SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
FR155G B0G Taiwan Semiconductor Corporation FR155G B0G -
RFQ
ECAD 6843 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 FR155 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 V @ 1.5 a 250 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 20pf @ 4V, 1MHz
BZD27C30P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C30P RQG -
RFQ
ECAD 7941 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.66% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 22 v 30 v 15 옴
BZD27C220PHRHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C220PHRHG -
RFQ
ECAD 1718 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.66% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 160 v 220.5 v 900 옴
BZD27C39P M2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C39P M2G -
RFQ
ECAD 4502 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 30 v 39 v 40
BZD27C12PHMHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C12PHMHG -
RFQ
ECAD 5473 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.39% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 3 µa @ 9.1 v 12.05 v 7 옴
BZD27C12P Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C12P 0.7200
RFQ
ECAD 9 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 3 µa @ 9.1 v 12.05 v 7 옴
BZD27C36PHRUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C36PHRUG 0.2933
RFQ
ECAD 8285 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 27 v 36 v 40
2A04G B0G Taiwan Semiconductor Corporation 2A04G B0G -
RFQ
ECAD 9169 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2A04 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 400 v 1 V @ 2 a 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 15pf @ 4V, 1MHz
2M82Z B0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M82Z B0G -
RFQ
ECAD 5200 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M82 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 500 NA @ 62.2 v 82 v 100 옴
BZD27C150P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C150P RQG -
RFQ
ECAD 1772 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 110 v 147 v 300 옴
TUAS8G Taiwan Semiconductor Corporation tuas8g 0.6900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn tuas8 기준 smpc4.6u 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 400 v 1.1 v @ 8 a 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 62pf @ 4V, 1MHz
FR203G Taiwan Semiconductor Corporation FR203G -
RFQ
ECAD 7221 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 기준 DO-204AC (DO-15) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-FR203GTR 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 V @ 2 a 150 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 10pf @ 4V, 1MHz
SS34FSH Taiwan Semiconductor Corporation SS34FSH 0.1338
RFQ
ECAD 3227 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 SS34 Schottky SOD-128 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-SS34FSHTR 귀 99 8541.10.0080 14,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 590 mV @ 3 a 200 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 54pf @ 4V, 1MHz
PU3JB Taiwan Semiconductor Corporation pu3jb 0.1454
RFQ
ECAD 1549 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB pu3j 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-pu3jbtr 귀 99 8541.10.0080 6,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 3 a 26 ns 2 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 31pf @ 4V, 1MHz
SD103CW Taiwan Semiconductor Corporation SD103CW 0.0578
RFQ
ECAD 4966 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 SD103 Schottky SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-SD103CWTR 귀 99 8541.10.0070 6,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 600 mv @ 200 ma 5 µa @ 20 v 125 ° C 350ma 50pf @ 0V, 1MHz
BZX584B2V4 Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B2V4 0.0790
RFQ
ECAD 1870 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX584 150 MW SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZX584B2V4TR 귀 99 8541.10.0050 8,000 900 mV @ 10 ma 50 µa @ 1 v 2.4 v 100 옴
RS3G V7G Taiwan Semiconductor Corporation RS3G V7G -
RFQ
ECAD 5480 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC RS3G 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 150 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
1SMB5949 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5949 0.1453
RFQ
ECAD 3155 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1SMB5949 3 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 76 v 100 v 250 옴
BZD17C220P MHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C220P MHG -
RFQ
ECAD 4677 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.68% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 160 v 220 v 900 옴
S3K R6G Taiwan Semiconductor Corporation S3K R6g -
RFQ
ECAD 9275 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-S3KR6GTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 800 v 1.15 V @ 3 a 1.5 µs 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
HER158GH Taiwan Semiconductor Corporation HER158GH 0.1203
RFQ
ECAD 7856 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-her158ghtr 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.7 V @ 1.5 a 75 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 20pf @ 4V, 1MHz
SR105HA0G Taiwan Semiconductor Corporation sr105ha0g -
RFQ
ECAD 1392 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SR105 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 700 mv @ 1 a 500 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
HS5A R6G Taiwan Semiconductor Corporation HS5A R6g -
RFQ
ECAD 9378 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-HS5AR6GTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1 V @ 5 a 50 ns 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 80pf @ 4V, 1MHz
MUR315SHR7G Taiwan Semiconductor Corporation MUR315SHR7G -
RFQ
ECAD 4737 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC MUR315 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 875 mv @ 3 a 25 ns 5 µa @ 150 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A -
DBLS106G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS106G C1G -
RFQ
ECAD 9954 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DBLS106 기준 DBLS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 1 a 2 µa @ 800 v 1 a 단일 단일 800 v
S5M M6 Taiwan Semiconductor Corporation S5M M6 -
RFQ
ECAD 1616 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-s5mm6tr 귀 99 8541.10.0080 3,000 1000 v 1.15 V @ 5 a 1.5 µs 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 60pf @ 4V, 1MHz
BZD27C15PWH Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C15PWH 0.4700
RFQ
ECAD 1836 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123W BZD27 1 W. SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 v @ 200 ma 1 µa @ 11 v 15 v 10 옴
1SMA5947H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5947H 0.0995
RFQ
ECAD 2794 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA5947 1.5 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 500 NA @ 62.2 v 82 v 160 옴
TSSE3H45 Taiwan Semiconductor Corporation TSSE3H45 0.6700
RFQ
ECAD 20 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123H TSSE3 Schottky SOD-123HE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 570 mV @ 3 a 100 µa @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
1PGSMA4743HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsma4743hr3g -
RFQ
ECAD 1275 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1pgsMA4743 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 9.9 v 13 v 10 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고