RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

불연속 불연속 제품 (15635)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
BZX85C6V2	0.0645	RFQ	2996	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	BZX85		1.3 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	1801-BZX85C6V2TR	귀 99	8541.10.0050	5,000																	1.2 v @ 10 ma		1 µa @ 3 v						6.2 v	4 옴
HERF1608GH	0.7608	RFQ	6593	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭		기준		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	1801-Herf1608gh	귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	1000 v	16A	1.7 V @ 8 a	80 ns	10 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C
GBPC4008	4.0753	RFQ	8861	대만 대만 회사	GBPC40	쟁반	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	4- 스퀘어, GBPC	GBPC4008	기준		GBPC	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	1801-GBPC4008	귀 99	8541.10.0080	200																	1.1 v @ 20 a		10 µa @ 800 v		40 a		단일 단일	800 v
ts10p06gh	1.0839	RFQ	8550	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, TS-6p	TS10	기준		TS-6P	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	1801-ts10p06gh	귀 99	8541.10.0080	1,200																	1.1 v @ 10 a		10 µa @ 800 v		10 a		단일 단일	800 v
BAT54AD-G	0.1224	RFQ	1762	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Bat54	Schottky		SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	1801-BAT54AD-GTR	귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도												2 양극 양극 공통	30 v	200ma	1 v @ 100 ma	5 ns	2 µa @ 25 v	-65 ° C ~ 150 ° C
M3Z5V6C	0.0294	RFQ	2027	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-90, SOD-323F	M3Z5		200 MW	SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	1801-m3z5v6ctr	귀 99	8541.10.0050	6,000																			1 µa @ 2 v						5.6 v	30 옴
GBPC4004	4.1148	RFQ	6390	대만 대만 회사	GBPC40	쟁반	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	4- 스퀘어, GBPC	GBPC4004	기준		GBPC	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	1801-GBPC4004	귀 99	8541.10.0080	200																	1.1 v @ 20 a		10 µa @ 400 v		40 a		단일 단일	400 v
FR304GH	0.1823	RFQ	8528	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향		기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	1801-fr304ghtr	귀 99	8541.10.0080	3,750		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													400 v		1.3 v @ 3 a	150 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	30pf @ 4V, 1MHz
TSZU52C10	0.0669	RFQ	1449	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	0603 (1608 메트릭)	TSZU52		150 MW	0603	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	1801-tszu52c10tr	귀 99	8541.10.0050	20,000																	900 mV @ 10 ma		100 na @ 7.5 v						10 v	15 옴
TSM60NC196CI	4.2719	RFQ	1888	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	TSM60	MOSFET (금속 (()		ITO-220	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	1801-TSM60NC196CI	귀 99	8541.29.0095	4,000			n 채널	600 v	20A (TC)	10V	196MOHM @ 9.5A, 10V	5V @ 1MA	39 NC @ 10 v	± 30V	1535 pf @ 300 v	-	70W (TC)
GBPC4008M	4.0753	RFQ	5786	대만 대만 회사	GBPC40	쟁반	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	4- 스퀘어, GBPC	GBPC4008	기준		GBPC	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	1801-GBPC4008M	귀 99	8541.10.0080	200																	1.1 v @ 20 a		10 µa @ 800 v		40 a		단일 단일	800 v
HS2DFL	0.0920	RFQ	1499	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F		기준		SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	1801-HS2DFLTR	귀 99	8541.10.0080	10,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													200 v		1 V @ 2 a	50 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	21pf @ 4V, 1MHz
BZT52C51-G	0.0424	RFQ	9440	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123F	BZT52C		500MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	1801-BZT52C51-GTR	귀 99	8541.10.0050	6,000																	1 V @ 10 ma		45 NA @ 35.7 v						51 v	180 옴
KBPF405G	0.6672	RFQ	7071	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, KBPF	KBPF405	기준		KBPF	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	1801-KBPF405G	귀 99	8541.10.0080	2,100																	1.1 v @ 2 a		5 µa @ 600 v		4 a		단일 단일	600 v
TSM70N900CI	2.3232	RFQ	4666	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	TSM70	MOSFET (금속 (()		ITO-220	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	1801-TSM70N900CI	귀 99	8541.29.0095	4,000			n 채널	700 v	4.5A (TC)	10V	900mohm @ 1.5a, 10V	4V @ 250µA	9.7 NC @ 10 v	± 30V	482 pf @ 100 v	-	20W (TC)
