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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
BAT43X-M0 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BAT43X-M0 RSG -
RFQ
ECAD 3459 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-79, SOD-523 Schottky SOD-523F - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-BAT43X-M0RSGTR 귀 99 8541.10.0070 6,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 1 v @ 200 ma 5 ns 500 na @ 25 v -55 ° C ~ 125 ° C 200ma 10pf @ 1v, 1MHz
ES2CHM4G Taiwan Semiconductor Corporation ES2CHM4G -
RFQ
ECAD 1751 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB ES2C 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 2 a 35 ns 10 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 25pf @ 4V, 1MHz
1PGSMA4753 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsma4753 R3g -
RFQ
ECAD 7582 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1PGSMA4753 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 27.4 v 36 v 50 옴
MBR10200CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBR10200CT-Y 0.4221
RFQ
ECAD 8316 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR10200 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-mbr10200ct-y 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 10A 700 mV @ 10 a 100 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZV55C2V4 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C2V4 L0G 0.0333
RFQ
ECAD 9988 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55C 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 50 µa @ 1 v 2.4 v 85 옴
TSZU52C4V3 Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C4V3 0.0669
RFQ
ECAD 4778 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 4.99% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 0603 (1608 메트릭) TSZU52 150 MW 0603 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-tszu52c4v3tr 귀 99 8541.10.0050 20,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 1 v 4.3 v 95 옴
TS25P04GHC2G Taiwan Semiconductor Corporation TS25P04GHC2G -
RFQ
ECAD 4173 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, TS-6p TS25P04 기준 TS-6P 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 25 a 10 µa @ 400 v 25 a 단일 단일 400 v
BYG21M R3G Taiwan Semiconductor Corporation BYG21M R3G 0.6800
RFQ
ECAD 237 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA BYG21 눈사태 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.6 V @ 1.5 a 120 ns 1 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 13pf @ 4V, 1MHz
FR156GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation FR156GHA0G -
RFQ
ECAD 8552 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 FR156 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 V @ 1.5 a 500 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 20pf @ 4V, 1MHz
BC338-16 Taiwan Semiconductor Corporation BC338-16 0.0661
RFQ
ECAD 7080 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC338 625 MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BC338-16TB 귀 99 8541.21.0075 4,000 25 v 800 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 5V 100MHz
1SMA5933H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5933H 0.0995
RFQ
ECAD 9013 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA5933 1.5 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 500 NA @ 16.7 v 22 v 17.5 옴
1SMB5951 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5951 0.1453
RFQ
ECAD 7262 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1SMB5951 3 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 91.2 v 120 v 360 옴
SK23A Taiwan Semiconductor Corporation SK23A 0.4300
RFQ
ECAD 4152 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SK23 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 500 mV @ 2 a 500 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
BZD27C120PHRVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C120PHRVG -
RFQ
ECAD 2760 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.39% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 91 v 120.5 v 300 옴
HS2MAF-T Taiwan Semiconductor Corporation HS2MAF-T 0.1207
RFQ
ECAD 2136 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 기준 smaf 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-HS2MAF-TTR 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.7 V @ 2 a 75 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 12pf @ 4V, 1MHz
SRA830HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA830HC0G -
RFQ
ECAD 7737 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SRA830 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 8 a 500 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 8a -
HERAF1008G C0G Taiwan Semiconductor Corporation HERAF1008G C0G -
RFQ
ECAD 6857 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 HERAF1008 기준 ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.7 V @ 10 a 80 ns 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A 60pf @ 4V, 1MHz
BZD17C15P MQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C15P MQG -
RFQ
ECAD 2293 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 11 v 15 v 10 옴
ES1HL R3G Taiwan Semiconductor Corporation ES1HL R3G 0.6100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab ES1H 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 500 v 1.7 V @ 1 a 35 ns 5 µa @ 500 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
MUR460S M6G Taiwan Semiconductor Corporation MUR460S M6G -
RFQ
ECAD 3787 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC MUR460 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.25 V @ 4 a 50 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 4a 65pf @ 4V, 1MHz
BZD17C43P RUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C43P 깔개 -
RFQ
ECAD 4462 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.97% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 33 v 43 v 45 옴
SRAF8150HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF8150HC0G -
RFQ
ECAD 5030 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SRAF8150 Schottky ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 550 mV @ 8 a 500 µa @ 150 v -55 ° C ~ 125 ° C 8a -
UG58GH Taiwan Semiconductor Corporation ug58gh 0.2514
RFQ
ECAD 6349 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 UG58 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.1 V @ 5 a 20 ns 30 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
2A05GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 2A05GHA0G -
RFQ
ECAD 4722 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2A05 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 600 v 1 V @ 2 a 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 15pf @ 4V, 1MHz
MBRS1590CT MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1590CT MNG -
RFQ
ECAD 3155 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS1590 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 90 v 15a 920 MV @ 7.5 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C
RS2MAF-T Taiwan Semiconductor Corporation RS2MAF-T 0.1124
RFQ
ECAD 6712 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 기준 smaf 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-RS2MAF-TTR 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 V @ 2 a 250 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 10pf @ 4V, 1MHz
TSM2307CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2307CX RFG 0.1576
RFQ
ECAD 5123 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM2307 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 3A (TC) 4.5V, 10V 95mohm @ 3a, 10V 3V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 565 pf @ 30 v - 1.25W (TA)
MTZJ24SA R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ24SA R0G 0.0305
RFQ
ECAD 6269 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 MTZJ24 500MW DO-34 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 19 v 22.62 v 35 옴
HERF1008GH Taiwan Semiconductor Corporation HERF1008GH 0.6029
RFQ
ECAD 1202 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-Herf1008gh 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 1000 v 10A 1.7 V @ 5 a 80 ns 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C
TSM900N10CP Taiwan Semiconductor Corporation TSM900N10CP 0.7584
RFQ
ECAD 4167 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TSM900 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-TSM900N10cptr 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 100 v 15A (TC) 4.5V, 10V 90mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 250µA 9.3 NC @ 10 v ± 20V 1480 pf @ 50 v - 50W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고