SIC
close

불연속 불연속 제품 (15635)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
HER156G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HER156G A0G -
RFQ
 ECAD 1850 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 HER156 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1 V @ 1.5 a 75 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 20pf @ 4V, 1MHz
BC338-25-B0 B1G Taiwan Semiconductor Corporation BC338-25-B0 B1G -
RFQ
 ECAD 1839 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW To-92 다운로드 영향을받지 영향을받지 1801-BC338-25-B0B1G 쓸모없는 1 25 v 800 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 5V 100MHz
MBR15150CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBR15150CT-Y 0.4530
RFQ
 ECAD 5852 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR15150 기준 TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-MBR15150CT-Y 귀 99 8541.10.0080 1,000 짐 1 음극 음극 공통 150 v 15a 1.05 V @ 15 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZD17C100P MHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C100P MHG -
RFQ
 ECAD 5744 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 75 v 100 v 200 옴
BZD27C27PHRHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C27PHRHG -
RFQ
 ECAD 4997 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 7.03% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 20 v 27 v 15 옴
RB500V-40 RRG Taiwan Semiconductor Corporation RB500V-40 RRG 0.2900
RFQ
 ECAD 268 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F RB500 Schottky SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 450 mV @ 10 ma 1 µa @ 10 v -40 ° C ~ 125 ° C 100ma 6pf @ 10V, 1MHz
UG06AHA0G Taiwan Semiconductor Corporation UG06AHA0G -
RFQ
 ECAD 8844 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 T-18, 축, UG06 기준 TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 950 MV @ 600 MA 15 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 600ma 9pf @ 4V, 1MHz
SS15H Taiwan Semiconductor Corporation SS15H -
RFQ
 ECAD 7775 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA Schottky DO-214AC (SMA) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SS15HTR 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 750 mv @ 1 a 200 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
BZS55C5V6 Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C5V6 0.0343
RFQ
 ECAD 4289 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 1206 (3216 메트릭) BZS55 500MW 1206 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZS55C5V6TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 10 ma 100 na @ 1 v 5.6 v 30 옴
SK85C V6G Taiwan Semiconductor Corporation SK85C V6G -
RFQ
 ECAD 6856 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC SK85 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 500 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
SK22A Taiwan Semiconductor Corporation SK22A -
RFQ
 ECAD 7799 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-sk22atr 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 500 mV @ 2 a 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 2A -
HER1608PTH Taiwan Semiconductor Corporation HER1608pth 1.4690
RFQ
 ECAD 3279 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-Her1608pth 귀 99 8541.10.0080 900 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 1000 v 16A 1.7 V @ 8 a 80 ns 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C
SF2002PTH Taiwan Semiconductor Corporation SF2002pth -
RFQ
 ECAD 6014 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 SF2002 기준 TO-247AD (TO-3P) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SF2002pth 귀 99 8541.10.0080 900 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 20A (DC) 1.1 v @ 20 a 35 ns 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
SR10100H Taiwan Semiconductor Corporation SR10100H 0.5037
RFQ
 ECAD 2038 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 SR10100 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-SR10100H 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 10A 850 mV @ 5 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
1N5397G B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5397G B0G -
RFQ
 ECAD 9958 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 1N5397 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 짐 600 v 1 V @ 1.5 a 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 15pf @ 4V, 1MHz
S1KH Taiwan Semiconductor Corporation S1KH 0.0590
RFQ
 ECAD 9616 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA S1K 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 짐 800 v 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 1 µa @ 800 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 12pf @ 4V, 1MHz
TSM6N50CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM6N50CH C5G -
RFQ
 ECAD 7205 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() TO-251 (IPAK) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 500 v 5.6A (TA) 10V 1.4ohm @ 2.8a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 30V 900 pf @ 25 v - 90W (TC)
BZD27C91PHRVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C91PHRVG -
RFQ
 ECAD 3816 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.07% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 68 v 90.5 v 200 옴
1PGSMA4764HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsma4764hr3g -
RFQ
 ECAD 1134 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1pgsma4764 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 76 v 100 v 350 옴
BZX55C8V2 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C8V2 0.0290
RFQ
 ECAD 5145 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZX55C8V2TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 v @ 100 ma 100 na @ 6.2 v 8.2 v 7 옴
SK810C R7 Taiwan Semiconductor Corporation SK810C R7 -
RFQ
 ECAD 6585 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-sk810cr7tr 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 900 mV @ 8 a 500 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
GPA801 C0G Taiwan Semiconductor Corporation GPA801 C0G -
RFQ
 ECAD 1691 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 GPA801 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 짐 50 v 1.1 v @ 8 a 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 50pf @ 4V, 1MHz
1N5252B Taiwan Semiconductor Corporation 1N5252B 0.0271
RFQ
 ECAD 9935 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5252 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-1n5252btr 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 18 v 24 v 33 옴
MBR2035CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR2035CTHC0G -
RFQ
 ECAD 6815 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR2035 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 20A 840 mV @ 20 a 100 µa @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C
SS26LHMHG Taiwan Semiconductor Corporation SS26LHMHG -
RFQ
 ECAD 6834 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS26 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 2 a 400 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
FR103G R0G Taiwan Semiconductor Corporation FR103G R0G 0.0493
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 FR103 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
TSM035NB04CZ Taiwan Semiconductor Corporation TSM035NB04CZ 4.1700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 TSM035 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 18A (TA), 157A (TC) 3.5mohm @ 18a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 6990 pf @ 20 v - 2W (TA), 156W (TC)
TSM60NB1R4CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB1R4CH C5G 2.3500
RFQ
 ECAD 7155 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA TSM60 MOSFET (금속 (() TO-251 (IPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 600 v 3A (TC) 10V 1.4ohm @ 900ma, 10V 4V @ 250µA 7.12 NC @ 10 v ± 30V 257.3 pf @ 100 v - 28.4W (TC)
BZD17C220P MQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C220P MQG -
RFQ
 ECAD 9150 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.68% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 160 v 220 v 900 옴
D2SB20HD2G Taiwan Semiconductor Corporation D2SB20HD2G -
RFQ
 ECAD 3820 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBL D2SB20 기준 GBL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 1.1 v @ 2 a 10 µa @ 200 v 2 a 단일 단일 200 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다