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불연속 불연속 제품 (15635)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
MUR160AHA0G Taiwan Semiconductor Corporation MUR160AHA0G -
RFQ
 ECAD 1197 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 MUR160 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.25 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 27pf @ 4V, 1MHz
SS16L Taiwan Semiconductor Corporation SS16L 0.0837
RFQ
 ECAD 3654 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 do-219ab SS16 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 1 a 400 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
TS25PL06G C2G Taiwan Semiconductor Corporation TS25PL06G C2G -
RFQ
 ECAD 9487 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, TS-6p TS25PL06 기준 TS-6P 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 15 950 MV @ 12.5 a 10 µa @ 800 v 25 a 단일 단일 800 v
SS23 Taiwan Semiconductor Corporation SS23 0.0990
RFQ
 ECAD 5321 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB SS23 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 500 mV @ 2 a 400 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 2A -
HERAF806G Taiwan Semiconductor Corporation HERAF806G -
RFQ
 ECAD 4099 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 기준 ITO-220AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-heraf806g 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 8 a 80 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 60pf @ 4V, 1MHz
S15JC R7G Taiwan Semiconductor Corporation S15JC R7G -
RFQ
 ECAD 3241 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC S15J 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.1 v @ 15 a 1 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 15a 93pf @ 4v, 1MHz
SR503HB0G Taiwan Semiconductor Corporation SR503HB0G -
RFQ
 ECAD 5027 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SR503 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 5 a 500 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 5a -
HER1604G Taiwan Semiconductor Corporation HER1604G 0.5661
RFQ
 ECAD 1134 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 HER1604 기준 TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 300 v 16A 1 V @ 8 a 50 ns 10 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C
SR4020PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation SR4020PT C0G -
RFQ
 ECAD 6899 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 SR4020 Schottky TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 20 v 40a 550 mV @ 20 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C
SS12LHRFG Taiwan Semiconductor Corporation SS12LHRFG -
RFQ
 ECAD 1398 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS12 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 450 mV @ 1 a 400 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
BAV20W RHG Taiwan Semiconductor Corporation bav20w rhg 0.0474
RFQ
 ECAD 4339 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F BAV20 기준 SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 250 v 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 250 v -65 ° C ~ 150 ° C 200ma 5pf @ 0V, 1MHz
TSM038N03PQ33 Taiwan Semiconductor Corporation TSM038N03PQ33 0.7613
RFQ
 ECAD 4780 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn TSM038 MOSFET (금속 (() 8-PDFN (3.1x3.1) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-TSM038N03PQ33TR 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 30 v 19A (TA), 78A (TC) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 19a, 10V 2.5V @ 250µA 48 NC @ 10 v ± 20V 2557 pf @ 15 v - 2.4W (TA), 39W (TC)
HER3L05GH Taiwan Semiconductor Corporation HER3L05GH 0.2535
RFQ
 ECAD 9080 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-her3l05ghtr 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.32 V @ 3 a 50 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 54pf @ 4V, 1MHz
2M150Z B0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M150Z B0G -
RFQ
 ECAD 6262 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M150 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 500 NA @ 114 v 150 v 575 옴
2M140ZH Taiwan Semiconductor Corporation 2M140ZH 0.1667
RFQ
 ECAD 2505 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M140 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,500 500 NA @ 106.4 v 140 v 500 옴
MTZJ15SB R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ15SB R0G 0.0305
RFQ
 ECAD 5383 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 mtzj15 500MW DO-34 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 11 v 14.26 v 40
SR1640PTH Taiwan Semiconductor Corporation sr1640pth -
RFQ
 ECAD 4179 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-247-3 SR1640 Schottky TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 16A 550 mV @ 8 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C
GBU603 D2G Taiwan Semiconductor Corporation GBU603 D2G -
RFQ
 ECAD 5669 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU603 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 20 1.1 v @ 6 a 5 µa @ 200 v 6 a 단일 단일 200 v
SF11G R0G Taiwan Semiconductor Corporation SF11G R0G -
RFQ
 ECAD 9586 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SF11 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
SSB44HR5G Taiwan Semiconductor Corporation SSB44HR5G 0.6500
RFQ
 ECAD 807 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB SSB44 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 4 a 200 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 4a 235pf @ 4V, 1MHz
ES1AHM2G Taiwan Semiconductor Corporation es1ahm2g -
RFQ
 ECAD 4131 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA ES1A 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 16pf @ 4V, 1MHz
SR815 Taiwan Semiconductor Corporation SR815 0.2361
RFQ
 ECAD 8322 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SR815 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 1.02 V @ 8 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
RS3GH Taiwan Semiconductor Corporation RS3GH 0.1756
RFQ
 ECAD 1091 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 3 a 150 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
BZD27C130P MHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C130P MHG -
RFQ
 ECAD 2025 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 100 v 132.5 v 300 옴
TSF30L45C Taiwan Semiconductor Corporation TSF30L45C 1.2540
RFQ
 ECAD 1758 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 TSF30 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 15a 550 mV @ 15 a 500 µa @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
RMB2SH Taiwan Semiconductor Corporation RMB2SH 0.7100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-269AA, 4- 베스 외 RMB2 기준 TO-269AA (MBS) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 1 V @ 400 mA 5 µa @ 200 v 800 MA 단일 단일 200 v
TSM900N06CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM900N06CP ROG 1.3700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TSM900 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 11A (TC) 4.5V, 10V 90mohm @ 6a, 10V 2.5V @ 250µA 9.3 NC @ 10 v ± 20V 500 pf @ 15 v - 25W (TC)
BZT52B7V5S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B7V5 0.0340
RFQ
 ECAD 5328 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZT52B 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT52B7V5STR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 900 na @ 5 v 7.5 v 15 옴
HT16G Taiwan Semiconductor Corporation HT16G 0.0963
RFQ
 ECAD 3889 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 T-18, 축, HT16 기준 TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
TSD3GHV7G Taiwan Semiconductor Corporation TSD3GHV7G 1.7300
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 ECAD 3 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC TSD3GH 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 짐 400 v 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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