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불연속 불연속 제품 (15635)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
1N4744AHR1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4744AHR1G -
RFQ
 ECAD 3262 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4744 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 11.4 v 15 v 14 옴
1N4148W-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation 1N4148W-G RHG 0.1900
RFQ
 ECAD 161 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 1N4148 기준 SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 100 v 1.25 V @ 150 mA 4 ns 2.5 µa @ 75 v -65 ° C ~ 150 ° C 150ma 2pf @ 0V, 1MHz
BZX585B24 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B24 RSG 0.0476
RFQ
 ECAD 7692 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX585B2 200 MW SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 45 NA @ 16.8 v 24 v 70 옴
2M82Z Taiwan Semiconductor Corporation 2M82Z 0.1565
RFQ
 ECAD 4396 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M82 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,500 500 NA @ 62.2 v 82 v 100 옴
MBRS1545CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1545CT-Y 0.4677
RFQ
 ECAD 3254 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS1545 Schottky TO-263AB (D2PAK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-MBRS1545CT-YTR 귀 99 8541.10.0080 1,600 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 15a 840 mV @ 15 a 100 µa @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF10L100CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRF10L100CT -
RFQ
 ECAD 6373 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MBRF10 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 10A 850 mv @ 10 a 20 ma @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
SK16B R5G Taiwan Semiconductor Corporation SK16B R5G -
RFQ
 ECAD 4947 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB SK16 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 750 mv @ 1 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
SS110LW Taiwan Semiconductor Corporation SS110LW 0.4200
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123W SS110 Schottky SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 800 mv @ 1 a 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
SRF1050HC0G Taiwan Semiconductor Corporation srf1050hc0g -
RFQ
 ECAD 2598 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 SRF1050 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 10A 700 mv @ 5 a 500 µa @ 50 v -55 ° C ~ 125 ° C
BZD17C51P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C51P R3G 0.2625
RFQ
 ECAD 5332 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 39 v 51 v 60 옴
SFF10L06GAH Taiwan Semiconductor Corporation sff10l06gah 0.4385
RFQ
 ECAD 3428 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 sff10l06 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-SFF10L06GAH 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 400 v 10A 1.3 V @ 5 a 35 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C
RSFKL RUG Taiwan Semiconductor Corporation rsfkl l -
RFQ
 ECAD 4751 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RSFKL 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 v @ 500 ma 500 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4V, 1MHz
BZX79C43 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C43 A0G -
RFQ
 ECAD 9139 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 100 ma 50 NA @ 30.1 v 43 v 150 옴
BZD27C120P RUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C120P 깔개 0.2888
RFQ
 ECAD 9440 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.39% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 91 v 120.5 v 300 옴
HS1GL RQG Taiwan Semiconductor Corporation HS1GL RQG -
RFQ
 ECAD 8971 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab HS1G 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 50 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
BZD27C24PHRHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C24PHRHG -
RFQ
 ECAD 8014 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.78% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 18 v 24.2 v 15 옴
SR504 Taiwan Semiconductor Corporation SR504 0.2012
RFQ
 ECAD 9063 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SR504 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 5 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 5a -
MBRS10100CTHMNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS10100CTHMNG -
RFQ
 ECAD 5783 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS10100 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 10A 950 MV @ 10 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
TSM8N50CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM8N50CH C5G -
RFQ
 ECAD 1461 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() TO-251 (IPAK) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 500 v 7.2A (TC) 10V 850mohm @ 3.6a, 10V 4V @ 250µA 26.6 NC @ 10 v ± 30V 1595 pf @ 25 v - 89W (TC)
1N4758AHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4758AHA0G -
RFQ
 ECAD 1580 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4758 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 5 µa @ 42.6 v 56 v 110 옴
S5M M6G Taiwan Semiconductor Corporation S5M M6G -
RFQ
 ECAD 2951 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC S5M 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 1000 v 1.15 V @ 5 a 1.5 µs 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 60pf @ 4V, 1MHz
2M30Z B0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M30Z B0G -
RFQ
 ECAD 7807 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M30 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 500 NA @ 22.8 v 30 v 20 옴
ES3J R6 Taiwan Semiconductor Corporation ES3J R6 -
RFQ
 ECAD 4047 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-es3jr6tr 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 3 a 35 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1MHz
MBR1090CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR1090CTHC0G -
RFQ
 ECAD 8902 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR1090 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 90 v 10A 950 MV @ 10 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C
BA157GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation BA157GHB0G -
RFQ
 ECAD 2178 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BA157 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.2 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
RSFML RUG Taiwan Semiconductor Corporation rsfml l 0.1676
RFQ
 ECAD 6972 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RSFML 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 v @ 500 ma 500 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4V, 1MHz
2M11Z Taiwan Semiconductor Corporation 2M11Z 0.1565
RFQ
 ECAD 3929 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M11 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,500 1 µa @ 8.4 v 11 v 4 옴
S1GL RQG Taiwan Semiconductor Corporation S1GL RQG -
RFQ
 ECAD 2275 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab S1G 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 짐 400 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
HS3K M6 Taiwan Semiconductor Corporation HS3K M6 -
RFQ
 ECAD 5812 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-HS3KM6TR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.7 V @ 3 a 75 ns 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 50pf @ 4V, 1MHz
SF3008PT Taiwan Semiconductor Corporation SF3008pt 2.8600
RFQ
 ECAD 4022 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 SF3008 기준 TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 15 a 35 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 30A 175pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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