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불연속 불연속 제품 (15635)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
S5J R6G Taiwan Semiconductor Corporation S5J R6g -
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 ECAD 6195 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-S5JR6GTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 600 v 1.15 V @ 5 a 1.5 µs 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 60pf @ 4V, 1MHz
SFA1007G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFA1007G C0G -
RFQ
 ECAD 2895 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SFA1007 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 500 v 1.7 V @ 10 a 35 ns 10 µa @ 500 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A 50pf @ 4V, 1MHz
M3Z36VC Taiwan Semiconductor Corporation M3Z36VC 0.0297
RFQ
 ECAD 1693 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F M3Z36 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-M3Z36VCTR 귀 99 8541.10.0050 6,000 100 na @ 27 v 36 v 80 옴
MBRS1060CT MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1060CT MNG -
RFQ
 ECAD 9303 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS1060 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 10A 900 mV @ 10 a 100 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
TSM70N900CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM70N900CH C5G 1.9051
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 ECAD 4344 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA TSM70 MOSFET (금속 (() TO-251 (IPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 700 v 4.5A (TC) 10V 900mohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250µA 9.7 NC @ 10 v ± 30V 482 pf @ 100 v - 50W (TC)
SF34G A0G Taiwan Semiconductor Corporation SF34G A0G 1.0300
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 ECAD 97 0.00000000 대만 대만 회사 - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SF34 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 3 a 35 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 80pf @ 4V, 1MHz
SRS2050HMNG Taiwan Semiconductor Corporation SRS2050HMNG -
RFQ
 ECAD 6502 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SRS2050 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 20A 700 mV @ 10 a 500 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
MUR190 B0G Taiwan Semiconductor Corporation MUR190 B0G -
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 ECAD 1088 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 MUR190 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 900 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 900 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
1PGSMC5363HR7G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmc5363hr7g -
RFQ
 ECAD 9772 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 w DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 850 500 NA @ 22.8 v 30 v 8 옴
S1G-JR2 Taiwan Semiconductor Corporation S1G-JR2 -
RFQ
 ECAD 3231 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC (SMA) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 짐 400 v 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 12pf @ 4V, 1MHz
BZD17C120P M2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C120P M2G -
RFQ
 ECAD 7720 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 91 v 120 v 300 옴
PU2JFS Taiwan Semiconductor Corporation pu2jfs 0.1119
RFQ
 ECAD 6418 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 pu2j 기준 SOD-128 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-pu2jfstr 귀 99 8541.10.0080 28,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.5 v @ 2 a 26 ns 2 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 22pf @ 4a, 1MHz
SR1202 R0G Taiwan Semiconductor Corporation SR1202 R0G -
RFQ
 ECAD 7292 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SR1202 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 550 mV @ 12 a 500 µa @ 20 v -50 ° C ~ 150 ° C 12a -
BZX585B5V1 RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B5V1 RKG -
RFQ
 ECAD 1899 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX585B5 200 MW SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.8 µa @ 2 v 5.1 v 60 옴
KTC3198-GR-M0 A2G Taiwan Semiconductor Corporation KTC3198-GR-M0 A2G -
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 ECAD 1916 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 500MW To-92 다운로드 영향을받지 영향을받지 1801-KTC3198-GR-M0A2GTB 쓸모없는 1 50 v 150 MA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 10ma, 100ma 200 @ 150ma, 6V 80MHz
S10JC R7G Taiwan Semiconductor Corporation S10JC R7G -
RFQ
 ECAD 7608 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC S10J 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.1 v @ 10 a 1 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A 60pf @ 4V, 1MHz
BZD17C27P M2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C27P M2G -
RFQ
 ECAD 8659 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 7.03% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 20 v 27 v 15 옴
BZX79C10 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C10 0.0287
RFQ
 ECAD 9765 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-bzx79c10tr 귀 99 8541.10.0050 20,000 1.5 v @ 100 ma 200 na @ 7 v 10 v 20 옴
SR002 A0G Taiwan Semiconductor Corporation SR002 A0G -
RFQ
 ECAD 7630 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SR002 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 550MV @ 500 MA 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 500ma 110pf @ 4V, 1MHz
MBR30150PT Taiwan Semiconductor Corporation MBR30150PT 1.8014
RFQ
 ECAD 9167 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 MBR30150 Schottky TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 30A 1.02 V @ 30 a 500 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
ES1FL MTG Taiwan Semiconductor Corporation es1fl mtg -
RFQ
 ECAD 3883 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab es1f 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.3 v @ 1 a 35 ns 5 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 8pf @ 1v, 1MHz
1N5398G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5398G A0G -
RFQ
 ECAD 3190 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 1N5398 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 짐 800 v 1 V @ 1.5 a 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 15pf @ 4V, 1MHz
SS36LWH Taiwan Semiconductor Corporation SS36LWH 0.5300
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123W SS36 Schottky SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 3 a 200 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
SS24LHM2G Taiwan Semiconductor Corporation SS24LHM2G -
RFQ
 ECAD 1107 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS24 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 2 a 400 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
SRS1620 MNG Taiwan Semiconductor Corporation SRS1620 MNG -
RFQ
 ECAD 3485 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SRS1620 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 20 v 16A 550 mV @ 8 a 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C
MBR1535CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR1535CT C0G -
RFQ
 ECAD 6803 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR1535 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 15a 840 mV @ 15 a 500 µa @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR1035 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR1035 C0G -
RFQ
 ECAD 7269 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 MBR1035 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 짐 35 v 700 mV @ 10 a 100 µa @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
MBRS1560CTHMNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1560CTHMNG -
RFQ
 ECAD 2399 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS1560 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 15a 750MV @ 7.5 a 100 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
SR1203 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SR1203 B0G -
RFQ
 ECAD 6444 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SR1203 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 12 a 500 µa @ 30 v -50 ° C ~ 150 ° C 12a -
TSM018NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM018NA03CR RLG 1.4100
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 ECAD 69 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn TSM018 MOSFET (금속 (() 8-PDFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 185A (TC) 4.5V, 10V 1.8mohm @ 29a, 10V 2.5V @ 250µA 56 NC @ 10 v ± 20V 3479 pf @ 15 v - 104W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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