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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
UF1MH Taiwan Semiconductor Corporation UF1MH 0.1044
RFQ
ECAD 7816 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 UF1M 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17pf @ 4V, 1MHz
1SMA4740HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4740HR3G -
RFQ
ECAD 6798 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA4740 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 5 µa @ 7.6 v 10 v 7 옴
SRF10100 Taiwan Semiconductor Corporation SRF10100 -
RFQ
ECAD 5735 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 SRF10100 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 10A 900 mV @ 5 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
M3Z11VC Taiwan Semiconductor Corporation M3Z11VC 0.0294
RFQ
ECAD 7397 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F M3Z11 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-M3Z11VCTR 귀 99 8541.10.0050 6,000 100 na @ 8 v 11 v 20 옴
BZD17C68P MQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C68P MQG -
RFQ
ECAD 4961 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 51 v 68 v 80 옴
HSJLWH Taiwan Semiconductor Corporation hsjlwh 0.0906
RFQ
ECAD 8013 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123W 기준 SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-HSJLWHTR 귀 99 8541.10.0080 20,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 800 MA 75 ns 1 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 800ma 5pf @ 4V, 1MHz
F1T4G Taiwan Semiconductor Corporation f1t4g 0.0679
RFQ
ECAD 4534 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 T-18, 축, F1T4 기준 TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
SF27GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation SF27GHB0G -
RFQ
ECAD 8138 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 SF27 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 500 v 1.7 V @ 2 a 35 ns 5 µa @ 500 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 20pf @ 4V, 1MHz
BZD17C27P MTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C27P MTG -
RFQ
ECAD 9808 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 7.03% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 20 v 27 v 15 옴
ZM4742A L0G Taiwan Semiconductor Corporation ZM4742A L0G 0.0830
RFQ
ECAD 7297 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AB, MELF ZM4742 1 W. 멜프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 9.1 v 12 v 9 옴
MUR360SBH Taiwan Semiconductor Corporation MUR360SBH 0.5900
RFQ
ECAD 6 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB MUR360 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.25 V @ 3 a 50 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A 40pf @ 4V, 1MHz
SS15H Taiwan Semiconductor Corporation SS15H -
RFQ
ECAD 7775 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA Schottky DO-214AC (SMA) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SS15HTR 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 750 mv @ 1 a 200 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
BC817-25W Taiwan Semiconductor Corporation BC817-25W 0.0350
RFQ
ECAD 2047 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC817 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BC817-25WTR 귀 99 8541.21.0075 6,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 100MHz
ES2HM4G Taiwan Semiconductor Corporation es2hm4g -
RFQ
ECAD 9994 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB ES2H 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 500 v 1.7 V @ 2 a 35 ns 10 µa @ 500 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 20pf @ 4V, 1MHz
SF43G B0G Taiwan Semiconductor Corporation SF43G B0G -
RFQ
ECAD 6487 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SF43 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 1 V @ 4 a 35 ns 5 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 4a 100pf @ 4V, 1MHz
SRA1660 Taiwan Semiconductor Corporation SRA1660 -
RFQ
ECAD 7430 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SRA1660 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mV @ 16 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 16A -
BZT52B4V7 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B4V7 0.0412
RFQ
ECAD 7798 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52B 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT52B4V7TR 귀 99 8541.10.0050 6,000 1 V @ 10 ma 2.7 µa @ 2 v 4.7 v 80 옴
SR210H Taiwan Semiconductor Corporation SR210H 0.1105
RFQ
ECAD 8514 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 SR210 Schottky DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mv @ 2 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
BA157GH Taiwan Semiconductor Corporation BA157GH 0.0583
RFQ
ECAD 8440 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BA157 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.2 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
BZT52B62 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B62 0.0453
RFQ
ECAD 7096 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52B 410 MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT52B62TR 귀 99 8541.10.0050 6,000 900 mV @ 10 ma 45 NA @ 43.4 v 62 v 215 옴
SSH210H Taiwan Semiconductor Corporation SSH210H 0.5600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,000 100 v 790 MV @ 2 a 1 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A -
BC338-40-B0 A1 Taiwan Semiconductor Corporation BC338-40-B0 A1 -
RFQ
ECAD 4614 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 625 MW To-92 - 영향을받지 영향을받지 1801-BC338-40-B0A1TB 쓸모없는 1 25 v 800 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 5V 100MHz
MMSZ5229B Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5229B 0.0433
RFQ
ECAD 3769 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F MMSZ5229 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-MMSZ5229BTR 귀 99 8541.10.0050 6,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 1 v 4.3 v 22 옴
BZX55C7V5 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C7V5 0.0287
RFQ
ECAD 2193 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZX55C7V5TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 v @ 100 ma 100 na @ 5 v 7.5 v 7 옴
1N4007G R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4007G R1G -
RFQ
ECAD 9255 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4007 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 1000 v 1 V @ 1 a 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
S1GM RSG Taiwan Semiconductor Corporation S1GM RSG 0.1404
RFQ
ECAD 5562 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 리드 S1G 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 400 v 1.1 v @ 1 a 780 ns 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 5pf @ 4V, 1MHz
HER1608PTH Taiwan Semiconductor Corporation HER1608pth 1.4690
RFQ
ECAD 3279 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-Her1608pth 귀 99 8541.10.0080 900 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 1000 v 16A 1.7 V @ 8 a 80 ns 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C
1PGSMB5944H Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmb5944h 0.1798
RFQ
ECAD 9767 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101, 1PGSMB59 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 3 w DO-214AA (SMB) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 47.1 v 62 v 100 옴
BZD27C11PHMTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C11PHMTG -
RFQ
ECAD 4155 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 4 µa @ 8.2 v 11 v 7 옴
BZV55B4V3 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B4V3 L0G 0.0357
RFQ
ECAD 4533 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55B 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 v @ 100 ma 1 µa @ 1 v 4.3 v 75 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고