semiconductor Corporation es1blhrvg -
RFQ
 ECAD 1885 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab ES1B 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
1N5221B Taiwan Semiconductor Corporation 1N5221B 0.0271
RFQ
 ECAD 6927 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5221 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-1n5221BTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 200 ma 100 µa @ 1 v 2.4 v 30 옴
HER307G B0G Taiwan Semiconductor Corporation HER307G B0G -
RFQ
 ECAD 6681 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 HER307 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.7 V @ 3 a 75 ns 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 35pf @ 4V, 1MHz
RS3M R7G Taiwan Semiconductor Corporation RS3M R7G -
RFQ
 ECAD 2460 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC RS3M 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 v @ 3 a 500 ns 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
BZV55C13 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C13 L1G -
RFQ
 ECAD 1359 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55C 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1 V @ 10 ma 100 na @ 10 v 13 v 26 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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