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불연속 불연속 제품 (15635)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
BZD27C39PHM2G	-	RFQ	6082	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.12%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 30 v						39 v	40
bzy55b3v9 Ryg	-	RFQ	1011	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	0805 (2012 5)	bzy55		500MW	0805	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000					1.5 v @ 10 ma		2 µa @ 1 v						3.9 v	85 옴
KBP157G C2	-	RFQ	3670	대만 대만 회사	-	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, KBP		기준		KBP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000					1.1 v @ 1.5 a		10 µa @ 1000 v		1.5 a		단일 단일	1kv
DBLS159G C1G	-	RFQ	2936	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	DBLS159	기준		DBLS	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50					1.25 V @ 1.5 a		2 µa @ 1400 v		1.5 a		단일 단일	1.4kV
UR4KB60-B	0.5982	RFQ	9044	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 에미	UR4KB60	기준		D3K	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	25					1 V @ 2 a		10 µa @ 600 v		4 a		단일 단일	600 v
SK55C R7	-	RFQ	5576	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC		Schottky		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-SK55CR7TR	귀 99	8541.10.0080	850	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		750 mV @ 5 a		500 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	-
MUR310SHR7G	-	RFQ	2344	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	MUR310	기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		875 mv @ 3 a	25 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	-
1SMA5954 R3G	-	RFQ	1667	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	1SMA5954		1.5 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,800							500 NA @ 121.6 v						160 v	700 옴
GBPC1506W T0G	-	RFQ	8514	대만 대만 회사	-	쟁반	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 스퀘어, GBPC-W	GBPC15	기준		GBPC-W	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	100					1.1 v @ 7.5 a		5 µa @ 600 v		15 a		단일 단일	600 v
RS1BLHMQG	-	RFQ	1599	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	RS1B	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		1.3 v @ 800 ma	150 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	800ma	10pf @ 4V, 1MHz
BAT54SD-G	0.1224	RFQ	3507	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Bat54	Schottky		SOT-363	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BAT54SD-GTR	귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	2 음극 음극 공통	30 v	200ma	240 mV @ 100 ma		2 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 150 ° C
BZT52B24-G RHG	0.0461	RFQ	5036	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52B		410 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 16.8 v						24 v	70 옴
BZX84C6V8 RFG	0.0511	RFQ	1177	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84		300MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		2 µa @ 4 v						6.8 v	15 옴
hs1dlwh	0.0906	RFQ	8689	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123W		기준		SOD-123W	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-HS1DLWHTR	귀 99	8541.10.0080	20,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1 V @ 1 a	50 ns	1 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	16pf @ 4V, 1MHz
UR8KB80	0.8976	RFQ	7950	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 에미	UR8KB80	기준		D3K	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	25					1.2 v @ 8 a		10 µa @ 800 v		8 a		단일 단일	800 v
S5KB R5G	0.5600	RFQ	2	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AA, SMB	S5K	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		800 v		1.1 v @ 5 a		10 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	40pf @ 4V, 1MHz
mbr3060pth	1.7963	RFQ	4431	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-247-3	MBR3060	Schottky		TO-247AD (TO-3P)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-mbr3060pth	귀 99	8541.10.0080	900	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	60 v	30A			1 ma @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C
BZV55B27 L0G	0.0357	RFQ	2738	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	BZV55B		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000					1 v @ 100 ma		100 na @ 20 v						27 v	80 옴
BZD17C12P RQG	-	RFQ	7481	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.41%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD17		800MW	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000					1.2 v @ 200 ma		3 µa @ 9.1 v						12 v	7 옴
MUR360SB R5G	1.0500	RFQ	37	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AA, SMB	MUR360	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.25 V @ 3 a	50 ns	10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	40pf @ 4V, 1MHz
SFF2002GHC0G	-	RFQ	6458	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	SFF2002	기준		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		975 MV @ 10 a	35 ns	10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	20A	90pf @ 4V, 1MHz
BZD27C91P RFG	-	RFQ	6555	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.07%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 68 v						90.5 v	200 옴
HER305G A0G	1.1900	RFQ	732	대만 대만 회사	-	컷 컷 (CT)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	HER305	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 v @ 3 a	50 ns	10 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz
BZD27C18PW	0.4900	RFQ	14	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123W	BZD27		1 W.	SOD-123W	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000					1 v @ 200 ma		1 µa @ 13 v						18 v	15 옴
TSF30L120C	1.1298	RFQ	8020	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	TSF30	Schottky		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	120 v	15a	880 mV @ 15 a		250 µa @ 120 v	-55 ° C ~ 150 ° C
mur260	0.1619	RFQ	8614	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	mur260	기준		DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-MUR260TR	귀 99	8541.10.0080	3,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.35 V @ 2 a	50 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	26pf @ 4V, 1MHz
MBRS20H100CT	1.5300	RFQ	1	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRS20	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	100 v	20A	950 MV @ 20 a		5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 175 ° C
S1KLW RVG	0.0762	RFQ	5934	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123W	S1K	기준		SOD-123W	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		800 v		1.1 v @ 1 a		1 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	-
GP1602 C0G	-	RFQ	8440	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	GP1602	기준		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	짐	1 음극 음극 공통	100 v	16A	1.1 v @ 8 a		10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C
SS1H15LW RVG	0.1517	RFQ	4520	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123W	SS1H15	Schottky		SOD-123W	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		850 mv @ 1 a		500 NA @ 150 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (15635)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²