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DBLS103G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS103G C1G -
RFQ
ECAD 2840 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DBLS103 기준 DBLS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 1 a 2 µa @ 200 v 1 a 단일 단일 200 v
DBLS103GHC1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS103GHC1G -
RFQ
ECAD 4609 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DBLS103 기준 DBLS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 1 a 2 µa @ 200 v 1 a 단일 단일 200 v
DBLS104GHC1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS104GHC1G -
RFQ
ECAD 4157 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DBLS104 기준 DBLS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 1 a 2 µa @ 400 v 1 a 단일 단일 400 v
DBLS107G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS107G C1G -
RFQ
ECAD 7948 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DBLS107 기준 DBLS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 1 a 2 µa @ 1000 v 1 a 단일 단일 1kv
DBLS151GHC1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS151GHC1G -
RFQ
ECAD 6652 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DBLS151 기준 DBLS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 1.5 a 2 µa @ 50 v 1.5 a 단일 단일 50 v
DBLS152GHC1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS152GHC1G -
RFQ
ECAD 2808 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DBLS152 기준 DBLS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 1.5 a 2 µa @ 100 v 1.5 a 단일 단일 100 v
DBLS153GHC1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS153GHC1G -
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ECAD 1867 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DBLS153 기준 DBLS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 1.5 a 2 µa @ 200 v 1.5 a 단일 단일 200 v
DBLS154GHC1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS154GHC1G -
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ECAD 9935 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DBLS154 기준 DBLS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 1.5 a 2 µa @ 400 v 1.5 a 단일 단일 400 v
DBLS155GHC1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS155GHC1G -
RFQ
ECAD 2222 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DBLS155 기준 DBLS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 1.5 a 2 µa @ 600 v 1.5 a 단일 단일 600 v
DBLS157G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS157G C1G -
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ECAD 6263 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DBLS157 기준 DBLS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 1.5 a 2 µa @ 1000 v 1.5 a 단일 단일 1kv
DBLS158G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS158G C1G -
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ECAD 8138 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DBLS158 기준 DBLS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.25 V @ 1.5 a 2 µa @ 1200 v 1.5 a 단일 단일 1.2kV
DBLS158GHC1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS158GHC1G -
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ECAD 1509 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DBLS158 기준 DBLS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.25 V @ 1.5 a 2 µa @ 1200 v 1.5 a 단일 단일 1.2kV
DBLS159GHC1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS159GHC1G -
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ECAD 4381 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DBLS159 기준 DBLS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.25 V @ 1.5 a 2 µa @ 1400 v 1.5 a 단일 단일 1.4kV
DBLS201GHC1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS201GHC1G -
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ECAD 4113 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DBLS201 기준 DBLS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.15 V @ 2 a 2 µa @ 50 v 2 a 단일 단일 50 v
DBLS202G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS202G C1G -
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ECAD 2384 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DBLS202 기준 DBLS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.15 V @ 2 a 2 µa @ 100 v 2 a 단일 단일 100 v
DBLS202GHC1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS202GHC1G -
RFQ
ECAD 2508 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DBLS202 기준 DBLS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.15 V @ 2 a 2 µa @ 100 v 2 a 단일 단일 100 v
DBLS203GHC1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS203GHC1G -
RFQ
ECAD 9152 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DBLS203 기준 DBLS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.15 V @ 2 a 2 µa @ 200 v 2 a 단일 단일 200 v
DBLS204GHC1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS204GHC1G -
RFQ
ECAD 4424 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DBLS204 기준 DBLS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.15 V @ 2 a 2 µa @ 400 v 2 a 단일 단일 400 v
DBLS205GHC1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS205GHC1G -
RFQ
ECAD 1003 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DBLS205 기준 DBLS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.15 V @ 2 a 2 µa @ 600 v 2 a 단일 단일 600 v
DBLS206GHC1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS206GHC1G -
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ECAD 4583 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DBLS206 기준 DBLS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.15 V @ 2 a 2 µa @ 800 v 2 a 단일 단일 800 v
DBLS207G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS207G C1G -
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ECAD 6578 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DBLS207 기준 DBLS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.15 V @ 2 a 2 µa @ 1000 v 2 a 단일 단일 1kv
DBLS207GHC1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS207GHC1G -
RFQ
ECAD 4617 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DBLS207 기준 DBLS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.15 V @ 2 a 2 µa @ 1000 v 2 a 단일 단일 1kv
DBLS208G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS208G C1G -
RFQ
ECAD 7432 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DBLS208 기준 DBLS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.3 V @ 2 a 2 µa @ 1200 v 2 a 단일 단일 1.2kV
DBLS209G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS209G C1G -
RFQ
ECAD 1233 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DBLS209 기준 DBLS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.3 V @ 2 a 2 µa @ 1400 v 2 a 단일 단일 1.4kV
GBL01HD2G Taiwan Semiconductor Corporation GBL01HD2G -
RFQ
ECAD 4961 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBL GBL01 기준 GBL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 1.1 v @ 4 a 5 µa @ 100 v 4 a 단일 단일 100 v
GBL02HD2G Taiwan Semiconductor Corporation GBL02HD2G -
RFQ
ECAD 6210 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBL GBL02 기준 GBL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 1.1 v @ 4 a 5 µa @ 200 v 4 a 단일 단일 200 v
GBL04 Taiwan Semiconductor Corporation GBL04 0.5559
RFQ
ECAD 9495 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBL GBL04 기준 GBL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 1.1 v @ 4 a 5 µa @ 400 v 4 a 단일 단일 400 v
GBL10 Taiwan Semiconductor Corporation GBL10 1.2200
RFQ
ECAD 34 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBL GBL10 기준 GBL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 1.1 v @ 4 a 5 µa @ 1000 v 4 a 단일 단일 1kv
GBL203HD2G Taiwan Semiconductor Corporation GBL203HD2G -
RFQ
ECAD 7788 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBL GBL203 기준 GBL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 1 V @ 2 a 5 µa @ 200 v 2 a 단일 단일 200 v
GBL206 Taiwan Semiconductor Corporation GBL206 0.3734
RFQ
ECAD 1681 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBL GBL206 기준 GBL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 1 V @ 2 a 5 µa @ 800 v 2 a 단일 단일 800 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고