SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
S10GCH Taiwan Semiconductor Corporation S10GCH 0.2379
RFQ
ECAD 8149 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 400 v 1.1 v @ 10 a 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A 60pf @ 4V, 1MHz
BZD27C30PHMHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C30PHMHG -
RFQ
ECAD 8448 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.66% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 22 v 30 v 15 옴
HER1002G C0G Taiwan Semiconductor Corporation HER1002G C0G -
RFQ
ECAD 6167 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 HER1002 기준 TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 10A 1 V @ 5 a 50 ns 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRS1035 MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1035 MNG -
RFQ
ECAD 1087 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS1035 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 35 v 840 mV @ 10 a 100 µa @ 35 v -55 ° C ~ 175 ° C 10A -
MUR160S R5G Taiwan Semiconductor Corporation MUR160S R5G 0.6300
RFQ
ECAD 148 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB MUR160 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.25 V @ 1 a 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
BZD17C15P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C15P RHG -
RFQ
ECAD 4302 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 11 v 15 v 10 옴
S1AB M4G Taiwan Semiconductor Corporation S1AB M4G -
RFQ
ECAD 3620 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB S1A 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 50 v 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 12pf @ 4V, 1MHz
SFF1001GA C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFF1001GA C0G -
RFQ
ECAD 1175 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 SFF1001 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 50 v 10A (DC) 975 MV @ 5 a 35 ns 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
SK32A M2G Taiwan Semiconductor Corporation SK32A M2G -
RFQ
ECAD 2090 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA SK32 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 550 mV @ 3 a 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
HER208G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HER208G A0G 0.6300
RFQ
ECAD 6 0.00000000 대만 대만 회사 - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 HER208 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.7 V @ 2 a 75 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 20pf @ 4V, 1MHz
BC846B RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC846B RFG 0.2200
RFQ
ECAD 33 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC846 200 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 65 v 100 MA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
UGF1006GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation UGF1006GHC0G -
RFQ
ECAD 9218 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 UGF1006 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 400 v 10A 1.25 V @ 5 a 20 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C
SRF2030HC0G Taiwan Semiconductor Corporation srf2030hc0g -
RFQ
ECAD 6463 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 SRF2030 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 20A 550 mV @ 10 a 500 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C
SFT16GH Taiwan Semiconductor Corporation sft16gh 0.1165
RFQ
ECAD 8664 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 T-18, 축, SFT16 기준 TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 35 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
TPAU3D S1G Taiwan Semiconductor Corporation TPAU3D S1G 0.4406
RFQ
ECAD 7623 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn tpau3 눈사태 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.88 V @ 3 a 75 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
TSM025NH04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM025NH04CR RLG 5.0500
RFQ
ECAD 4 0.00000000 대만 대만 회사 Perfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-PDFNU (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 26A (TA), 100A (TC) 7V, 10V 2.5mohm @ 50a, 10V 3.6V @ 250µA 59 NC @ 10 v ± 20V 3794 pf @ 25 v - 136W (TC)
BZD27C24PHRUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C24PHRUG -
RFQ
ECAD 1712 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.78% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 18 v 24.2 v 15 옴
SR803HA0G Taiwan Semiconductor Corporation sr803ha0g -
RFQ
ECAD 9571 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SR803 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 8 a 500 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 8a -
BZD27C36P RVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C36P RVG -
RFQ
ECAD 5022 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 27 v 36 v 40
MUR160SH Taiwan Semiconductor Corporation MUR160SH 0.1162
RFQ
ECAD 8362 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB MUR160 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.25 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
SR806H Taiwan Semiconductor Corporation SR806H 0.2346
RFQ
ECAD 6046 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SR806 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 8 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
TSM230N06CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM230N06CI C0G -
RFQ
ECAD 7078 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MOSFET (금속 (() ITO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 TSM230N06CIC0G 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 60 v 50A (TC) 4.5V, 10V 23mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 28 nc @ 10 v ± 20V 1680 pf @ 25 v - 42W (TC)
BAS19 Taiwan Semiconductor Corporation BAS19 0.0322
RFQ
ECAD 2754 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS19 기준 SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BAS19TR 귀 99 8541.10.0070 6,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 100 v 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 200ma 5pf @ 0V, 1MHz
TSM090N03CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM090N03CP ROG 1.5900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TSM090 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 50A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 16a, 10V 2.5V @ 250µA 45 NC @ 4.5 v ± 20V 750 pf @ 25 v - 40W (TC)
BZD17C33P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C33P RHG -
RFQ
ECAD 7380 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.06% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 24 v 33 v 15 옴
BC856A RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC856A RFG 0.0343
RFQ
ECAD 5220 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC856 200 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 65 v 100 MA 100NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 125 @ 2MA, 5V 100MHz
1N4742A A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4742A A0G 0.4300
RFQ
ECAD 26 0.00000000 대만 대만 회사 - 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4742 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 5 µa @ 18.2 v 12 v 25 옴
SF37GHR0G Taiwan Semiconductor Corporation SF37GHR0G -
RFQ
ECAD 2471 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SF37 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 500 v 1.7 V @ 3 a 35 ns 5 µa @ 500 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
S1MLHM2G Taiwan Semiconductor Corporation s1mlhm2g -
RFQ
ECAD 3084 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab S1ML 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 1000 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
RS1JL RUG Taiwan Semiconductor Corporation rs1jl l 0.1812
RFQ
ECAD 8145 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RS1J 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 v @ 800 ma 250 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 800ma 10pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고