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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
BZD27C220PHM2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C220PHM2G -
RFQ
ECAD 5389 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.66% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 160 v 220.5 v 900 옴
BZT55B12 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B12 L0G 0.0385
RFQ
ECAD 6969 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZT55 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 100 na @ 9.1 v 12 v 20 옴
TSM7P06CP Taiwan Semiconductor Corporation TSM7P06CP 0.4877
RFQ
ECAD 9946 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TSM7 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-tsm7p06cptr 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 60 v 7A (TC) 4.5V, 10V 180mohm @ 3a, 10V 2.5V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 425 pf @ 30 v - 15.6W (TC)
BZD17C47P MHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C47P MHG -
RFQ
ECAD 7958 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.38% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 36 v 47 v 45 옴
TSM032NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM032NH04LCR RLG 3.8200
RFQ
ECAD 4 0.00000000 대만 대만 회사 Perfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-PDFNU (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 25A (TA), 81A (TC) 4.5V, 10V 3.2mohm @ 40a, 10V 2.2V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 16V 3007 pf @ 25 v - 115W (TC)
MBRF5100HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF5100HC0G -
RFQ
ECAD 3377 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 MBRF5100 Schottky ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 900 mV @ 5 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
SR009HR0G Taiwan Semiconductor Corporation SR009HR0G -
RFQ
ECAD 1765 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SR009 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 850 mV @ 500 mA 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 65pf @ 4V, 1MHz
BZT52C9V1-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C9V1-G RHG 0.0445
RFQ
ECAD 4141 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52C 350 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 500 na @ 6 v 9.1 v 15 옴
SS215LHRQG Taiwan Semiconductor Corporation SS215LHRQG -
RFQ
ECAD 1905 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS215 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 2 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
BZX55C2V0 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C2V0 0.0287
RFQ
ECAD 4152 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZX55C2V0TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 v @ 100 ma 100 µa @ 1 v 2 v 100 옴
BZD27C39PHMTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C39PHMTG -
RFQ
ECAD 3142 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 30 v 39 v 40
SS32HM6G Taiwan Semiconductor Corporation SS32HM6G -
RFQ
ECAD 7392 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC SS32 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 500 mV @ 3 a 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
2M62Z B0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M62Z B0G -
RFQ
ECAD 3162 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M62 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 500 NA @ 47.1 v 62 v 60 옴
2M30ZH Taiwan Semiconductor Corporation 2M30ZH 0.1667
RFQ
ECAD 7461 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M30 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,500 500 NA @ 22.8 v 30 v 20 옴
1N4756AHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4756AHA0G -
RFQ
ECAD 2249 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4756 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 5 µa @ 35.8 v 47 v 80 옴
S15KC Taiwan Semiconductor Corporation S15KC 0.2997
RFQ
ECAD 9751 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 800 v 1.1 v @ 15 a 1 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 15a 93pf @ 4v, 1MHz
SFT17GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation SFT17GHA0G -
RFQ
ECAD 5860 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 T-18, 축, SFT17 기준 TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 500 v 1.7 V @ 1 a 35 ns 5 µa @ 500 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
SF1608G Taiwan Semiconductor Corporation SF1608G 0.6634
RFQ
ECAD 7642 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 SF1608 기준 TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 8 a 35 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 16A 60pf @ 4V, 1MHz
BZD27C13P Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C13P 0.2753
RFQ
ECAD 2991 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.42% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZD27C13PTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 2 µa @ 10 v 13.25 v 10 옴
1PGSMC5349H Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmc5349h 0.3459
RFQ
ECAD 1240 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101, 1PGSMC53 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 w DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 2 µA @ 9.1 v 12 v 3 옴
BZT52C62S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C62S 0.0392
RFQ
ECAD 7537 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZT52C 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT52C62str 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 45 NA @ 43.4 v 62 v 215 옴
BZD27C120P Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C120P 0.1155
RFQ
ECAD 8502 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.39% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZD27C120PTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 91 v 120.5 v 300 옴
BZD17C18P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C18P RFG -
RFQ
ECAD 4225 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.38% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 13 v 18 v 15 옴
2M190ZH Taiwan Semiconductor Corporation 2M190ZH 0.1667
RFQ
ECAD 4484 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M190 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,500 500 NA @ 144.8 v 190 v 825 옴
MTZJ6V8SC R0G Taiwan Semiconductor Corporation mtzj6v8sc r0g 0.0305
RFQ
ECAD 5007 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 mtzj6 500MW DO-34 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 2 µa @ 3.5 v 6.84 v 20 옴
BZV55C15 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C15 0.0499
RFQ
ECAD 6658 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55C 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZV55C15TR 귀 99 8541.10.0050 5,000 1 V @ 10 ma 100 na @ 11 v 15 v 30 옴
HS1M Taiwan Semiconductor Corporation HS1M 0.4000
RFQ
ECAD 14 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA HS1M 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
SR505HR0G Taiwan Semiconductor Corporation sr505hr0g -
RFQ
ECAD 5627 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SR505 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 700 mv @ 5 a 500 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
TQM032NH04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TQM032NH04CR RLG 4.0300
RFQ
ECAD 1619 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101, Perfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-PDFNU (4.9x5.75) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 23A (TA), 81A (TC) 7V, 10V 3.2mohm @ 40a, 10V 3.6V @ 250µA 67.5 nc @ 10 v ± 20V 4344 pf @ 25 v - 115W (TC)
TSM7ND65CI Taiwan Semiconductor Corporation TSM7ND65CI 3.3700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 TSM7 MOSFET (금속 (() ITO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 7A (TC) 10V 1.35ohm @ 1.8a, 10V 3.8V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 30V 1124 pf @ 50 v - 50W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고