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불연속 불연속 제품 (15635)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
BC807-16 RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC807-16 RFG 0.0342
RFQ
 ECAD 3766 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC807 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 500 MA 200NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1v 100MHz
SR009 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SR009 B0G -
RFQ
 ECAD 1437 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SR009 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 850 mV @ 500 mA 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 65pf @ 4V, 1MHz
BZX585B13 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B13 RSG 0.0476
RFQ
 ECAD 4151 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX585B1 200 MW SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 90 na @ 8 v 13 v 30 옴
S5MB Taiwan Semiconductor Corporation S5MB 0.1328
RFQ
 ECAD 2068 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB S5M 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 1000 v 1.1 v @ 5 a 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 40pf @ 4V, 1MHz
SFF502GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFF502GHC0G -
RFQ
 ECAD 3614 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 sff502 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 980 MV @ 2.5 a 35 ns 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 70pf @ 4V, 1MHz
BZD27C75PH Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C75PH 0.2933
RFQ
 ECAD 3205 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.04% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZD27C75PHTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 56 v 74.5 v 100 옴
MUR160AHR1G Taiwan Semiconductor Corporation MUR160AHR1G -
RFQ
 ECAD 2387 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 MUR160 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.25 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 27pf @ 4V, 1MHz
F1T5GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation F1T5GHA0G -
RFQ
 ECAD 1212 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 T-18, 축, F1T5 기준 TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 v @ 1 a 250 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
TS10K60HD3G Taiwan Semiconductor Corporation TS10K60HD3G -
RFQ
 ECAD 9760 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBL TS10K60 기준 TS4K 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 20 1.1 v @ 10 a 10 µa @ 600 v 10 a 단일 단일 600 v
S15GLWH Taiwan Semiconductor Corporation S15GLWH 0.0666
RFQ
 ECAD 3121 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123W 기준 SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-S15GLWHTR 귀 99 8541.10.0080 20,000 짐 400 v 1.1 v @ 1.5 a 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 1.5A 10pf @ 4V, 1MHz
SF2005GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SF2005GHC0G -
RFQ
 ECAD 2526 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 SF2005 기준 TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.3 V @ 10 a 35 ns 5 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 20A 80pf @ 4V, 1MHz
TSM6963SDCA RVG Taiwan Semiconductor Corporation TSM6963SDCA RVG 1.9300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) TSM6963 MOSFET (금속 (() 1.14W 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 4.5A (TC) 30mohm @ 4.5a, 4.5v 1V @ 250µA 20NC @ 4.5V 1500pf @ 10V -
S1DL RFG Taiwan Semiconductor Corporation S1DL RFG -
RFQ
 ECAD 4255 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab S1D 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 200 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
BZT52C51S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C51S 0.0554
RFQ
 ECAD 3754 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZT52C 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT52C51STR 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 10 ma 45 NA @ 35.7 v 51 v 180 옴
TSZU52C5V1 Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C5V1 0.0669
RFQ
 ECAD 8168 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 4.99% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 0603 (1608 메트릭) TSZU52 150 MW 0603 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-tszu52c5v1tr 귀 99 8541.10.0050 20,000 900 mV @ 10 ma 100 NA @ 800 MV 5.1 v 60 옴
TS20P03GH Taiwan Semiconductor Corporation TS20P03GH -
RFQ
 ECAD 3457 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, TS-6p 기준 TS-6P - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-TS20P03GH 귀 99 8541.10.0080 1,200 1.1 v @ 20 a 10 µa @ 200 v 20 a 단일 단일 200 v
TSA874CW RPG Taiwan Semiconductor Corporation TSA874CW RPG 0.2072
RFQ
 ECAD 9133 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA TSA874 1 W. SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 500 v 150 MA 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 10ma, 50ma 150 @ 10ma, 10V 50MHz
BZD27C27P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C27P RQG -
RFQ
 ECAD 8413 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 7.03% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 20 v 27 v 15 옴
S12GC M6G Taiwan Semiconductor Corporation S12GC M6G -
RFQ
 ECAD 5736 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC S12G 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 400 v 1.1 v @ 12 a 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 12a 78pf @ 4V, 1MHz
TSZL52C12-F0 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C12-F0 RWG -
RFQ
 ECAD 1390 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 1005 (2512 25) 200 MW 1005 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-TSZL52C12-F0RWGTR 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 9 v 12 v 20 옴
BZT52B6V8-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B6V8-G RHG 0.0461
RFQ
 ECAD 2141 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52B 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 4 v 6.8 v 15 옴
SS215L M2G Taiwan Semiconductor Corporation SS215L M2G -
RFQ
 ECAD 5030 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS215 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 2 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
BC858C RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC858C RFG 0.0343
RFQ
 ECAD 4999 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC858 200 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 100 MA 100NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 420 @ 2MA, 5V 100MHz
1N5407G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5407G 0.1366
RFQ
 ECAD 8886 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 1N5407 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,250 짐 800 v 1 V @ 3 a 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 25pf @ 4V, 1MHz
SS210L Taiwan Semiconductor Corporation SS210L 0.2888
RFQ
 ECAD 1215 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 SS210 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-SS210LTR 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mv @ 2 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
SS115LHMTG Taiwan Semiconductor Corporation SS115LHMTG -
RFQ
 ECAD 4623 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS115 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 900 mV @ 1 a 50 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
S5GBH Taiwan Semiconductor Corporation S5GBH 0.1415
RFQ
 ECAD 5441 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB S5G 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 400 v 1.1 v @ 5 a 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 40pf @ 4V, 1MHz
BZT55C3V6 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C3V6 0.0494
RFQ
 ECAD 7876 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-80 변형 500MW Qmmelf 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT55C3V6TR 귀 99 8541.10.0050 2,500 1 V @ 10 ma 2 µa @ 1 v 3.6 v 85 옴
TSSA3U45 R3G Taiwan Semiconductor Corporation TSSA3U45 R3G 0.6700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA TSSA3 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 480 mV @ 3 a 500 µa @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
BA159GHR1G Taiwan Semiconductor Corporation BA159GHR1G -
RFQ
 ECAD 4465 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BA159 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.2 v @ 1 a 250 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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