SIC
close

불연속 불연속 제품 (15635)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
MMSZ5229B Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5229B 0.0433
RFQ
 ECAD 3769 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F MMSZ5229 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-MMSZ5229BTR 귀 99 8541.10.0050 6,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 1 v 4.3 v 22 옴
BZX55C7V5 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C7V5 0.0287
RFQ
 ECAD 2193 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZX55C7V5TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 v @ 100 ma 100 na @ 5 v 7.5 v 7 옴
1N4007G R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4007G R1G -
RFQ
 ECAD 9255 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4007 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 짐 1000 v 1 V @ 1 a 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
S1GM RSG Taiwan Semiconductor Corporation S1GM RSG 0.1404
RFQ
 ECAD 5562 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 리드 S1G 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 400 v 1.1 v @ 1 a 780 ns 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 5pf @ 4V, 1MHz
HER1608PTH Taiwan Semiconductor Corporation HER1608pth 1.4690
RFQ
 ECAD 3279 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-Her1608pth 귀 99 8541.10.0080 900 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 1000 v 16A 1.7 V @ 8 a 80 ns 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C
1PGSMB5944H Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmb5944h 0.1798
RFQ
 ECAD 9767 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101, 1PGSMB59 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 3 w DO-214AA (SMB) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 47.1 v 62 v 100 옴
BZD27C11PHMTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C11PHMTG -
RFQ
 ECAD 4155 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 4 µa @ 8.2 v 11 v 7 옴
BZV55B4V3 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B4V3 L0G 0.0357
RFQ
 ECAD 4533 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55B 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 v @ 100 ma 1 µa @ 1 v 4.3 v 75 옴
2A07G Taiwan Semiconductor Corporation 2A07G 0.0712
RFQ
 ECAD 2363 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2A07 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 짐 1000 v 1 V @ 2 a 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 15pf @ 4V, 1MHz
TSM3N80CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM3N80CZ C0G -
RFQ
 ECAD 7386 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 TSM3N80 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 800 v 3A (TC) 10V 4.2ohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 30V 696 pf @ 25 v - 94W (TC)
SFT13GHA1G Taiwan Semiconductor Corporation sft13gha1g -
RFQ
 ECAD 1752 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 T-18, 축, SFT13 기준 TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
1N5401GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5401GHB0G -
RFQ
 ECAD 8789 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 1N5401 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 짐 100 v 1.1 v @ 3 a 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 25pf @ 4V, 1MHz
SRA1040 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA1040 C0G -
RFQ
 ECAD 8518 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-2 SRA1040 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 10 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 10A -
BC857C RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC857C RFG 0.0343
RFQ
 ECAD 4570 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC857 200 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 100NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 420 @ 2MA, 5V 100MHz
BZD27C47PHM2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C47PHM2G -
RFQ
 ECAD 2511 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.38% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 36 v 47 v 45 옴
RS1A Taiwan Semiconductor Corporation RS1A 0.0929
RFQ
 ECAD 5238 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC (SMA) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
SFS1002G MNG Taiwan Semiconductor Corporation SFS1002G MNG -
RFQ
 ECAD 6050 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SFS1002 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 975 MV @ 5 a 35 ns 1 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A 70pf @ 4V, 1MHz
MBRF2060 Taiwan Semiconductor Corporation MBRF2060 -
RFQ
 ECAD 9240 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 Schottky ITO-220AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-MBRF2060 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 820 MV @ 20 a 200 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 20A -
2M190ZHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M190ZHB0G -
RFQ
 ECAD 8303 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M190 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 500 NA @ 144.8 v 190 v 825 옴
SF28GH Taiwan Semiconductor Corporation sf28gh 0.1394
RFQ
 ECAD 9284 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 SF28 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 2 a 35 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 20pf @ 4V, 1MHz
S10JC R7 Taiwan Semiconductor Corporation S10JC R7 -
RFQ
 ECAD 8475 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-S10Jcr7tr 귀 99 8541.10.0080 850 짐 600 v 1.1 v @ 10 a 1 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A 60pf @ 4V, 1MHz
TSM3481CX6 Taiwan Semiconductor Corporation TSM3481CX6 0.4844
RFQ
 ECAD 3551 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 TSM3481 MOSFET (금속 (() SOT-26 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-tsm3481cx6tr 귀 99 8541.29.0095 12,000 p 채널 30 v 5.7A (TA) 4.5V, 10V 48mohm @ 5.3a, 10V 3V @ 250µA 18.09 NC @ 10 v ± 20V 1047.98 pf @ 15 v - 1.6W (TA)
TS10P05GHD2G Taiwan Semiconductor Corporation TS10P05GHD2G -
RFQ
 ECAD 1182 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, TS-6p TS10P05 기준 TS-6P 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 10 a 10 µa @ 600 v 10 a 단일 단일 600 v
S5KBH Taiwan Semiconductor Corporation S5KBH 0.1415
RFQ
 ECAD 7117 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB S5K 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 800 v 1.1 v @ 5 a 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 40pf @ 4V, 1MHz
BZV55C6V2 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C6V2 L1G -
RFQ
 ECAD 2409 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55C 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1 V @ 10 ma 100 na @ 2 v 6.2 v 10 옴
PU3JA Taiwan Semiconductor Corporation pu3ja 0.1323
RFQ
 ECAD 2516 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA pu3j 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-pu3jatr 귀 99 8541.10.0080 15,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 3 a 25 ns 2 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 31pf @ 4V, 1MHz
BC547C B1G Taiwan Semiconductor Corporation BC547C B1G -
RFQ
 ECAD 6052 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC547 500MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 5,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN - 420 @ 2MA, 5V -
KBU801G T0G Taiwan Semiconductor Corporation KBU801G T0G -
RFQ
 ECAD 3398 0.00000000 대만 대만 회사 - 쟁반 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBU 기준 KBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 KBU801GT0G 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 8 a 5 µa @ 50 v 8 a 단일 단일 50 v
2M75Z B0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M75Z B0G -
RFQ
 ECAD 7002 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M75 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 500 NA @ 56 v 75 v 90 옴
1N5819HA0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5819ha0g -
RFQ
 ECAD 6906 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5819 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 600 mV @ 1 a 1 ma @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A 55pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다