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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
1N4745G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4745G A0G -
RFQ
ECAD 1945 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4745 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 12.2 v 16 v 16 옴
TS15P05GHC2G Taiwan Semiconductor Corporation TS15P05GHC2G -
RFQ
ECAD 5644 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, TS-6p TS15P05 기준 TS-6P 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 15 a 10 µa @ 600 v 15 a 단일 단일 600 v
SRAS2040 Taiwan Semiconductor Corporation SRAS2040 1.7000
RFQ
ECAD 484 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SRAS2040 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 570 mV @ 20 a 500 µa @ 40 v 20A -
TSZL52C4V7 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C4V7 RWG -
RFQ
ECAD 8354 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 1005 (2512 25) TSZL52 200 MW 1005 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 2 v 4.7 v 78 옴
SF33G A0G Taiwan Semiconductor Corporation SF33G A0G -
RFQ
ECAD 7118 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SF33 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 3 a 35 ns 5 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 80pf @ 4V, 1MHz
1N4747A B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4747A B0G -
RFQ
ECAD 1419 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4747 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 5 µa @ 15.2 v 20 v 60 옴
BZD17C13P RVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C13P RVG -
RFQ
ECAD 4594 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.53% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 2 µa @ 10 v 13 v 10 옴
SSL12H Taiwan Semiconductor Corporation SSL12H 0.1398
RFQ
ECAD 7178 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SSL12 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 390 mV @ 1 a 200 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
MBRF2090 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF2090 C0G -
RFQ
ECAD 5638 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 MBRF2090 Schottky ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 950 MV @ 20 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 20A -
1PGSMC5352HR7G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmc5352hr7g -
RFQ
ECAD 3197 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 w DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 850 1 µa @ 11.5 v 15 v 3 옴
SF62G A0G Taiwan Semiconductor Corporation SF62G A0G -
RFQ
ECAD 9553 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SF62 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 975 MV @ 6 a 35 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 6A 100pf @ 4V, 1MHz
SR2060PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation SR2060PT C0G -
RFQ
ECAD 9531 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 SR2060 기준 TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 20A 700 mV @ 10 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZD27C7V5PHRUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C7V5PHRUG -
RFQ
ECAD 9423 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.04% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 50 µa @ 3 v 7.45 v 2 옴
UGF5JHC0G Taiwan Semiconductor Corporation UGF5JHC0G -
RFQ
ECAD 3916 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 UGF5 기준 ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 3 V @ 5 a 25 ns 30 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
TSF30L150C Taiwan Semiconductor Corporation TSF30L150C 2.3100
RFQ
ECAD 681 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 TSF30 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 15a 920 MV @ 15 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR6090PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR6090PT C0G -
RFQ
ECAD 3525 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 MBR6090 Schottky TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 90 v 60a 980 MV @ 60 a 1 ma @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZX84C7V5 RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZX84C7V5 RFG 0.0511
RFQ
ECAD 6462 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 5 v 7.5 v 15 옴
SS36LHRTG Taiwan Semiconductor Corporation SS36LHRTG -
RFQ
ECAD 6193 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS36 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 750 mV @ 3 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
HERF1006G Taiwan Semiconductor Corporation HERF1006G -
RFQ
ECAD 1759 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 HERF1006 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 600 v 10A 1.7 V @ 10 a 80 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
HS5F Taiwan Semiconductor Corporation HS5F 0.2748
RFQ
ECAD 8690 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC HS5F 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 50 ns 10 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 80pf @ 4V, 1MHz
SS34HM6G Taiwan Semiconductor Corporation SS34HM6G -
RFQ
ECAD 5183 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC SS34 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 3 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
1N4148W RHG Taiwan Semiconductor Corporation 1N4148W RHG 0.2000
RFQ
ECAD 115 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F 1N4148 기준 SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1 v @ 100 ma 4 ns 5 µa @ 75 v -65 ° C ~ 150 ° C 150ma 4pf @ 0V, 1MHz
TSI10H200CW Taiwan Semiconductor Corporation TSI10H200CW -
RFQ
ECAD 2144 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA TSI10 Schottky i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 5a 910 MV @ 5 a 100 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
DBL152GH Taiwan Semiconductor Corporation DBL152GH -
RFQ
ECAD 1732 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) 기준 DBL - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-DBL152GH 귀 99 8541.10.0080 5,000 1.1 v @ 1.5 a 2 µa @ 100 v 1.5 a 단일 단일 100 v
SR315HA0G Taiwan Semiconductor Corporation SR315HA0G -
RFQ
ECAD 2384 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SR315 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 850 mV @ 3 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
RS1BLHRUG Taiwan Semiconductor Corporation RS1BLHRUG -
RFQ
ECAD 9935 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RS1B 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.3 v @ 800 ma 150 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 800ma 10pf @ 4V, 1MHz
1N5263B Taiwan Semiconductor Corporation 1N5263B 0.0271
RFQ
ECAD 6902 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5263 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-1n5263Btr 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 43 v 56 v 150 옴
SS19L RTG Taiwan Semiconductor Corporation SS19L RTG -
RFQ
ECAD 6478 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS19 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 800 mv @ 1 a 50 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
S1JL MTG Taiwan Semiconductor Corporation S1JL MTG -
RFQ
ECAD 7700 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab S1J 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 600 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
BZD27C24P RVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C24P RVG 0.2753
RFQ
ECAD 12 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 18 v 24.2 v 15 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고