SIC
close

불연속 불연속 제품 (15635)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
FR301G A0G Taiwan Semiconductor Corporation FR301G A0G -
RFQ
 ECAD 3081 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 FR301 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 v @ 3 a 150 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1MHz
ES1HL RQG Taiwan Semiconductor Corporation ES1HL RQG -
RFQ
 ECAD 2815 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab ES1H 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 500 v 1.7 V @ 1 a 35 ns 5 µa @ 500 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 8pf @ 1v, 1MHz
FR152GHR0G Taiwan Semiconductor Corporation FR152GHR0G -
RFQ
 ECAD 4660 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 FR152 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.3 V @ 1.5 a 150 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 20pf @ 4V, 1MHz
BZD27C160PHMHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C160PHMHG -
RFQ
 ECAD 7702 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 120 v 162 v 350 옴
BZD27C39PHRVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C39PHRVG 0.2933
RFQ
 ECAD 5032 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 30 v 39 v 40
MBRF20L120CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRF20L120CT -
RFQ
 ECAD 9537 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MBRF20 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 120 v 20A 900 mV @ 20 a 20 µa @ 120 v -55 ° C ~ 150 ° C
HS1DLW RVG Taiwan Semiconductor Corporation HS1DLW RVG 0.1278
RFQ
 ECAD 6942 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123W HS1D 기준 SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 1 a 50 ns 1 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 16pf @ 4V, 1MHz
SF32GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation SF32GHB0G -
RFQ
 ECAD 4576 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SF32 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 950 MV @ 3 a 35 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 80pf @ 4V, 1MHz
SK83C R7G Taiwan Semiconductor Corporation SK83C R7G -
RFQ
 ECAD 3784 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC SK83 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 8 a 500 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 8a -
SS34 R7G Taiwan Semiconductor Corporation SS34 R7G -
RFQ
 ECAD 4025 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC SS34 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 3 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
MBRF1545CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1545CTHC0G -
RFQ
 ECAD 3025 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MBRF1545 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 15a 840 mV @ 15 a 500 µa @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
S1MB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S1MB R5G -
RFQ
 ECAD 1277 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB S1MB 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 짐 1000 v 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 12pf @ 4V, 1MHz
SR004H Taiwan Semiconductor Corporation SR004H 0.0760
RFQ
 ECAD 3153 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SR004 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550MV @ 500 MA 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 500ma 110pf @ 4V, 1MHz
MBR10L100CT Taiwan Semiconductor Corporation MBR10L100CT -
RFQ
 ECAD 3589 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR10 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 10A 850 mv @ 10 a 20 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
SS22HM4G Taiwan Semiconductor Corporation SS22HM4G -
RFQ
 ECAD 6585 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB SS22 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 500 mV @ 2 a 400 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 2A -
SS15LHRHG Taiwan Semiconductor Corporation SS15LHRHG -
RFQ
 ECAD 5034 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS15 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 700 mv @ 1 a 400 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
BZY55C3V9 RYG Taiwan Semiconductor Corporation bzy55c3v9 Ryg 0.0350
RFQ
 ECAD 4323 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 0805 (2012 5) bzy55 500MW 0805 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 10 ma 2 µa @ 1 v 3.9 v 85 옴
1N4005GR0 Taiwan Semiconductor Corporation 1N4005GR0 -
RFQ
 ECAD 7055 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4005 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 짐 600 v 1 V @ 1 a 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
TSM220NB06CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM220NB06CR RLG 1.6800
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn TSM220 MOSFET (금속 (() 8-PDFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 8A (TA), 35A (TC) 10V 22mohm @ 8a, 10V 4V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 20V 1454 pf @ 30 v - 3.1W (TA), 68W (TC)
SFF1006GAHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFF1006GAHC0G -
RFQ
 ECAD 3749 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 SFF1006 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 400 v 10A (DC) 1.3 V @ 5 a 35 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C
MUR315SHM6G Taiwan Semiconductor Corporation MUR315SHM6G -
RFQ
 ECAD 4072 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC MUR315 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 875 mv @ 3 a 25 ns 5 µa @ 150 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A -
LSR103 L0G Taiwan Semiconductor Corporation LSR103 L0G 0.1584
RFQ
 ECAD 5020 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AB, MELF LSR103 Schottky 멜프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 1 a 1 ma @ 30 v -65 ° C ~ 125 ° C 1A 110pf @ 4V, 1MHz
S1ALHRHG Taiwan Semiconductor Corporation s1alhrhg -
RFQ
 ECAD 2410 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab S1A 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 짐 50 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
TSZU52C5V6 Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C5V6 0.0669
RFQ
 ECAD 4562 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 0603 (1608 메트릭) TSZU52 150 MW 0603 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-tszu52c5v6tr 귀 99 8541.10.0050 20,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 1 v 5.6 v 40
BZT52C12 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C12 RHG 0.2700
RFQ
 ECAD 1114 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52C 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 10 ma 90 na @ 8 v 12 v 25 옴
S2B R5G Taiwan Semiconductor Corporation S2B R5g -
RFQ
 ECAD 5139 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB S2B 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 짐 100 v 1.15 V @ 2 a 1.5 µs 1 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 30pf @ 4V, 1MHz
SR504HB0G Taiwan Semiconductor Corporation SR504HB0G -
RFQ
 ECAD 2728 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SR504 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 5 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 5a -
SS310LHR3G Taiwan Semiconductor Corporation SS310LHR3G 0.4613
RFQ
 ECAD 6659 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS310 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mV @ 3 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
SRT14H Taiwan Semiconductor Corporation SRT14H 0.0627
RFQ
 ECAD 8353 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 T-18, 축, SRT14 Schottky TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 1 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
UG56GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation UG56GHA0G -
RFQ
 ECAD 4129 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 UG56 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.55 V @ 5 a 20 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 5a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
Enter를 누르십시오. 검색 또는 ESC를 닫으십시오