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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
SK215A Taiwan Semiconductor Corporation SK215A 0.4100
RFQ
ECAD 19 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SK215 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 2 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
SS110L Taiwan Semiconductor Corporation SS110L 0.5200
RFQ
ECAD 35 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS110 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 800 mv @ 1 a 50 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
S1MLS RVG Taiwan Semiconductor Corporation S1MLS RVG 0.4100
RFQ
ECAD 60 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123H S1ML 기준 SOD-123HE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 V @ 1.2 a 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.2A -
S1MLW Taiwan Semiconductor Corporation S1MLW 0.3500
RFQ
ECAD 12 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123W S1ML 기준 SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 1000 v 1.1 v @ 1 a 1 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
RS1MLW Taiwan Semiconductor Corporation Rs1mlw 0.4200
RFQ
ECAD 6 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123W Rs1m 기준 SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 v @ 1 a 250 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
RS2DA R3G Taiwan Semiconductor Corporation RS2DA R3G -
RFQ
ECAD 7225 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA RS2D 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 V @ 1.5 a 150 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 50pf @ 4V, 1MHz
RS2DAHR3G Taiwan Semiconductor Corporation RS2DAHR3G -
RFQ
ECAD 8781 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA RS2D 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 V @ 1.5 a 150 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 50pf @ 4V, 1MHz
1M110ZHR1G Taiwan Semiconductor Corporation 1M110ZHR1G -
RFQ
ECAD 6118 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1M110 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 83.6 v 110 v 450 옴
1M150Z R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1M150Z R1G -
RFQ
ECAD 4756 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1M150 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 114 v 150 v 1000 옴
1M200Z R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1M200Z R1G -
RFQ
ECAD 3720 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1M200 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 152 v 200 v 1500 옴
1N4741AHR1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4741AHR1G -
RFQ
ECAD 6979 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4741 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 15.2 v 11 v 22 옴
1N4745A R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4745A r1g -
RFQ
ECAD 4583 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4745 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 12.2 v 16 v 20 옴
1N4763A R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4763A r1g -
RFQ
ECAD 1347 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4763 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 69.2 v 91 v 250 옴
UG56GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation UG56GHB0G -
RFQ
ECAD 3087 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 UG56 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.55 V @ 5 a 20 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 5a -
GBPC15005M T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC15005M T0G -
RFQ
ECAD 5890 0.00000000 대만 대만 회사 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC-M GBPC15005 기준 GBPC-M 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 7.5 a 5 µa @ 50 v 15 a 단일 단일 50 v
GBPC1502W T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC1502W T0G -
RFQ
ECAD 6052 0.00000000 대만 대만 회사 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, GBPC-W GBPC1502 기준 GBPC-W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 7.5 a 5 µa @ 200 v 15 a 단일 단일 200 v
GBPC1504W T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC1504W T0G -
RFQ
ECAD 4379 0.00000000 대만 대만 회사 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, GBPC-W GBPC1504 기준 GBPC-W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 7.5 a 5 µa @ 400 v 15 a 단일 단일 400 v
GBPC1506W T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC1506W T0G -
RFQ
ECAD 8514 0.00000000 대만 대만 회사 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, GBPC-W GBPC15 기준 GBPC-W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 7.5 a 5 µa @ 600 v 15 a 단일 단일 600 v
GBPC1510M T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC1510M T0G -
RFQ
ECAD 2358 0.00000000 대만 대만 회사 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC-M GBPC1510 기준 GBPC-M 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 7.5 a 5 µa @ 1000 v 15 a 단일 단일 1kv
GBPC1510W T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC1510W T0G -
RFQ
ECAD 2218 0.00000000 대만 대만 회사 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, GBPC-W GBPC1510 기준 GBPC-W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 7.5 a 5 µa @ 1000 v 15 a 단일 단일 1kv
GBPC2501 T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC2501 T0G -
RFQ
ECAD 9289 0.00000000 대만 대만 회사 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC GBPC2501 기준 GBPC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 12.5 a 5 µa @ 100 v 25 a 단일 단일 100 v
GBPC2506M T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC2506M T0G -
RFQ
ECAD 5831 0.00000000 대만 대만 회사 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC-M GBPC2506 기준 GBPC-M 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 12.5 a 5 µa @ 600 v 25 a 단일 단일 600 v
GBPC2508 T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC2508 T0G -
RFQ
ECAD 3509 0.00000000 대만 대만 회사 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC GBPC2508 기준 GBPC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 12.5 a 5 µa @ 800 v 25 a 단일 단일 800 v
GBPC2510 T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC2510 T0G -
RFQ
ECAD 1743 0.00000000 대만 대만 회사 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC GBPC2510 기준 GBPC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 12.5 a 5 µa @ 1000 v 25 a 단일 단일 1kv
GBPC35005W T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC35005W T0G -
RFQ
ECAD 1316 0.00000000 대만 대만 회사 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, GBPC-W GBPC35005 기준 GBPC-W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 17.5 a 5 µa @ 50 v 35 a 단일 단일 50 v
GBPC3502W T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC3502W T0G -
RFQ
ECAD 8956 0.00000000 대만 대만 회사 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, GBPC-W GBPC3502 기준 GBPC-W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 17.5 a 5 µa @ 200 v 35 a 단일 단일 200 v
GBPC3510 T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC3510 T0G -
RFQ
ECAD 5547 0.00000000 대만 대만 회사 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC GBPC3510 기준 GBPC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 17.5 a 5 µa @ 1000 v 35 a 단일 단일 1kv
GBPC3510W T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC3510W T0G -
RFQ
ECAD 2297 0.00000000 대만 대만 회사 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, GBPC-W GBPC3510 기준 GBPC-W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 17.5 a 5 µa @ 1000 v 35 a 단일 단일 1kv
GBPC40005M T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC40005M T0G -
RFQ
ECAD 2575 0.00000000 대만 대만 회사 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC40-M GBPC40005 기준 GBPC40-M 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 20 a 10 µa @ 50 v 40 a 단일 단일 50 v
GBPC4002 T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC4002 T0G -
RFQ
ECAD 2252 0.00000000 대만 대만 회사 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC40 GBPC4002 기준 GBPC40 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 20 a 10 µa @ 100 v 40 a 단일 단일 200 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고