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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
1PGSMA120Z Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsma120z 0.1086
RFQ
ECAD 7628 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1pgsma120 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 91.2 v 120 v 550 옴
TSPB15U100S Taiwan Semiconductor Corporation TSPB15U100 1.4100
RFQ
ECAD 22 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn TSPB15 Schottky smpc4.0 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 700 mV @ 15 a 250 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 15a -
SR109 R1G Taiwan Semiconductor Corporation SR109 R1G -
RFQ
ECAD 2249 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SR109 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 850 mv @ 1 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
HERF1607G Taiwan Semiconductor Corporation HERF1607G -
RFQ
ECAD 4544 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 HERF1607 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 800 v 16A 1.7 V @ 8 a 80 ns 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZD17C11P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C11P RQG -
RFQ
ECAD 8889 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 4 µa @ 8.2 v 11 v 7 옴
SSL13HR3G Taiwan Semiconductor Corporation SSL13HR3G -
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ECAD 8112 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA SSL13 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 390 mV @ 1 a 200 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
1PGSMA4755HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsma4755hr3g -
RFQ
ECAD 4618 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1PGSMA4755 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 32.7 v 43 v 70 옴
SF2006PTH Taiwan Semiconductor Corporation SF2006pth 1.4290
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ECAD 8317 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 SF2006 기준 TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.5 v @ 20 a 35 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 20A 175pf @ 4V, 1MHz
1SMA5951 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5951 0.0935
RFQ
ECAD 8707 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA5951 1.5 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 500 NA @ 91.2 v 120 v 360 옴
BZD27C130PHRTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C130PHRTG -
RFQ
ECAD 2421 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 100 v 132.5 v 300 옴
SS210L RVG Taiwan Semiconductor Corporation SS210L RVG 0.4100
RFQ
ECAD 11 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS210 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mv @ 2 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
BZV55C51 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C51 L1G 0.0499
RFQ
ECAD 9459 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55C 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1 V @ 10 ma 100 na @ 38 v 51 v 125 옴
ES1CLHMHG Taiwan Semiconductor Corporation es1clhmhg -
RFQ
ECAD 7164 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab ES1C 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
MBR20L100CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR20L100CTHC0G -
RFQ
ECAD 3873 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR20 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 20A 850 mv @ 20 a 20 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
ES3HM6G Taiwan Semiconductor Corporation es3hm6g -
RFQ
ECAD 4325 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC ES3H 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 500 v 1.7 V @ 3 a 35 ns 10 µa @ 500 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1MHz
S5MB Taiwan Semiconductor Corporation S5MB 0.1328
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ECAD 2068 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB S5M 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 1000 v 1.1 v @ 5 a 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 40pf @ 4V, 1MHz
SS36L RFG Taiwan Semiconductor Corporation SS36L RFG -
RFQ
ECAD 1752 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS36 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 750 mV @ 3 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
BZX585B15 RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B15 RKG -
RFQ
ECAD 8945 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX585B1 200 MW SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 45 NA @ 10.5 v 15 v 30 옴
S1DLHRQG Taiwan Semiconductor Corporation s1dlhrqg -
RFQ
ECAD 4177 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab S1D 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 200 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
TSC5802DCP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSC5802DCP ROG -
RFQ
ECAD 1747 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TSC5802 30 w TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 450 v 2.5 a 250µA NPN 3V @ 600MA, 2A 50 @ 100MA, 5V -
TS10P06GHD2G Taiwan Semiconductor Corporation TS10P06GHD2G -
RFQ
ECAD 7909 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, TS-6p TS10P06 기준 TS-6P 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 10 a 10 µa @ 1000 v 10 a 단일 단일 800 v
1PGSMC5354 M6G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmc5354 m6g -
RFQ
ECAD 5172 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 w DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-1pgsmc5354m6gtr 귀 99 8541.10.0050 3,000 500 NA @ 12.9 v 17 v 3 옴
BA158G A0G Taiwan Semiconductor Corporation BA158G A0G -
RFQ
ECAD 3923 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BA158 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.2 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
BZD27C9V1PHRTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C9V1PHRTG -
RFQ
ECAD 5739 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.07% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 5 v 9.05 v 4 옴
BZX85C3V3 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C3V3 A0G -
RFQ
ECAD 1303 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BZX85 1.3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 10 ma 40 µa @ 1 v 3.3 v 20 옴
2M36Z B0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M36Z B0G -
RFQ
ECAD 1517 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M36 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 500 NA @ 27.4 v 36 v 25 옴
TS6KL80 Taiwan Semiconductor Corporation TS6KL80 0.4998
RFQ
ECAD 4488 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBJL TS6KL80 기준 KBJL 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-TS6KL80 귀 99 8541.10.0080 2,000 1.05 V @ 3 a 5 µa @ 800 v 6 a 단일 단일 800 v
SFF1002GAHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFF1002GAHC0G -
RFQ
ECAD 9950 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 SFF1002 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 10A (DC) 975 MV @ 5 a 35 ns 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
S12GC M6 Taiwan Semiconductor Corporation S12GC M6 -
RFQ
ECAD 1797 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-S12GCM6TR 귀 99 8541.10.0080 3,000 400 v 1.1 v @ 12 a 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 12a 78pf @ 4V, 1MHz
BZD27C47PHRHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C47PHRHG -
RFQ
ECAD 2855 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.38% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 36 v 47 v 45 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고