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불연속 불연속 제품 (15635)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
tpau3j s1g	1.1700	RFQ	7	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	tpau3	눈사태		TO-277A (SMPC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													600 v		1.88 V @ 3 a	75 ns	10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz
MBR10200CT-Y	0.4221	RFQ	8316	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBR10200	Schottky		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-mbr10200ct-y	귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	200 v	10A	700 mV @ 10 a		100 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C
BC848C RFG	0.0343	RFQ	2199	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC848		200 MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																						30 v	100 MA			100NA (ICBO)			NPN	500mv @ 5ma, 100ma	420 @ 2MA, 5V	100MHz
BZV55C24	0.0333	RFQ	4232	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	BZV55C		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZV55C24TR	귀 99	8541.10.0050	10,000																1 V @ 10 ma		100 na @ 18 v									24 v	80 옴
TSZU52C4V3	0.0669	RFQ	4778	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 4.99%	-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	0603 (1608 메트릭)	TSZU52		150 MW	0603	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-tszu52c4v3tr	귀 99	8541.10.0050	20,000																900 mV @ 10 ma		5 µa @ 1 v									4.3 v	95 옴
es2jfs	0.4200	RFQ	5	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-128	ES2J	기준		SOD-128	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	14,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													600 v		1.7 V @ 2 a	35 ns	1 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	15pf @ 4V, 1MHz
SK84C R6G	-	RFQ	4024	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC		Schottky		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-SK84CR6GTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													40 v		550 mV @ 8 a		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	8a	-
UGF8JD C0G	-	RFQ	2619	대만 대만 회사	-	튜브	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2	UGF8	기준		ITO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													600 v		2.3 v @ 8 a	30 ns	500 NA @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	-
SRF1630 C0G	-	RFQ	3592	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	SRF1630	Schottky		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	30 v	16A	550 mV @ 8 a		500 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 125 ° C
DBLS151G C1G	-	RFQ	6632	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	DBLS151	기준		DBLS	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50																1.1 v @ 1.5 a		2 µa @ 50 v		1.5 a				단일 단일	50 v
TST20H200CW	1.2342	RFQ	7037	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	TST20	Schottky		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													200 v		930 MV @ 10 a		100 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	-
BZD27C20PW	0.1092	RFQ	6042	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123W	BZD27		1 W.	SOD-123W	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																1 v @ 200 ma		1 µa @ 15 v									20 v	15 옴
1N4148WS-G RVG	0.1800	RFQ	40	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-76, SOD-323	1N4148	기준		SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도													75 v		1.25 V @ 150 mA	4 ns	1 µa @ 75 v	150 ° C (°)	150ma	2pf @ 0V, 1MHz
HER203G B0G	-	RFQ	5131	대만 대만 회사	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	HER203	기준		DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													200 v		1 V @ 2 a	50 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	35pf @ 4V, 1MHz
MUR305S R7	-	RFQ	3548	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC		기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-MUR305SR7TR	귀 99	8541.10.0080	850	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													50 v		875 mv @ 3 a	25 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	-
HS1FL RVG	0.2228	RFQ	3800	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	HS1F	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													300 v		950 MV @ 1 a	50 ns	5 µa @ 300 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	20pf @ 4V, 1MHz
MUR190AH	-	RFQ	3002	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		기준		DO-204AL (DO-41)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-MUR190AHTR	귀 99	8541.10.0080	3,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													900 v		1.7 V @ 1 a	75 ns	5 µa @ 900 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
ES2DA	0.1179	RFQ	5597	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	ES2D	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													200 v		950 MV @ 2 a	35 ns	10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	25pf @ 4V, 1MHz
SR520 B0G	-	RFQ	4615	대만 대만 회사	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SR520	Schottky		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													200 v		1.05 V @ 5 a		100 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	-
SS34LHM2G	-	RFQ	2226	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	SS34	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													40 v		500 mV @ 3 a		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	3A	-
SRAF560HC0G	-	RFQ	6647	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2	SRAF560	Schottky		ITO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													60 v		700 mv @ 5 a		500 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	-
SS34LHMTG	-	RFQ	9276	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	SS34	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													40 v		500 mV @ 3 a		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	3A	-
TSS42L RWG	-	RFQ	9366	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	1005 (2512 25)	TSS42	Schottky		1005	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													30 v		650 mV @ 50 mA	5 ns	500 na @ 25 v	-55 ° C ~ 125 ° C	200ma	10pf @ 1v, 1MHz
SF22GHR0G	-	RFQ	8295	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	SF22	기준		DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		950 MV @ 2 a	35 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	40pf @ 4V, 1MHz
es1blhmtg	-	RFQ	1035	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	ES1B	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		950 MV @ 1 a	35 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
1pgsma4742h	0.1156	RFQ	6371	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	1pgsMA4742		1.25 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500																1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 9.1 v									12 v	9 옴
BZX85C6V2	0.0645	RFQ	2996	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	BZX85		1.3 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZX85C6V2TR	귀 99	8541.10.0050	5,000																1.2 v @ 10 ma		1 µa @ 3 v									6.2 v	4 옴
SK23AHR3G	-	RFQ	8492	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AC, SMA	SK23	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													30 v		500 mV @ 2 a		500 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
TSM60NC390CP ROG	6.1500	RFQ	4	대만 대만 회사	-	컷 컷 (CT)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	TSM60	MOSFET (금속 (()		TO-252, (D-PAK)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	600 v	11A (TC)	10V	390mohm @ 3.8a, 10V	5V @ 1MA	21 NC @ 10 v	± 20V	804 pf @ 25 v	-	125W (TC)
TSZU52C2V0 RGG	0.0669	RFQ	2451	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	0603 (1608 메트릭)	TSZU52		150 MW	0603	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000																900 mV @ 10 ma		100 µa @ 1 v									2 v	100 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (15635)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²