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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
PU6JB Taiwan Semiconductor Corporation pu6jb 0.2292
RFQ
ECAD 8830 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB pu6j 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-pu6jbtr 귀 99 8541.10.0080 20,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 6 a 25 ns 2 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 6A 48pf @ 4V, 1MHz
BZT52C10S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C10 0.0357
RFQ
ECAD 2514 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZT52C 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT52C10STR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 180 na @ 7 v 10 v 20 옴
BZX79B15 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B15 A0G -
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ECAD 1243 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 100 ma 10.5 ma @ 50 mv 15 v 30 옴
2M39Z A0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M39Z A0G -
RFQ
ECAD 8793 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M39 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 500 NA @ 29.7 v 39 v 30 옴
SRAF590 Taiwan Semiconductor Corporation SRAF590 -
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ECAD 5284 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 Schottky ITO-220AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SRAF590 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 850 mV @ 5 a 200 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
RS3K V7G Taiwan Semiconductor Corporation RS3K V7G -
RFQ
ECAD 2684 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC RS3K 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 500 ns 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
MBRF5150H Taiwan Semiconductor Corporation MBRF5150H -
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ECAD 6639 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 Schottky ITO-220AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-MBRF5150H 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 1.02 V @ 5 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
BZD27C6V8P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C6V8P RQG -
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ECAD 3734 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5.88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 3 v 6.8 v 3 옴
1SMA5926HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5926HR3G -
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ECAD 3625 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA5926 1.5 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 500 NA @ 8.4 v 11 v 5.5 옴
US1BHM2G Taiwan Semiconductor Corporation US1BHM2G -
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ECAD 9863 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA US1B 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
S4K Taiwan Semiconductor Corporation S4K 0.2021
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ECAD 5602 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC S4K 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 800 v 1.5 µs 100 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 4a 60pf @ 4V, 1MHz
UG06BHA1G Taiwan Semiconductor Corporation UG06BHA1G -
RFQ
ECAD 9029 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 T-18, 축, UG06 기준 TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 950 MV @ 600 MA 15 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 600ma 9pf @ 4V, 1MHz
1SMB5932H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5932H 0.1545
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ECAD 7202 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1SMB5932 3 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 15.2 v 20 v 14 옴
SK59C M6G Taiwan Semiconductor Corporation SK59C M6G -
RFQ
ECAD 8344 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC SK59 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 850 mV @ 5 a 300 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
BZD27C9V1PHM2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C9V1PHM2G -
RFQ
ECAD 2400 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.07% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 5 v 9.05 v 4 옴
SFAS801G MNG Taiwan Semiconductor Corporation SFAS801G MNG -
RFQ
ECAD 9810 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SFAS801 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 950 MV @ 8 a 35 ns 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 80pf @ 4V, 1MHz
RS1G Taiwan Semiconductor Corporation Rs1g 0.0639
RFQ
ECAD 1292 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA Rs1g 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
SRA1660HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA1660HC0G -
RFQ
ECAD 3139 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SRA1660 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mV @ 16 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 16A -
S1A Taiwan Semiconductor Corporation S1A 0.0795
RFQ
ECAD 2339 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC (SMA) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-s1atr 귀 99 8541.10.0080 7,500 50 v 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 1 µa @ 50 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 12pf @ 4V, 1MHz
SS14LSHRVG Taiwan Semiconductor Corporation SS14LSHRVG 0.0972
RFQ
ECAD 7027 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123H SS14 Schottky SOD-123HE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 1 a 400 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 80pf @ 4V, 1MHz
HS5M Taiwan Semiconductor Corporation HS5M 0.2748
RFQ
ECAD 7299 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC HS5M 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 75 ns 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 50pf @ 4V, 1MHz
1SMB5944H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5944H 0.1545
RFQ
ECAD 4101 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1SMB5944 3 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 47.1 v 62 v 100 옴
BZV55C18 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C18 L0G 0.0333
RFQ
ECAD 7805 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55C 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 100 na @ 13 v 18 v 50 옴
LL4002G L0G Taiwan Semiconductor Corporation LL4002G L0G -
RFQ
ECAD 2794 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-213AB, MELF LL4002 기준 멜프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-ll4002GL0GTR 귀 99 8541.10.0080 5,000 100 v 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
SK56B R5G Taiwan Semiconductor Corporation SK56B R5G -
RFQ
ECAD 9229 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB SK56 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 750 mV @ 5 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
TSSE3H60 Taiwan Semiconductor Corporation TSSE3H60 0.6700
RFQ
ECAD 91 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123H TSSE3 Schottky SOD-123HE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 600 mV @ 3 a 100 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
BZD27C8V2PHM2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C8V2PHM2G -
RFQ
ECAD 9381 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.09% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 3 v 8.2 v 2 옴
SK32A Taiwan Semiconductor Corporation SK32A -
RFQ
ECAD 9099 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA Schottky DO-214AC (SMA) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-sk32atr 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 550 mV @ 3 a 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
TSDGLWHRVG Taiwan Semiconductor Corporation tsdglwhrvg 0.4900
RFQ
ECAD 15 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123W tsdglw 기준 SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 400 v 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
BZT52C4V3K Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C4V3K 0.0474
RFQ
ECAD 6471 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZT52C 200 MW SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT52C4V3KTR 귀 99 8541.10.0050 6,000 5 µa @ 1 v 4.3 v 90 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고