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불연속 불연속 제품 (15635)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
BZD17C27P M2G	-	RFQ	8659	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 7.03%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD17		800MW	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500																1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 20 v							27 v	15 옴
BZX79C10	0.0287	RFQ	9765	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	BZX79		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-bzx79c10tr	귀 99	8541.10.0050	20,000																1.5 v @ 100 ma		200 na @ 7 v							10 v	20 옴
SR002 A0G	-	RFQ	7630	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	SR002	Schottky		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													20 v		550MV @ 500 MA		500 µa @ 20 v	-55 ° C ~ 125 ° C	500ma	110pf @ 4V, 1MHz
MBR30150PT	1.8014	RFQ	9167	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-247-3	MBR30150	Schottky		TO-247AD (TO-3P)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	150 v	30A	1.02 V @ 30 a		500 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C
es1fl mtg	-	RFQ	3883	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	es1f	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													300 v		1.3 v @ 1 a	35 ns	5 µa @ 300 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	8pf @ 1v, 1MHz
1N5398G A0G	-	RFQ	3190	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	1N5398	기준		DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500	짐													800 v		1 V @ 1.5 a		5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	15pf @ 4V, 1MHz
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SS24LHM2G	-	RFQ	1107	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	SS24	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													40 v		500 mV @ 2 a		400 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
SRS1620 MNG	-	RFQ	3485	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SRS1620	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	20 v	16A	550 mV @ 8 a		500 µa @ 20 v	-55 ° C ~ 125 ° C
MBR1535CT C0G	-	RFQ	6803	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBR1535	Schottky		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	35 v	15a	840 mV @ 15 a		500 µa @ 35 v	-55 ° C ~ 150 ° C
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MBRS1560CTHMNG	-	RFQ	2399	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRS1560	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	60 v	15a	750MV @ 7.5 a		100 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C
SR1203 B0G	-	RFQ	6444	대만 대만 회사	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SR1203	Schottky		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													30 v		550 mV @ 12 a		500 µa @ 30 v	-50 ° C ~ 150 ° C	12a	-
TSM018NA03CR RLG	1.4100	RFQ	69	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	TSM018	MOSFET (금속 (()		8-PDFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	30 v	185A (TC)	4.5V, 10V	1.8mohm @ 29a, 10V	2.5V @ 250µA	56 NC @ 10 v	± 20V	3479 pf @ 15 v	-	104W (TC)
SFA1003GHC0G	-	RFQ	8659	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	TO-220-2	SFA1003	기준		TO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													150 v		975 MV @ 10 a	35 ns	10 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	70pf @ 4V, 1MHz
SRAF1060 C0G	-	RFQ	7175	대만 대만 회사	-	튜브	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2	SRAF1060	Schottky		ITO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													60 v		700 mV @ 10 a		500 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	-
RS1KL RVG	0.4500	RFQ	23	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	RS1K	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													800 v		1.3 v @ 800 ma	500 ns	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	800ma	10pf @ 4V, 1MHz
MUR160 B0G	-	RFQ	7205	대만 대만 회사	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	MUR160	기준		DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													600 v		1.25 V @ 1 a	50 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	27pf @ 4V, 1MHz
HS1ML MTG	-	RFQ	5813	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	HS1M	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													1000 v		1.7 V @ 1 a	75 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
1N4764A r1g	-	RFQ	1315	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4764		1 W.	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000																		5 µa @ 76 v							100 v	350 옴
TS13002ACT A3G	-	RFQ	4091	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인		150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드	TS13002		600MW	To-92	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	2,000																						400 v	300 MA	1µA			NPN	1.5V @ 20MA, 200mA	25 @ 100MA, 10V	4MHz
SRF1090HC0G	-	RFQ	5824	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	SRF1090	Schottky		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	90 v	10A	900 mV @ 5 a		100 µa @ 90 v	-55 ° C ~ 150 ° C
MBR10200CT	0.5302	RFQ	9686	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBR1020	Schottky		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	200 v	10A	980 MV @ 10 a		100 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C
1N5236B A0G	-	RFQ	5499	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인	± 5%	100 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N5236		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000																1.1 v @ 200 ma		3 µa @ 6 v							7.5 v	6 옴
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BZT52B2V4 RHG	0.2700	RFQ	4	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123F	BZT52B		500MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																1 V @ 10 ma		45 µa @ 1 v							2.4 v	100 옴
MBRF750HC0G	-	RFQ	1287	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2	MBRF750	Schottky		ITO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													50 v		750MV @ 7.5 a		100 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	7.5A	-
BZD27C36P 깔개	0.2753	RFQ	6314	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.55%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,800																1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 27 v							36 v	40
HS1GL RVG	0.6700	RFQ	17	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	HS1G	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													400 v		1.3 v @ 1 a	50 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
es1clhmhg	-	RFQ	7164	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	ES1C	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													150 v		950 MV @ 1 a	35 ns	5 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (15635)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²