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불연속 불연속 제품 (15635)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
BZD27C130PHRUG	-	RFQ	8997	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.41%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,800					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 100 v						132.5 v	300 옴
2M200Z B0G	-	RFQ	4337	대만 대만 회사	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	2M200		2 w	DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,000							500 NA @ 152 v						200 v	900 옴
1pgsma4764 R3g	-	RFQ	8525	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	1pgsma4764		1.25 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,800					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 76 v						100 v	350 옴
es2balh	0.1491	RFQ	5284	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-221ac, sma 플랫 리드		기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-es2balhtr	귀 99	8541.10.0080	14,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		950 MV @ 2 a	35 ns	1 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	28pf @ 4V, 1MHz
TS40P05GH	2.8000	RFQ	504	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, TS-6p	TS40P05	기준		TS-6P	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	15					1.1 v @ 20 a		10 µa @ 600 v		40 a		단일 단일	600 v
BZD27C30P RVG	0.0980	RFQ	1188	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 22 v						30 v	15 옴
TS25P05GH	1.4526	RFQ	2154	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, TS-6p	TS25P05	기준		TS-6P	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	15					1.1 v @ 25 a		10 µa @ 600 v		25 a		단일 단일	600 v
BZT52B4V7S	0.0340	RFQ	2496	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-90, SOD-323F	BZT52B		200 MW	SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZT52B4V7str	귀 99	8541.10.0050	10,000					1 V @ 10 ma		2.7 µa @ 2 v						4.7 v	80 옴
1N4753AH	0.1188	RFQ	2101	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4753		1 W.	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000							5 µa @ 27.4 v						36 v	50 옴
abs6 reg	0.9200	RFQ	2	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	abs6	기준		ABS	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000					950 mV @ 400 mA		10 µa @ 600 v		1 a		단일 단일	600 v
SS29L RHG	-	RFQ	6727	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	SS29	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		90 v		850 mv @ 2 a		100 µa @ 90 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
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1SMA160Z	0.1229	RFQ	4286	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	1SMA160		1.25 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500							1 µa @ 121.6 v						160 v	1100 옴
s2mfsh	0.0683	RFQ	4007	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-128		기준		SOD-128	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-S2MFSHTR	귀 99	8541.10.0080	28,000	짐		1000 v		1.1 v @ 2 a		1 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	12pf @ 4V, 1MHz
RS1DLHRHG	-	RFQ	7635	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	RS1D	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1.3 v @ 800 ma	150 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	800ma	10pf @ 4V, 1MHz
HERF1002G C0G	-	RFQ	3300	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	HERF1002	기준		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	100 v	10A	1 V @ 10 a	50 ns	10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C
BAT54C RFG	0.2600	RFQ	116	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Bat54	Schottky		SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	1 음극 음극 공통	30 v	200ma	1 v @ 100 ma	5 ns	2 µa @ 25 v	-55 ° C ~ 125 ° C
SS26L M2G	-	RFQ	7064	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	SS26	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		700 mv @ 2 a		400 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
BZS55B15 RXG	-	RFQ	9021	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	1206 (3216 메트릭)	BZS55		500MW	1206	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000					1.5 v @ 10 ma		100 na @ 11 v						15 v	30 옴
SR1504	0.9549	RFQ	9900	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	R-6, 축,	SR1504	Schottky		R-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		550 mV @ 15 a		500 µa @ 40 v	-50 ° C ~ 150 ° C	15a	-
SS310 R6	-	RFQ	5958	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC		Schottky		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-SS310R6TR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		850 mV @ 3 a		100 @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
1pgsmb5933	0.1689	RFQ	9386	대만 대만 회사	1pgsmb59	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB			3 w	DO-214AA (SMB)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000							1 µa @ 16.7 v						22 v	17.5 옴
BZD17C18P MHG	-	RFQ	3130	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.38%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD17		800MW	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 13 v						18 v	15 옴
TSU2M60H	0.4200	RFQ	12	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2-SMD,, 리드	TSU2	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-TSU2M60HTR	귀 99	8541.10.0080	12,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		770 mv @ 2 a		100 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	100pf @ 4V, 1MHz
SF46GH	0.2862	RFQ	6953	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SF46	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,250	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 V @ 4 a	35 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	4a	80pf @ 4V, 1MHz
BZX55C6V8	0.0282	RFQ	2662	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	BZX55		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZX55C6V8tr	귀 99	8541.10.0050	10,000					1 v @ 100 ma		100 na @ 3 v						6.8 v	8 옴
S2BA R3g	0.4900	RFQ	350	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AC, SMA	S2B	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800	짐		100 v		1.1 v @ 1.5 a	1.5 µs	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	30pf @ 4V, 1MHz
MBR1050 C0G	-	RFQ	1627	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2	MBR1050	기준		TO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	짐		50 v		800 mV @ 10 a		100 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	-
S1GM RSG	0.1404	RFQ	5562	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2-SMD,, 리드	S1G	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		400 v		1.1 v @ 1 a	780 ns	1 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	5pf @ 4V, 1MHz
UDZS33B R9G	0.0354	RFQ	8129	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-90, SOD-323F	UDZS33		200 MW	SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000							45 na @ 25 v						33 v	100 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (15635)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²