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불연속 불연속 제품 (15635)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
TSM4N80CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM4N80CI C0G -
RFQ
 ECAD 3169 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 TSM4N80 MOSFET (금속 (() ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 800 v 4A (TC) 10V 3ohm @ 1.2a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 30V 955 pf @ 25 v - 38.7W (TC)
BZV55C36 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C36 0.0333
RFQ
 ECAD 1971 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55C 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZV55C36TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 100 na @ 27 v 36 v 80 옴
1N4764AHR1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4764AHR1G -
RFQ
 ECAD 6466 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4764 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 76 v 100 v 350 옴
RS1JFSH Taiwan Semiconductor Corporation rs1jfsh 0.0603
RFQ
 ECAD 9598 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 RS1J 기준 SOD-128 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 14,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 v @ 1 a 250 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 7pf @ 4V, 1MHz
SR802HB0G Taiwan Semiconductor Corporation SR802HB0G -
RFQ
 ECAD 6849 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SR802 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 550 mV @ 8 a 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 8a -
BZT55C18 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C18 0.0350
RFQ
 ECAD 1600 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-80 변형 500MW Qmmelf 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT55C18TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 100 na @ 13 v 18 v 50 옴
S1J-KR3G Taiwan Semiconductor Corporation S1J-KR3G -
RFQ
 ECAD 1601 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA S1J 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 짐 600 v 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 1 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 12pf @ 4V, 1MHz
SS13MH Taiwan Semiconductor Corporation SS13MH 0.0734
RFQ
 ECAD 7479 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 리드 SS13 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-SS13MHTR 귀 99 8541.10.0080 18,000 짐 30 v 550 mV @ 1 a 50 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 50pf @ 4V, 1MHz
MBR10200CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBR10200CT-Y 0.4221
RFQ
 ECAD 8316 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR10200 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-mbr10200ct-y 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 10A 700 mV @ 10 a 100 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
UF4004HA0G Taiwan Semiconductor Corporation UF4004ha0g -
RFQ
 ECAD 1731 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 UF4004 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17pf @ 4V, 1MHz
MBR6060PTH Taiwan Semiconductor Corporation MBR6060pth 2.7251
RFQ
 ECAD 3741 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 MBR6060 Schottky TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-mbr6060pth 귀 99 8541.10.0080 900 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 60a 930 MV @ 60 a 1 ma @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
HS2MFS Taiwan Semiconductor Corporation HS2MFS 0.4500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 HS2M 기준 SOD-128 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.7 V @ 2 a 75 ns 1 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 12pf @ 4V, 1MHz
ES2BALH Taiwan Semiconductor Corporation es2balh 0.1491
RFQ
 ECAD 5284 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-es2balhtr 귀 99 8541.10.0080 14,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 950 MV @ 2 a 35 ns 1 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 28pf @ 4V, 1MHz
PU1BM Taiwan Semiconductor Corporation pu1bm 0.1053
RFQ
 ECAD 3933 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 리드 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-pu1bmtr 귀 99 8541.10.0080 18,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.05 V @ 1 a 24 ns 1 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 18pf @ 4V, 1MHz
UG54GSH Taiwan Semiconductor Corporation UG54GSH 0.1785
RFQ
 ECAD 9073 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 UG54 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-ug54gshtr 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.1 v @ 5 a 20 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 5a 45pf @ 4V, 1MHz
F1T7GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation F1T7GHA0G -
RFQ
 ECAD 2414 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 T-18, 축, F1T7 기준 TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 v @ 1 a 500 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
SS13HR3G Taiwan Semiconductor Corporation SS13HR3G -
RFQ
 ECAD 2074 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA SS13 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 500 mV @ 1 a 200 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
SFT14G A1G Taiwan Semiconductor Corporation SFT14G A1G -
RFQ
 ECAD 4152 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 T-18, 축, SFT14 기준 TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
RSFGL Taiwan Semiconductor Corporation RSFGL 0.3800
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RSFGL 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 500 ma 150 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4V, 1MHz
SF2004PTH Taiwan Semiconductor Corporation SF2004pth 1.4150
RFQ
 ECAD 8303 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 SF2004 기준 TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.1 v @ 20 a 35 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 20A 175pf @ 4V, 1MHz
TSI10H200CW Taiwan Semiconductor Corporation TSI10H200CW -
RFQ
 ECAD 2144 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA TSI10 Schottky i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 5a 910 MV @ 5 a 100 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
SK215A Taiwan Semiconductor Corporation SK215A 0.4100
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SK215 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 2 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
SS210L MTG Taiwan Semiconductor Corporation SS210L MTG -
RFQ
 ECAD 5697 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS210 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mv @ 2 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
TSM05N03CW RPG Taiwan Semiconductor Corporation TSM05N03CW RPG 1.3200
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA TSM05 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 5A (TA) 4.5V, 10V 60mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 7 nc @ 5 v ± 20V 555 pf @ 15 v - 3W (TA)
MBRS1045CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1045CTH 0.5920
RFQ
 ECAD 6704 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS1045 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 10A 800 mV @ 10 a 100 µa @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
SR315HB0G Taiwan Semiconductor Corporation SR315HB0G -
RFQ
 ECAD 8922 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SR315 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 850 mV @ 3 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
1PGSMB5951 Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmb5951 0.1689
RFQ
 ECAD 7556 0.00000000 대만 대만 회사 1pgsmb59 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 3 w DO-214AA (SMB) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 91.2 v 120 v 360 옴
MMSZ5240B Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5240B 0.0433
RFQ
 ECAD 7101 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F MMSZ5240 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-MMSZ5240BTR 귀 99 8541.10.0050 6,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 8 v 10 v 17 옴
BZD27C30PHRVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C30PHRVG 0.1043
RFQ
 ECAD 9217 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.66% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 22 v 30 v 15 옴
SS26L RHG Taiwan Semiconductor Corporation SS26L RHG -
RFQ
 ECAD 5818 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS26 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 2 a 400 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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