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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
FR302G R0G Taiwan Semiconductor Corporation FR302G R0G -
RFQ
ECAD 5951 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 FR302 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.3 v @ 3 a 150 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1MHz
BZV55C15 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C15 L0G 0.0333
RFQ
ECAD 3243 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55C 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 100 na @ 11 v 15 v 30 옴
1SMA4756HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4756HR3G -
RFQ
ECAD 5993 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA4756 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1 µa @ 35.8 v 47 v 80 옴
S12KC M6G Taiwan Semiconductor Corporation S12KC M6G -
RFQ
ECAD 3615 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC S12K 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 800 v 1.1 v @ 12 a 1 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 12a 78pf @ 4V, 1MHz
BZT55C18 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C18 0.0350
RFQ
ECAD 1600 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-80 변형 500MW Qmmelf 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT55C18TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 100 na @ 13 v 18 v 50 옴
HER206G B0G Taiwan Semiconductor Corporation HER206G B0G -
RFQ
ECAD 7985 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 HER206 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 2 a 75 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 20pf @ 4V, 1MHz
BZD17C27P RVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C27P RVG 0.2625
RFQ
ECAD 3070 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 7.03% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 20 v 27 v 15 옴
1N5391G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5391G A0G -
RFQ
ECAD 6235 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 1N5391 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 50 v 1.1 v @ 1.5 a 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 15pf @ 4V, 1MHz
BZD27C30PHM2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C30PHM2G -
RFQ
ECAD 5426 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.66% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 22 v 30 v 15 옴
BZY55C13 RYG Taiwan Semiconductor Corporation bzy55c13 Ryg 0.0354
RFQ
ECAD 1830 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 0805 (2012 5) bzy55 500MW 0805 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 10 ma 100 na @ 10 v 13 v 26 옴
SS15L M2G Taiwan Semiconductor Corporation SS15L M2G -
RFQ
ECAD 9065 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS15 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 700 mv @ 1 a 400 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
SK24A R3G Taiwan Semiconductor Corporation SK24A R3G -
RFQ
ECAD 7614 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA SK24 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 2 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 2A -
1SMA4764 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4764 0.0935
RFQ
ECAD 3839 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA4764 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1 µa @ 76 v 100 v 350 옴
SS1H4LS Taiwan Semiconductor Corporation SS1H4LS 0.1149
RFQ
ECAD 7515 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123H SS1H4 Schottky SOD-123HE 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-SS1H4LSTR 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 650 mV @ 1 a 1 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
BZD17C11P MHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C11P MHG -
RFQ
ECAD 8502 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 4 µa @ 8.2 v 11 v 7 옴
SRA1690HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA1690HC0G -
RFQ
ECAD 7901 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-2 SRA1690 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 920 MV @ 16 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 16A -
UF4006 A0G Taiwan Semiconductor Corporation UF4006 A0G -
RFQ
ECAD 8207 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 UF4006 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17pf @ 4V, 1MHz
TSF20U60C Taiwan Semiconductor Corporation TSF20U60C 2.5400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 TSF20 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 10A 540 mV @ 10 a 300 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
ES2LG R5G Taiwan Semiconductor Corporation ES2LG R5G -
RFQ
ECAD 6422 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB ES2L 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 2 a 35 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 20pf @ 4V, 1MHz
1N4934G R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4934G R1G -
RFQ
ECAD 2001 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4934 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
BZX584B3V6 Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B3V6 0.0798
RFQ
ECAD 9168 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX584 150 MW SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZX584B3V6TR 귀 99 8541.10.0050 8,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 1 v 3.6 v 90 옴
SF23G R0G Taiwan Semiconductor Corporation SF23G R0G -
RFQ
ECAD 6919 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 SF23 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 2 a 35 ns 5 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 40pf @ 4V, 1MHz
BZD27C39PHRQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C39PHRQG -
RFQ
ECAD 3713 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 30 v 39 v 40
SS22L RVG Taiwan Semiconductor Corporation SS22L RVG 0.6000
RFQ
ECAD 3129 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS22 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 500 mV @ 2 a 400 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 2A -
BZX585B6V2 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B6V2 RSG 0.0481
RFQ
ECAD 1528 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX585B6 200 MW SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 2.7 µa @ 4 v 6.2 v 10 옴
ES2LJH Taiwan Semiconductor Corporation es2ljh 0.1309
RFQ
ECAD 7880 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB ES2L 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 2 a 35 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 20pf @ 4V, 1MHz
MBR30100CT Taiwan Semiconductor Corporation MBR30100CT 0.8994
RFQ
ECAD 5414 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR30100 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 30A 940 mV @ 30 a 200 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
SF3002PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation SF3002PT C0G -
RFQ
ECAD 3697 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 SF3002 기준 TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 950 MV @ 15 a 35 ns 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 30A 175pf @ 4V, 1MHz
TST30L100CW Taiwan Semiconductor Corporation TST30L100CW 2.4800
RFQ
ECAD 886 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 TST30 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 820 MV @ 15 a 200 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 15a -
1N4005G B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4005G B0G -
RFQ
ECAD 2276 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4005 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 600 v 1 V @ 1 a 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고