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불연속 불연속 제품 (15635)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
pu3ja	0.1323	RFQ	2516	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	pu3j	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-pu3jatr	귀 99	8541.10.0080	15,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													600 v		1.7 V @ 3 a	25 ns	2 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	31pf @ 4V, 1MHz
BC547C B1G	-	RFQ	6052	대만 대만 회사	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	BC547		500MW	To-92	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	5,000																							45 v	100 MA			15NA (ICBO)			NPN	-	420 @ 2MA, 5V	-
KBU801G T0G	-	RFQ	3398	대만 대만 회사	-	쟁반	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, KBU		기준		KBU	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	KBU801GT0G	귀 99	8541.10.0080	500																	1.1 v @ 8 a		5 µa @ 50 v		8 a				단일 단일	50 v
2M75Z B0G	-	RFQ	7002	대만 대만 회사	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	2M75		2 w	DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,000																			500 NA @ 56 v									75 v	90 옴
1N5819ha0g	-	RFQ	6906	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5819	Schottky		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													40 v		600 mV @ 1 a		1 ma @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	55pf @ 4V, 1MHz
TSM085NB03DCR RLG	2.2400	RFQ	5	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	TSM085	MOSFET (금속 (()	2W (TA), 40W (TC)	8-PDFNU (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널)			30V	12A (TA), 51A (TC)		8.5mohm @ 12a, 10V	2.5V @ 250µA	20NC @ 10V		1091pf @ 15V	논리 논리 게이트
S4A R6	-	RFQ	1020	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC		기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-s4ar6tr	귀 99	8541.10.0080	3,000		짐													50 v		1.15 V @ 4 a	1.5 µs	10 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	4a	60pf @ 4V, 1MHz
RS3BHR7G	-	RFQ	8364	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	RS3B	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		1.3 v @ 3 a	150 ns	10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
HS1DLW	0.0916	RFQ	4491	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123W		기준		SOD-123W	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-HS1DLWTR	귀 99	8541.10.0080	20,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													200 v		1 V @ 1 a	50 ns	1 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	16pf @ 4V, 1MHz
1SMA4761 R3G	-	RFQ	2113	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	1SMA4761		1.25 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,800																			1 µa @ 56 v									75 v	175 옴
MBD4448HAQW Reg	-	RFQ	7836	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363		기준		SOT-363	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-MBD4448HAQWRRGTH	귀 99	8541.10.0070	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												2 양극 양극 공통	57 v	250ma	1.25 V @ 150 mA	4 ns	100 na @ 70 v	-55 ° C ~ 150 ° C
KTC3198-Y-M0 A2G	-	RFQ	5263	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드			500MW	To-92	다운로드			영향을받지 영향을받지	1801-KTC3198-Y-M0A2GTB	쓸모없는		1																							50 v	150 MA			100NA (ICBO)			NPN	250mv @ 10ma, 100ma	120 @ 150ma, 6V	80MHz
SS310LHRVG	-	RFQ	7941	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	SS310	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		850 mV @ 3 a		100 @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
1N4763A	0.1118	RFQ	8683	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4763		1 W.	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000																			5 µa @ 69.2 v									91 v	250 옴
BZX585B16 RKG	-	RFQ	6219	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZX585B1		200 MW	SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																			45 NA @ 11.2 v									16 v	40
rs1klhmhg	-	RFQ	1064	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	RS1K	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													800 v		1.3 v @ 800 ma	500 ns	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	800ma	10pf @ 4V, 1MHz
S1BL 깔개	0.1605	RFQ	1865	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	S1B	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800		짐													100 v		1.1 v @ 1 a	1.8 µs	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	9pf @ 4V, 1MHz
pu2blwh	0.5000	RFQ	19	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123W		기준		SOD-123W	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		930 MV @ 2 a	25 ns	2 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	33pf @ 4v, 1MHz
M3Z3V9C	0.0294	RFQ	6597	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-90, SOD-323F	M3Z3		200 MW	SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-m3z3v9ctr	귀 99	8541.10.0050	6,000																			5 µa @ 1 v									3.9 v	85 옴
SF64G B0G	-	RFQ	1853	대만 대만 회사	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SF64	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													200 v		975 MV @ 6 a	35 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	6A	100pf @ 4V, 1MHz
SRAF520H	-	RFQ	3506	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2		Schottky		ITO-220AC	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-SRAF520H	귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													20 v		550 mV @ 5 a		500 µa @ 20 v	-55 ° C ~ 125 ° C	5a	-
TQM019NH04CR-V RLG	3.3893	RFQ	2041	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101, Perfet ™	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면, 마운트 측면	8-powertdfn		MOSFET (금속 (()		8-PDFNU (4.9x5.75)	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널	40 v	30A (TA), 100A (TC)	7V, 10V	1.9mohm @ 50a, 10V	3.6V @ 250µA	134 NC @ 10 v	± 20V	9044 pf @ 25 v	-	150W (TC)
rsfmlhrug	-	RFQ	3606	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	RSFML	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	1,800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													1000 v		1.3 v @ 500 ma	500 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	500ma	4pf @ 4V, 1MHz
SS22L RVG	0.6000	RFQ	3129	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	SS22	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													20 v		500 mV @ 2 a		400 µa @ 20 v	-55 ° C ~ 125 ° C	2A	-
UGS20JH	2.6400	RFQ	350	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		기준		to-263ab (d²pak)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-ugs20jhtr	귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													600 v		2 V @ 20 a	50 ns	1 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	20A	94.5pf @ 4V, 1MHz
MBRS20200CT-Y MNG	-	RFQ	7215	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRS20200	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	200 v	20A	990 MV @ 10 a		100 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C
SS15LHRFG	-	RFQ	3070	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	SS15	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													50 v		700 mv @ 1 a		400 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
BZT52C7V5-G	0.0445	RFQ	2081	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52C		350 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZT52C7V5-GTR	귀 99	8541.10.0050	6,000																	900 mV @ 10 ma		1 µa @ 5 v									7.5 v	15 옴
SF14GH	0.1003	RFQ	9383	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	SF14	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													200 v		950 MV @ 1 a	35 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	20pf @ 4V, 1MHz
1pgsmb5933 R5g	0.7000	RFQ	1	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	1pgsmb5933		3 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	850																			1 µa @ 16.7 v									22 v	17.5 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (15635)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²