TS25PL05GH	4.6932	RFQ	7515	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, TS-6p	TS25	기준		TS-6P	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	1801-TS25PL05GH	귀 99	8541.10.0080	1,200																	920 MV @ 12.5 a		10 µa @ 600 v		25 a		단일 단일	600 v
BZS55C22	0.0340	RFQ	8454	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	1206 (3216 메트릭)	BZS55		500MW	1206	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	1801-BZS55C22TR	귀 99	8541.10.0050	10,000																	1.5 v @ 10 ma		100 na @ 16 v						22 v	55 옴
BZT52C3V3-G	0.0445	RFQ	3549	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52C		350 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	1801-BZT52C3V3-GTR	귀 99	8541.10.0050	6,000																	900 mV @ 10 ma		5 µa @ 1 v						3.3 v	95 옴
MMBD3004CC	0.0622	RFQ	8224	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBD3004	기준		SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	1801-MMBD3004CCR	귀 99	8541.10.0070	6,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													350 v		1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 240 v	-65 ° C ~ 150 ° C	225MA	5pf @ 1v, 1MHz
MBR20200CT-Y	0.5404	RFQ	7539	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBR20200	Schottky		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	1801-MBR20200CT-Y	귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	200 v	20A	700 mV @ 20 a		100 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C
tuau4kh	0.2319	RFQ	7545	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	tuau4	기준		smpc4.6u	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	1801-tuau4khtr	귀 99	8541.10.0080	6,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													800 v		1.9 v @ 4 a	75 ns	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	4a	33pf @ 4v, 1MHz
bzy55c2v7	0.0350	RFQ	4747	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	0805 (2012 5)	bzy55		500MW	0805	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	1801-BZY55C2V7TR	귀 99	8541.10.0050	10,000																	1.5 v @ 10 ma		10 µa @ 1 v						2.7 v	85 옴
MTZJ39SF	0.0305	RFQ	7975	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204Ag, do-34, 축 방향	mtzj39		500MW	DO-34	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	1801-MTZJ39SFTR	귀 99	8541.10.0050	10,000																			200 na @ 30 v						39.13 v	85 옴
BZT55B75	0.0385	RFQ	9953	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-80 변형			500MW	Qmmelf	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	1801-BZT55B75TR	귀 99	8541.10.0050	10,000																	1 V @ 10 ma		100 na @ 56 v						75 v	170 옴
TS6KL80	0.4998	RFQ	4488	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, KBJL	TS6KL80	기준		KBJL	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	1801-TS6KL80	귀 99	8541.10.0080	2,000																	1.05 V @ 3 a		5 µa @ 800 v		6 a		단일 단일	800 v
hdbl103gh	0.4257	RFQ	2163	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-DIP (0.300 ", 7.62mm)		기준		DBL	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	1801-HDBL103GH	귀 99	8541.10.0080	5,000																	1 V @ 1 a		5 µa @ 200 v		1 a		단일 단일	200 v
TSM300NB06LDCR	0.9850	RFQ	9547	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	TSM300	MOSFET (금속 (()	2W (TA), 40W (TC)	8-PDFNU (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	1801-TSM300NB06LDCRTR	귀 99	8541.29.0095	5,000	2 n 채널 (채널)			60V	5A (TA), 24A (TC)		30mohm @ 5a, 10V	2.5V @ 250µA	17nc @ 10V		966pf @ 30v	논리 논리 게이트
MBRS25100CT	0.8958	RFQ	6088	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRS25100	Schottky		TO-263AB (D2PAK)	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	1801-MBRS25100CTTR	귀 99	8541.10.0080	1,600		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	100 v	25A	920 MV @ 25 a		100 @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C
BZT55C6V2	0.0504	RFQ	1358	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-80 변형			500MW	Qmmelf	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	1801-BZT55C6V2TR	귀 99	8541.10.0050	5,000																	1 V @ 10 ma		100 na @ 2 v						6.2 v	10 옴
HDBLS105GH	0.4257	RFQ	5158	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개		기준		DBLS	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	1801-HDBLS105GHTR	귀 99	8541.10.0080	3,000																	1.7 V @ 1 a		5 µa @ 600 v		1 a		단일 단일	600 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (15635)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²