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불연속 불연속 제품 (15635)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
HS2G	0.1207	RFQ	4307	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	HS2G	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													400 v		1.3 V @ 2 a	50 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	50pf @ 4V, 1MHz
MBRS25H45CT	0.8505	RFQ	2096	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRS25	Schottky		TO-263AB (D2PAK)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-MBRS25H45CTTR	귀 99	8541.10.0080	1,600	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	45 v	25A	900 MV @ 25 a		200 µa @ 45 v	-55 ° C ~ 175 ° C
TSS0230U	0.0791	RFQ	6668	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	0603 (1608 메트릭)	TSS0230	Schottky		0603	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-TSS0230UTR	귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도													35 v		600 mv @ 200 ma		1 µa @ 10 v	-40 ° C ~ 125 ° C	200ma	18pf @ 1v, 1MHz
RSFKLHM2G	-	RFQ	5151	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	RSFKL	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	7,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													800 v		1.3 v @ 500 ma	500 ns	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	500ma	4pf @ 4V, 1MHz
1N5393G A0G	-	RFQ	2504	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	1N5393	기준		DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500	짐													200 v		1 V @ 1.5 a		5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	15pf @ 4V, 1MHz
BZX79B4V3 A0G	-	RFQ	9617	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	BZX79		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000																1.5 v @ 100 ma		1 ma @ 5 v							4.3 v	90 옴
SS26LW	0.4000	RFQ	18	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123W	SS26	Schottky		SOD-123W	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													60 v		700 mv @ 2 a		200 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
1SMA4762	0.0935	RFQ	3797	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	1SMA4762		1.25 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500																		1 µa @ 62.2 v							82 v	200 옴
TSC873CT B0G	-	RFQ	5899	대만 대만 회사	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			1 W.	To-92	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	TSC873CTB0G	귀 99	8541.29.0095	2,000																						400 v	1 a	1MA			NPN	1V @ 250MA, 1A	80 @ 250ma, 10V	-
TSPB15U100	1.4100	RFQ	22	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	TSPB15	Schottky		smpc4.0	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	6,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		700 mV @ 15 a		250 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	15a	-
SRAF10100	-	RFQ	7058	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2		Schottky		ITO-220AC	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-SRAF10100	귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		850 mv @ 10 a		100 @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	-
HER101G B0G	-	RFQ	8880	대만 대만 회사	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	HER101	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													50 v		1 V @ 1 a	50 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
BZT52C22-G	0.0445	RFQ	8728	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52C		350 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZT52C22-GTR	귀 99	8541.10.0050	6,000																900 mV @ 10 ma		100 na @ 15.4 v							22 v	55 옴
BZD17C13P MHG	-	RFQ	8759	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.53%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD17		800MW	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																1.2 v @ 200 ma		2 µa @ 10 v							13 v	10 옴
SR506HB0G	-	RFQ	1159	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SR506	Schottky		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													60 v		700 mv @ 5 a		500 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	-
BZX55B30 A0G	-	RFQ	2199	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	BZX55		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000																1 v @ 100 ma		100 na @ 22 v							30 v	80 옴
S1KFS MWG	0.4300	RFQ	15	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-128	S1K	기준		SOD-128	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,500	짐													800 v		1.1 v @ 1 a		1 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	9pf @ 4V, 1MHz
bzy55c8v2 Ryg	-	RFQ	3397	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	0805 (2012 5)	bzy55		500MW	0805	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000																1.5 v @ 10 ma		100 na @ 6.2 v							8.2 v	7 옴
S15KCHM6G	-	RFQ	7019	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	S15K	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	짐													800 v		1.1 v @ 15 a		1 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	15a	93pf @ 4v, 1MHz
SFAS805GH	-	RFQ	1284	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SFAS805	기준		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													300 v		1.3 V @ 8 a	35 ns	10 µa @ 300 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	60pf @ 4V, 1MHz
sf38gh	0.2703	RFQ	5967	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SF38	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,250	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													600 v		1.7 V @ 3 a	35 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz
TSM7P06CP ROG	1.2100	RFQ	4	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	TSM7	MOSFET (금속 (()		TO-252, (D-PAK)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	60 v	7A (TC)	4.5V, 10V	180mohm @ 3a, 10V	2.5V @ 250µA	8.2 NC @ 10 v	± 20V	425 pf @ 30 v	-	15.6W (TC)
SFA802GHC0G	-	RFQ	5808	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2	SFA802	기준		TO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													100 v		975 MV @ 8 a	35 ns	10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	100pf @ 4V, 1MHz
1SMB5926HR5G	-	RFQ	3587	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	1SMB5926		3 w	DO-214AA (SMB)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	850																		1 µa @ 8.4 v							11 v	5.5 옴
SR102	-	RFQ	5972	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		Schottky		DO-204AL (DO-41)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-sr102tr	귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													20 v		550 mV @ 1 a		500 µa @ 20 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	-
RS2MAH	0.0957	RFQ	4662	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	RS2M	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													1000 v		1.3 V @ 1.5 a	500 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	50pf @ 4V, 1MHz
BZD27C10PHM2G	-	RFQ	3278	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500																1.2 v @ 200 ma		7 µa @ 7.5 v							10 v	4 옴
BZD27C33P MHG	-	RFQ	7041	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.06%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 24 v							33 v	15 옴
1N914BWS RRG	0.0268	RFQ	3012	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-90, SOD-323F	1N914	기준		SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도													100 v		1 v @ 100 ma	4 ns	5 µa @ 75 v	-65 ° C ~ 150 ° C	150ma	4pf @ 0V, 1MHz
BZT55B4V7 L0G	0.0385	RFQ	4585	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	BZT55		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																1 V @ 10 ma		500 na @ 1 v							4.7 v	60 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (15635)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²