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불연속 불연속 제품 (15635)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
SFF502G Taiwan Semiconductor Corporation sff502g -
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 ECAD 1513 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 sff502 기준 ITO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SFF502G 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 5A (DC) 980 MV @ 2.5 a 35 ns 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
SFAF2007G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF2007G C0G -
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 ECAD 4605 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SFAF2007 기준 ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 500 v 1.7 V @ 20 a 35 ns 10 µa @ 500 v -55 ° C ~ 150 ° C 20A 150pf @ 4V, 1MHz
ESH3B M6G Taiwan Semiconductor Corporation ESH3B M6G -
RFQ
 ECAD 5825 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC ESH3 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 900 mV @ 3 a 20 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
SK810CHR7G Taiwan Semiconductor Corporation SK810CHR7G -
RFQ
 ECAD 3675 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC SK810 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 900 mV @ 8 a 500 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
SRAF830HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF830HC0G -
RFQ
 ECAD 7418 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SRAF830 Schottky ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 8 a 100 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 8a -
SF24GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation SF24GHA0G -
RFQ
 ECAD 1336 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 SF24 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 2 a 35 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 40pf @ 4V, 1MHz
1M180Z Taiwan Semiconductor Corporation 1M180Z 0.1118
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 ECAD 6547 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1M180 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 136.8 v 180 v 1200 옴
MBRF1560CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1560CTH -
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 ECAD 2636 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MBRF1560 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 15a 750MV @ 7.5 a 300 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR1045 Taiwan Semiconductor Corporation MBR1045 -
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 ECAD 9771 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 MBR104 Schottky TO-220AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-MBR1045 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 700 mV @ 10 a 100 µa @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
US1AHR3G Taiwan Semiconductor Corporation US1AHR3G -
RFQ
 ECAD 6650 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA US1A 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
S2M R5G Taiwan Semiconductor Corporation S2M R5G 0.4700
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB S2M 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 짐 1000 v 1.15 V @ 2 a 1.5 µs 1 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 30pf @ 4V, 1MHz
SS26LHRFG Taiwan Semiconductor Corporation SS26LHRFG -
RFQ
 ECAD 3557 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS26 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 2 a 400 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
S1DLHRVG Taiwan Semiconductor Corporation s1dlhrvg 0.0628
RFQ
 ECAD 5744 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab S1D 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 200 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
SFAF1004GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF1004GHC0G -
RFQ
 ECAD 2267 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SFAF1004 기준 ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 975 MV @ 10 a 35 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A 170pf @ 4V, 1MHz
SS22M RSG Taiwan Semiconductor Corporation SS22M RSG 0.3800
RFQ
 ECAD 290 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 리드 SS22 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 600 mV @ 2 a 150 µa @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 35pf @ 4V, 1MHz
S1DLHM2G Taiwan Semiconductor Corporation s1dlhm2g -
RFQ
 ECAD 1038 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab S1D 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 짐 200 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
RSFDLHMHG Taiwan Semiconductor Corporation rsfdlhmhg -
RFQ
 ECAD 9044 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RSFDL 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 v @ 500 ma 150 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4V, 1MHz
1N5399G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5399G A0G -
RFQ
 ECAD 1322 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 1N5399 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 짐 1000 v 1 V @ 1.5 a 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 15pf @ 4V, 1MHz
ES2B M4G Taiwan Semiconductor Corporation ES2B M4G -
RFQ
 ECAD 9304 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB ES2B 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 950 MV @ 2 a 35 ns 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 25pf @ 4V, 1MHz
BAS19W RVG Taiwan Semiconductor Corporation BAS19W RVG 0.0483
RFQ
 ECAD 5887 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 BAS19 기준 SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 100 v 1.25 V @ 100 ma 50 ns 100 na @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 200ma 5pf @ 0V, 1MHz
SFAF1001G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF1001G C0G -
RFQ
 ECAD 4316 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SFAF1001 기준 ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 975 MV @ 10 a 35 ns 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A 170pf @ 4V, 1MHz
SS36LHRQG Taiwan Semiconductor Corporation SS36LHRQG -
RFQ
 ECAD 1641 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS36 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 750 mV @ 3 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
TSM10NC60CF C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM10NC60CF C0G 1.6128
RFQ
 ECAD 9015 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TSM10 MOSFET (금속 (() ITO-220S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 10A (TC) 10V 750mohm @ 2.5a, 10V 4.5V @ 250µA 33 NC @ 10 v ± 30V 1652 pf @ 50 v - 45W (TC)
RS1JH Taiwan Semiconductor Corporation RS1JH 0.0712
RFQ
 ECAD 3432 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA RS1J 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 v @ 1 a 250 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
1N5820 B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5820 B0G -
RFQ
 ECAD 6367 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 1N5820 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 475 MV @ 3 a 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A 200pf @ 4V, 1MHz
SK115B R5G Taiwan Semiconductor Corporation SK115B R5G -
RFQ
 ECAD 1074 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB SK115 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 3 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
S2DALH Taiwan Semiconductor Corporation s2dalh 0.0683
RFQ
 ECAD 1295 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-s2dalhtr 귀 99 8541.10.0080 28,000 짐 200 v 1.1 v @ 2 a 1 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 12pf @ 4V, 1MHz
S3G R6G Taiwan Semiconductor Corporation S3G R6G -
RFQ
 ECAD 1394 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-S3GR6GTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 400 v 1.15 V @ 3 a 1.5 µs 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
SF12GHR1G Taiwan Semiconductor Corporation SF12GHR1G -
RFQ
 ECAD 7070 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SF12 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
SK32BHM4G Taiwan Semiconductor Corporation SK32BHM4G -
RFQ
 ECAD 6883 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB SK32 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 500 mV @ 3 a 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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