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불연속 불연속 제품 (15635)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
SF14GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation SF14GHA0G -
RFQ
 ECAD 6940 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SF14 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
F1T4G Taiwan Semiconductor Corporation f1t4g 0.0679
RFQ
 ECAD 4534 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 T-18, 축, F1T4 기준 TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
SS22LH Taiwan Semiconductor Corporation SS22LH 0.3210
RFQ
 ECAD 8147 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 SS22 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-SS22LHTR 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 500 mV @ 2 a 400 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 2A -
TSS40L RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSS40L RWG -
RFQ
 ECAD 8138 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 1005 (2512 25) TSS40 Schottky 1005 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 4,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 1 v @ 40 ma 5 ns 200 na @ 30 v -65 ° C ~ 125 ° C 200ma 5pf @ 0V, 1MHz
SF801G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SF801G C0G -
RFQ
 ECAD 2838 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 SF801 기준 TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 975 MV @ 8 a 35 ns 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 70pf @ 4V, 1MHz
1N5406GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5406GHB0G -
RFQ
 ECAD 1573 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 1N5406 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 짐 600 v 1 V @ 3 a 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 25pf @ 4V, 1MHz
SK510C M6G Taiwan Semiconductor Corporation SK510C M6G -
RFQ
 ECAD 4612 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC SK510 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mV @ 5 a 300 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
MBRS20H150CT MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS20H150CT MNG -
RFQ
 ECAD 1500 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS20 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 20A 970 MV @ 2 a 5 µa @ 150 v -55 ° C ~ 175 ° C
SR106HB0G Taiwan Semiconductor Corporation SR106HB0G -
RFQ
 ECAD 2831 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SR106 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 1 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
RS1B M2G Taiwan Semiconductor Corporation RS1B M2G -
RFQ
 ECAD 4224 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA RS1B 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
GPAS1005 Taiwan Semiconductor Corporation GPAS1005 0.5148
RFQ
 ECAD 6127 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB GPAS1005 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 짐 600 v 1.1 v @ 10 a 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A 50pf @ 4V, 1MHz
MUR190AHB0G Taiwan Semiconductor Corporation MUR190AHB0G -
RFQ
 ECAD 8189 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 MUR190 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 900 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 900 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
SS220LWH Taiwan Semiconductor Corporation SS220LWH 0.0948
RFQ
 ECAD 5251 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123W SS220 Schottky SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 2 a 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
SFAF507GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF507GHC0G -
RFQ
 ECAD 3818 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SFAF507 기준 ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 500 v 1.7 V @ 8 a 35 ns 10 µa @ 500 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 70pf @ 4V, 1MHz
FR203G A0G Taiwan Semiconductor Corporation FR203G A0G -
RFQ
 ECAD 2851 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 FR203 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 V @ 2 a 150 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 10pf @ 4V, 1MHz
SS1H4LSH Taiwan Semiconductor Corporation ss1h4lsh 0.1224
RFQ
 ECAD 2387 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123H SS1H4 Schottky SOD-123HE 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-SS1H4LSHTR 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 650 mV @ 1 a 1 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
ES2FA R3G Taiwan Semiconductor Corporation ES2FA R3G 0.6600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA ES2F 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.3 V @ 2 a 35 ns 10 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 20pf @ 4V, 1MHz
MBRF20150CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRF20150CT 1.3600
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MBRF20150 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 20A 1.05 V @ 20 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
ES3FBHR5G Taiwan Semiconductor Corporation es3fbhr5g -
RFQ
 ECAD 2865 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB es3f 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.13 V @ 3 a 35 ns 10 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 41pf @ 4v, 1MHz
MUR115SHR5G Taiwan Semiconductor Corporation MUR115SHR5G -
RFQ
 ECAD 8001 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB mur115 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 875 mv @ 1 a 25 ns 2 µa @ 150 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
SRAF1020 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF1020 C0G -
RFQ
 ECAD 8228 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SRAF1020 Schottky ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 550 mV @ 10 a 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 10A -
RYBS30M M2G Taiwan Semiconductor Corporation RYBS30M M2G 0.9700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 리드 RYBS30 기준 YBS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 1.3 v @ 3 a 5 µa @ 1000 v 3 a 단일 단일 1kv
SK34AH Taiwan Semiconductor Corporation SK34AH 0.4700
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SK34 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 3 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
SS15LHRUG Taiwan Semiconductor Corporation SS15LHRUG -
RFQ
 ECAD 1239 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS15 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 700 mv @ 1 a 400 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
MBR30L100CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR30L100CTHC0G -
RFQ
 ECAD 4986 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR30 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 30A 770 mV @ 15 a 500 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZV55B43 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B43 L1G -
RFQ
 ECAD 3312 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55B 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1 v @ 100 ma 100 na @ 32 v 43 v 90 옴
RSFJL RTG Taiwan Semiconductor Corporation RSFJL RTG -
RFQ
 ECAD 9483 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RSFJL 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 v @ 500 ma 250 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4V, 1MHz
BZD27C15P RVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C15P RVG 0.3800
RFQ
 ECAD 562 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 11 v 14.7 v 10 옴
SFF1007GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFF1007GHC0G -
RFQ
 ECAD 5520 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 SFF1007 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 500 v 10A (DC) 1.7 V @ 5 a 35 ns 10 µa @ 500 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF1060HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1060HC0G -
RFQ
 ECAD 4044 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 MBRF106 Schottky ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 800 mV @ 10 a 100 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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