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불연속 불연속 제품 (15635)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
BZD27C220PHRHG	-	RFQ	1718	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.66%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 160 v						220.5 v	900 옴
GBPC3506W	3.7238	RFQ	3462	대만 대만 회사	GBPC35	쟁반	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 스퀘어, GBPC-W	GBPC3506	기준		GBPC-W	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-GBPC3506W	귀 99	8541.10.0080	200					1.1 v @ 17.5 a		5 µa @ 600 v		35 a		단일 단일	600 v
rsfmlhm2g	-	RFQ	8073	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	RSFML	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	7,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v		1.3 v @ 500 ma	500 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	500ma	4pf @ 4V, 1MHz
SF1004GH	0.5732	RFQ	5328	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	SF1004	기준		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-SF1004GH	귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	200 v	10A	975 MV @ 5 a	35 ns	10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C
1SMB5936	0.1453	RFQ	1541	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	1SMB5936		3 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000							1 µa @ 22.8 v						30 v	26 옴
2A04G B0G	-	RFQ	9169	대만 대만 회사	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	2A04	기준		DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	짐		400 v		1 V @ 2 a		5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	15pf @ 4V, 1MHz
SRA820 C0G	-	RFQ	7744	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2	SRA820	Schottky		TO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		550 mV @ 8 a		500 µa @ 20 v	-55 ° C ~ 125 ° C	8a	-
BZD27C36PHRUG	0.2933	RFQ	8285	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.55%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,800					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 27 v						36 v	40
BAV99S Reg	-	RFQ	6830	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	bav99	기준		SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	2 연결 연결 시리즈	85 v	150ma	1.25 V @ 150 mA	6 ns	1 µa @ 75 v	-55 ° C ~ 150 ° C
BZD27C12P	0.7200	RFQ	9	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000					1.2 v @ 200 ma		3 µa @ 9.1 v						12.05 v	7 옴
sff10l08ga	0.4119	RFQ	5342	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	sff10l08	기준		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-SFF10L08GA	귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 양극 양극 공통	600 v	5a	1.3 V @ 5 a	35 ns	10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C
KBPF305G	0.5280	RFQ	3502	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, KBPF	KBPF305	기준		KBPF	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-KBPF305G	귀 99	8541.10.0080	2,100					1.1 v @ 1.5 a		5 µa @ 600 v		3 a		단일 단일	600 v
BZV55C3V9 L0G	0.0333	RFQ	8375	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	BZV55C		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000					1 V @ 10 ma		2 µa @ 1 v						3.9 v	85 옴
es2ja	0.1257	RFQ	6735	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	ES2J	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.7 V @ 2 a	35 ns	10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	20pf @ 4V, 1MHz
1M200Z A0G	-	RFQ	3808	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1M200		1 W.	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000							5 µa @ 152 v						200 v	1500 옴
ARS5045 B0G	-	RFQ	1924	대만 대만 회사	-	대부분	활동적인			표면 표면	ARS	ARS5045	기준		ARS	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		45 v		550 MV @ 50 a	150 ns	500 µa @ 45 v	-55 ° C ~ 175 ° C	50a	2700pf @ 4V, 1MHz
MBRS16100 MNG	-	RFQ	9597	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRS16100	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		850 mV @ 16 a		300 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	16A	-
BZD27C130PHRTG	-	RFQ	2421	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.41%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 100 v						132.5 v	300 옴
BZX79C2V4 A0G	-	RFQ	7240	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	BZX79		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000					1.5 v @ 100 ma		100 µa @ 1 v						2.4 v	100 옴
MTZJ33SD	0.0305	RFQ	5723	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204Ag, do-34, 축 방향	mtzj33		500MW	DO-34	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-MTZJ33SDTR	귀 99	8541.10.0050	10,000							200 na @ 25 v						32.3 v	65 옴
SS14L	0.4800	RFQ	31	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다			표면 표면	do-219ab	SS14	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		550 mV @ 1 a		400 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	-
BZV55C62 L1G	-	RFQ	8651	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	BZV55C		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500					1 V @ 10 ma		100 na @ 47 v						62 v	150 옴
GP1607H	-	RFQ	6942	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	GP1607	기준		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	짐	1 음극 음극 공통		16A	1.1 v @ 8 a		10 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C
TSZU52C22 RGG	0.0669	RFQ	9719	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	0603 (1608 메트릭)	TSZU52		150 MW	0603	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 17 v						22 v	55 옴
UG2JA	0.1257	RFQ	2352	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	UG2J	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.3 V @ 2 a	55 ns	2 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	20pf @ 4V, 1MHz
ES1BL RVG	-	RFQ	1022	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	ES1B	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		950 MV @ 1 a	35 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 1v, 1MHz
sr302hr0g	-	RFQ	8934	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SR302	Schottky		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,250	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		550 mV @ 3 a		500 µa @ 20 v	-55 ° C ~ 125 ° C	3A	-
1SMA5938 R3G	-	RFQ	6142	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	1SMA5938		1.5 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,800							500 NA @ 27.4 v						36 v	38 옴
ESH2B	0.1380	RFQ	4951	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	ESH2	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		900 mV @ 2 a	20 ns	2 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	25pf @ 4V, 1MHz
MUR310SHM6G	-	RFQ	9354	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	MUR310	기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		875 mv @ 3 a	25 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (15635)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²