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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
TSM900N10CP Taiwan Semiconductor Corporation TSM900N10CP 0.7584
RFQ
 ECAD 4167 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TSM900 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-TSM900N10cptr 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 100 v 15A (TC) 4.5V, 10V 90mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 250µA 9.3 NC @ 10 v ± 20V 1480 pf @ 50 v - 50W (TC)
SK36AHR3G Taiwan Semiconductor Corporation SK36AHR3G -
RFQ
 ECAD 3970 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA SK36 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 720 MV @ 3 a 200 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
ES1HL R3G Taiwan Semiconductor Corporation ES1HL R3G 0.6100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab ES1H 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 500 v 1.7 V @ 1 a 35 ns 5 µa @ 500 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
TSM2307CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2307CX RFG 0.1576
RFQ
 ECAD 5123 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM2307 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 3A (TC) 4.5V, 10V 95mohm @ 3a, 10V 3V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 565 pf @ 30 v - 1.25W (TA)
MTZJ24SA R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ24SA R0G 0.0305
RFQ
 ECAD 6269 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 MTZJ24 500MW DO-34 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 19 v 22.62 v 35 옴
MBR4045PTH Taiwan Semiconductor Corporation MBR4045pth 2.1677
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 ECAD 6085 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 MBR4045 Schottky TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-mbr4045pth 귀 99 8541.10.0080 900 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 40a 800 mV @ 40 a 1 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZD27C120PHRVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C120PHRVG -
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 ECAD 2760 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.39% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 91 v 120.5 v 300 옴
BZT52B15-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B15-G RHG 0.0461
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 ECAD 3285 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52B 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 10.5 v 15 v 30 옴
MBRS1590CT MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1590CT MNG -
RFQ
 ECAD 3155 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS1590 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 90 v 15a 920 MV @ 7.5 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C
MUR460S M6G Taiwan Semiconductor Corporation MUR460S M6G -
RFQ
 ECAD 3787 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC MUR460 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.25 V @ 4 a 50 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 4a 65pf @ 4V, 1MHz
HS2MAF-T Taiwan Semiconductor Corporation HS2MAF-T 0.1207
RFQ
 ECAD 2136 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 기준 smaf 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-HS2MAF-TTR 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.7 V @ 2 a 75 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 12pf @ 4V, 1MHz
SRA830HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA830HC0G -
RFQ
 ECAD 7737 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SRA830 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 8 a 500 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 8a -
SF14G R1G Taiwan Semiconductor Corporation SF14G R1G -
RFQ
 ECAD 7650 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SF14 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
ES1ALHRTG Taiwan Semiconductor Corporation es1alhrtg -
RFQ
 ECAD 3341 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab ES1A 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
BC338-40 B1G Taiwan Semiconductor Corporation BC338-40 B1G -
RFQ
 ECAD 8302 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC338 625 MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 25 v 800 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 5V 100MHz
SS35 R6G Taiwan Semiconductor Corporation SS35 R6G -
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 ECAD 7658 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SS35R6GTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 750 mV @ 3 a 500 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
ES1LD R3G Taiwan Semiconductor Corporation ES1LD R3G -
RFQ
 ECAD 4544 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA ES1L 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 16pf @ 4V, 1MHz
SK84C M6G Taiwan Semiconductor Corporation SK84C M6G -
RFQ
 ECAD 8894 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC SK84 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 8 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 8a -
TSF40L45C Taiwan Semiconductor Corporation TSF40L45C 2.7900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 TSF40 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 20A 600 mV @ 20 a 500 µa @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
TSM110NB04LCV Taiwan Semiconductor Corporation TSM110NB04LCV 0.6661
RFQ
 ECAD 6248 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn TSM110 MOSFET (금속 (() 8-PDFN (3.15x3.1) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-TSM110NB04LCVTR 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 40 v 9A (TA), 44A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 9a, 10V 2.5V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 20V 1329 pf @ 20 v - 1.9W (TA), 42W (TC)
SR302 R0G Taiwan Semiconductor Corporation SR302 R0G -
RFQ
 ECAD 7614 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SR302 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 550 mV @ 3 a 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
MBR16100 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR16100 C0G -
RFQ
 ECAD 6583 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-2 MBR1610 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mV @ 16 a 300 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 16A -
KBP305G C2 Taiwan Semiconductor Corporation KBP305G C2 -
RFQ
 ECAD 1720 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBP 기준 KBP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 1.1 v @ 3 a 10 µa @ 600 v 3 a 단일 단일 600 v
SK83C M6G Taiwan Semiconductor Corporation SK83C M6G -
RFQ
 ECAD 2082 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC SK83 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 8 a 500 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 8a -
MMSZ5239B RHG Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5239B RHG 0.0433
RFQ
 ECAD 1927 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F MMSZ5239 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 3 µa @ 7 v 9.1 v 10 옴
HS5J R7G Taiwan Semiconductor Corporation HS5J R7G 0.5800
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC HS5J 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 5 a 75 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 50pf @ 4V, 1MHz
TSSE3H60H Taiwan Semiconductor Corporation TSSE3H60H 0.2760
RFQ
 ECAD 3215 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123H TSSE3 Schottky SOD-123HE 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-TSSE3H60HTR 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 600 mV @ 3 a 100 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
MBRF20H200CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRF20H200CT 0.7462
RFQ
 ECAD 9744 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MBRF20 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 20A 970 MV @ 20 a 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C
BC550B B1G Taiwan Semiconductor Corporation BC550B B1G -
RFQ
 ECAD 6676 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC550 500MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 5,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN - 200 @ 2mA, 5V -
BZD17C12P MTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C12P MTG -
RFQ
 ECAD 2966 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 3 µa @ 9.1 v 12 v 7 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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