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불연속 불연속 제품 (15635)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
SRAS2040	1.7000	RFQ	484	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SRAS2040	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													40 v		570 mV @ 20 a		500 µa @ 40 v		20A	-
1pgsma4762	0.1086	RFQ	2138	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	1pgsma4762		1.25 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500																	1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 62.2 v				82 v	200 옴
BZD27C24P RVG	0.2753	RFQ	12	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 18 v				24.2 v	15 옴
SS13L MHG	-	RFQ	8991	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	SS13	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													30 v		500 mV @ 1 a		400 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	-
MBR2060PT	1.4413	RFQ	9160	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-247-3	MBR2060	Schottky		TO-247AD (TO-3P)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	60 v	20A	950 MV @ 20 a		100 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C
S1ML	0.4700	RFQ	19	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다			표면 표면	do-219ab	S1ML	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000		짐													1000 v		1.1 v @ 1 a	1.8 µs	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	9pf @ 4V, 1MHz
BAT54BR-G	0.1224	RFQ	2964	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Bat54	Schottky		SOT-363	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BAT54BR-GTR	귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도												2 연결 연결 시리즈	30 v	200ma	1 v @ 100 ma	5 ns	2 µa @ 25 v	-65 ° C ~ 150 ° C
BZD17C15P RFG	-	RFQ	6510	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD17		800MW	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 11 v				15 v	10 옴
TSM70N380CH	3.2649	RFQ	2406	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA	TSM70	MOSFET (금속 (()		TO-251 (IPAK)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-TSM70N380CH	귀 99	8541.29.0095	15,000			n 채널	700 v	11A (TC)	10V	380mohm @ 3.3a, 10V	4V @ 250µA	18.8 nc @ 10 v	± 30V	981 pf @ 100 v	-	125W (TC)
TSM500P02DCQ	0.4623	RFQ	7294	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-vdfn d 패드	TSM500	MOSFET (금속 (()	620MW (TC)	6-TDFN (2x2)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-TSM500P02DCQTR	귀 99	8541.21.0095	12,000	2 p 채널			20V	4.7A (TC)		50mohm @ 3a, 4.5v	0.8V @ 250µA	13NC @ 4.5V		1230pf @ 10V	기준
1SMA5956 R3G	-	RFQ	2102	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	1SMA5956		1.5 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,800																			500 NA @ 152 v				200 v	1200 옴
BZT52B6V2-G RHG	0.0461	RFQ	9574	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52B		410 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		3 µa @ 4 v				6.2 v	10 옴
TST30H120CW	1.3992	RFQ	7868	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	TST30	Schottky		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													120 v		880 mV @ 15 a		250 µa @ 120 v	-55 ° C ~ 150 ° C	15a	-
TSM2311CX-01 RFG	-	RFQ	5218	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (금속 (()		SOT-23	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	TSM2311CX-01RFG	귀 99	8541.21.0095	1			p 채널	20 v	4A (TA)	2.5V, 4.5V	55mohm @ 4a, 4.5v	1.4V @ 250µA	9 NC @ 4.5 v	± 8V	640 pf @ 6 v	-	900MW (TA)
ES1LG	0.0948	RFQ	4595	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	ES1L	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													400 v		1.3 v @ 1 a	35 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	18pf @ 4V, 1MHz
SK320A	0.4600	RFQ	9	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	SK320	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													200 v		950 MV @ 3 a		100 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
BZV55C2V4 L0G	0.0333	RFQ	9988	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	BZV55C		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																	1 V @ 10 ma		50 µa @ 1 v				2.4 v	85 옴
BZT52C3V6K RKG	0.0474	RFQ	2998	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZT52C		200 MW	SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																			10 µa @ 1 v				3.6 v	90 옴
RSFALHMTG	-	RFQ	1625	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	RSFAL	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	7,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													50 v		1.3 v @ 500 ma	150 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	500ma	4pf @ 4V, 1MHz
ES1DL MHG	-	RFQ	2260	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	ES1D	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													200 v		950 MV @ 1 a	35 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 1v, 1MHz
HS1A R3G	-	RFQ	1040	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AC, SMA	HS1A	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													50 v		1 V @ 1 a	50 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	20pf @ 4V, 1MHz
BZD27C62P RHG	-	RFQ	4335	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.45%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																	1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 47 v				62 v	80 옴
BAT43X-M0 RSG	-	RFQ	3459	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SC-79, SOD-523		Schottky		SOD-523F	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-BAT43X-M0RSGTR	귀 99	8541.10.0070	6,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도													30 v		1 v @ 200 ma	5 ns	500 na @ 25 v	-55 ° C ~ 125 ° C	200ma	10pf @ 1v, 1MHz
rs1klhm2g	-	RFQ	9020	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	RS1K	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													800 v		1.3 v @ 800 ma	500 ns	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	800ma	10pf @ 4V, 1MHz
BYG21M R3G	0.6800	RFQ	237	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AC, SMA	BYG21	눈사태		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													1000 v		1.6 V @ 1.5 a	120 ns	1 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	13pf @ 4V, 1MHz
FR156GHA0G	-	RFQ	8552	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	FR156	기준		DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													800 v		1.3 V @ 1.5 a	500 ns	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	20pf @ 4V, 1MHz
S3G R7G	-	RFQ	6469	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	S3G	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													400 v		1.15 V @ 3 a		10 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz
MBRF10100CT	1.0500	RFQ	29	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	MBRF10100	Schottky		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	100 v	10A	950 MV @ 10 a		100 @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C
SR806	0.2347	RFQ	4609	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SR806	Schottky		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													60 v		700 mv @ 8 a		500 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	-
tpau3j	0.2997	RFQ	2986	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	tpau3	눈사태		TO-277A (SMPC)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-tpau3jtr	귀 99	8541.10.0080	6,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													600 v		1.88 V @ 3 a	75 ns	10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (15635)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²